EG2133 (三相独立半桥驱动芯片)的功能介绍

目录

概述

1 功能介绍

1.1 基本介绍

1.2 主要特性

2 芯片硬件特性

2.1 引脚定义

2.2 芯片内部实现框图

 2.3 经典应用电路

3 应用设计要求

3.1 VCC电压

3.2 输入逻辑信号要求和输出驱动器特性

 3.3 输入信号和输出信号逻辑真值表

4 电气特性


概述

本文主要介绍EG2133 (三相独立半桥驱动芯片)的主要功能,内部结构,设计要求和主要参数。

1 功能介绍

1.1 基本介绍

EG2133 是一款高性价比的大功率 MOS 管、 IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。

EG2133 高端的工作电压可达 300V,低端 VCC 的电源电压范围宽 4.5V~20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个下拉和上拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态, 输出电流能力 IO +1.2A/-1.4A,采用 TSSOP20 封装。

1.2 主要特性

◼ 高端悬浮自举电源设计,耐压可达 300V
◼ 集成三路独立半桥驱动
◼ 适应 5V、 3.3V 输入电压
◼ 最高频率支持 500KHZ
◼ 低端 VCC 电压范围 4.5V-20V
◼ 输出电流能力 IO +1.2A/-1.4A
◼ 内建死区控制电路
◼ 自带闭锁功能,彻底杜绝上、下管输出同时导通
◼ HIN 输入通道高电平有效,控制高端 HO 输出
◼ LIN ̅̅̅̅̅输入通道低电平有效,控制低端 LO 输出
◼ 封装形式: TSSOP20

2 芯片硬件特性

2.1 引脚定义

1)芯片封装

2)引脚描述
 

2.2 芯片内部实现框图

 

 2.3 经典应用电路

2.4 实用电路

3 应用设计要求

3.1 VCC电压

针对不同的MOS管,选择不同的驱动电压: 

高压开启MOS管推荐电源VDD: 工作电压典型值为10V-15V;

低压开启 MOS 管推荐电源 VCC : 工作电压 4.5V-10V。

3.2 输入逻辑信号要求和输出驱动器特性

EG2133 主要功能有逻辑信号输入处理、死区时间控制、电平转换功能、悬浮自举电源结构和上下桥图腾柱式输出。逻辑信号输入端高电平阀值为 2.5V 以上,低电平阀值为 1.0V 以下,要求逻辑信号的输出电流小,可以使 MCU 输出逻辑信号直接连接到 EG2133 的输入通道上。

高端上桥臂和低端下桥臂输出驱动器的最大灌入可达 1.2A和最大输出电流可达 1.4A, 高端上桥臂通道可以承受 300V 的电压,输入逻辑信号与输出控制信号之间的传导延时小,低端输出开通传导延时为 300nS、关断传导延时为 100nS,高端输出开通传导延时为 220nS、关断传导延时为200nS。低端输出开通的上升时间为 25nS、关断的下降时间为 20nS, 高端输出开通的上升时间为 25nS、关断的下降时间为 20nS。

输入信号和输出信号逻辑功能图如图 :

 3.3 输入信号和输出信号逻辑真值表

从真值表可知: 

1) 当输入逻辑信号 HIN 为“1”和LIN ̅̅̅̅为“1”时,驱动器控制输出 HO 为“1”上管打开, LO 为“0”下管关断;


2) 当输入逻辑信号 HIN 为“0” 和LIN ̅̅̅̅为“0”时,驱动器控制输出 HO 为“0”上管关断, LO 为“1”下管打开;


3)在输入逻辑信号 HIN 为“1”和LIN ̅̅̅̅为“0”或者 HIN 为“0”和LIN ̅̅̅̅为“1”时,驱动器控制输出 HO、 LO 为“0”将上、下功率管同时关断;


内部逻辑处理器杜绝控制器输出上、下功率管同时导通,具有相互闭锁功能。

4 电气特性

1)极限参数

2) 典型参数

 3)开关时间特性及死区时间波形图

 

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