功率半导体的正负温度系数

考虑到整机的成本因素，许多功率变换器使用了半导体并联方案。并联的均流问题一直是一个技术热点，目前新型半导体器件也越来越多，除了软件的控制外，硬件上什么类型的半导体适合并联？哪些不适合并联也值得讨论下。
中间过程只是个记录，可以直接看结论。

正负温度系数

功率半导体的管压降随着温度的不同会呈现不同的特性。管压降的变化与温度变化成正比，为正温度系数。也即温度升高 - >管压降增大；温度降低 -> 管压降减小。反之为负温度系数。

正温度系统的半导体，两个或多个并联时，当其中一个电流应力偏大，则会导致器件温度升高，从而导致管压降升高；由于器件是并联的，管压降高的器件会分的更少的电流，从而导致温度降低，形成负反馈，达到动态均流。
而负温度系数的半导体则会形成正反馈。

功率半导体

常见的功率半导体：
Si IGBT
Si MOS
SiC MOS
Si rectify
SiC schottky

Si IGBT

以英飞凌 FF450R12ME4 IGBT模块为例，如下图。
在相同电流的情况下，温度升高Vce增大，为正温度系统器件。

Si Mos

以英飞凌IPB60R099CPA 为例，如下图。