半导体中带电点缺陷理论难题的根本性解决

这篇文章的标题是《Fundamental Resolution of Difficulties in the Theory of Charged Point Defects in Semiconductors》，作者是Yu-Ning Wu, X.-G. Zhang, 和 Sokrates T. Pantelides。文章发表在《物理评论快报》（PhysRevLett.）上，DOI:10.1103/PhysRevLett.119.105501

内容概述如下：

1. 研究背景：点缺陷（如杂质、空位和自间隙）控制材料的属性，对于纳米结构和器件的定制属性、二维材料的功能化至关重要。缺陷通过在半导体的能隙中引入局部能级来控制器件的性能、效率和可靠性。

2. 理论问题：传统的形成能理论仅对中性缺陷严格有效，而带电缺陷的库仑势需要额外的数值处理。这些处理通常采用“jellium”模型或在超胞边界上补偿电荷，但这些方法存在收敛性问题。

3. 新理论：文章提出了一种基于统计力学的新理论，用于计算带电缺陷的形成能。这种新理论消除了对额外数值处理的需求，使计算过程更加直接和透明。

4. 理论修正：新理论认为，带电缺陷的形成能不应被视为在无限晶体中的带电缺陷，而应考虑晶体在无掺杂情况下通过能带交换电子而带电的实际情况。新理论通过在能带中放置补偿自由载流子（电子或空穴）来使超胞保持中性。

5. 计算方法：新理论提供了一种计算带电缺陷形成能的数学公式，这些公式考虑了能带状态的密度和费米-狄拉克分布函数的变化。对于正电荷缺陷，从缺陷能级移除电子并放置在导带中；对于负电荷缺陷，从能带中移除电子并放置在缺陷能级中。

6. 计算结果：文章展示了使用新理论计算硅（Si）空位的形成能，并与常规方法进行了比较。结果表明，新理论在处理带电缺陷时，与常规方法相比，具有显著不同的数值结果。

7. 应用实例：文章还以氧化锌（ZnO）中的氧空位为例，展示了新理论的应用。在ZnO中，氧空位的形成能计算结果与常规方法相比，也显示出显著差异。

8. 结论：新理论通过严格的统计力学原理，为带电缺陷的形成能计算提供了更坚实的基础。尽管完全收敛的计算可能不总是实际的，但新理论为带电缺陷性质的计算提供了更可靠的方法。

论文提出了一种新的计算带电缺陷形成能的方法，这种方法基于统计力学原理，旨在解决传统方法中由于长程库仑相互作用导致的困难。以下是详细的计算方法概述：

1. 理论基础：

   • 传统的形成能理论对于中性缺陷是严格的，但对于带电缺陷，需要额外的数值处理来处理库仑势的无限周期阵列引起的发散问题。
   • 新理论认为，带电缺陷所在的晶体实际上是电中性的。在没有掺杂的情况下，缺陷通过与能带交换电子而带电，而不是与抽象的费米能级交换。

2. 超胞中性化：

   • 在新理论中，超胞（用于计算的周期性单元）应该通过在相应的能带中放置补偿的自由载流子（电子或空穴）来保持中性，而不是通过人工的均匀补偿背景。
   • 对于正电荷缺陷，从缺陷能级移除的电子被放置在导带中；对于负电荷缺陷，从能带中移除的电子被放置在缺陷能级中。

3. 缺陷形成能计算公式：

   

4. 计算过程：

   • 使用第一性原理计算（如密度泛函理论，DFT）来计算超胞的总能量。
   • 对于带电缺陷，通过“约束DFT”在导带或价带中引入或移除电子或空穴。
   • 计算形成能时，需要考虑费米-狄拉克分布函数的变化，以及能带状态密度。

5. 收敛性：

   • 在新理论中，由于超胞是自然中性的，因此原则上不存在由带电缺陷的库仑势引起的问题。
   • 计算时需要确保超胞大小足够大，以便邻近超胞中的缺陷不会相互影响，即需要在超胞大小上收敛形成能的计算。

6. 应用实例：

   • 文章中以硅（Si）中的空位和氧化锌（ZnO）中的氧空位为例，展示了新理论的应用，并与传统方法的结果进行了比较。

这种方法提供了一种更严格和可靠的计算带电缺陷形成能的方式，有助于更好地理解和预测材料和器件的性能。