SD NAND和eMMC掉电保护机制如何实现的?

在存储芯片领域，数据的安全性和可靠性是工程师们最为关注的核心问题之一。尤其是在异常掉电的情况下，如何确保数据不丢失、不损坏，成为了存储芯片设计中的一大挑战

先来说说 SD NAND，以 MKDV1GCL-ABA、MKDV8GIL-AST 这些型号为例。当出现异常掉电情况后，重新上电时，控制器会执行一个关键动作 ——rebuild，也就是扫描之前写到了哪里。打个比方，假设有一笔资料（1，2，3，4），在写入之前会先有一个映射表存入 flash，然后才开始正式写入。要是在写入 1，2 的时候突然掉电，那么在重新上电初始化时，控制器会去扫描这个映射表，从而得知这笔资料中的 3，4 还没写完。这是针对正常掉电（power off）的情况。

而当遇到电压骤降（power drop）时，情况又有所不同。在电压 VDT 解除后（电压回到 2.5V 以上），存储芯片才会继续后续动作。但由于能效的考量，控制器无法做到每次写入都读回来确认，所以无法保证 100% 资料没问题。要是出现 CRC status error，就会把这个错误信息报给 host。

再看看 eMMC，它和 SD NAND 的掉电保护底层逻辑其实是一样的。虽然两者外观、接口等可能存在差异，但在保障数据安全度过掉电危机这件事上，它们遵循着相同的 “游戏规则”。这种相似的底层逻辑，为整个存储芯片行业在数据保护方面提供了一种通用的思路和方法。

无论是 SD NAND 还是 eMMC，掉电保护机制对于数据的完整性和可靠性至关重要。在数据如洪流般增长的今天，这些看似复杂的技术细节，实则是我们数据安全的坚实后盾。