【文献阅读】天地一体化5G网络中LNA的辐射效应

Youssouf A S, Habaebi M H, Hasbullah N F. The radiation effect on low noise amplifier implemented in the space-aerial–terrestrial integrated 5G networks[J]. IEEE Access, 2021, 9: 46641-46651.

图2 面向卫星的5G综合网络架构方案

这篇论文《The Radiation Effect on Low Noise Amplifier Implemented in the Space-Aerial Terrestrial Integrated 5G Networks》主要研究了电子辐射对低噪声放大器（LNA）的影响，特别是在空间-空中-地面集成的5G网络（SATIN）中的应用。研究对象包括基于砷化镓（GaAs）的赝高电子迁移率晶体管（pHEMT）和基于硅锗（SiGe）的异质结双极晶体管（HBT）的两种LNA。

以下是论文的核心内容概述：

1. 引言：介绍了5G网络的发展，特别是非地面集成5G系统的重要性，以及卫星通信系统在恶劣环境下的应用需求。

2. SATIN架构：讨论了空间-空中-地面网络的集成，以及如何在5G网络中整合这些网络以提高覆盖范围和可靠性。

3. 辐射效应：研究了电子辐射对GaAs和SiGe LNAs性能的影响，包括噪声系数（NF）和增益（S21）的变化。实验使用了1.5 MeV电子辐射，辐射剂量从50 kGy到250 kGy不等。

4. 实验结果：

   • GaAs pHEMT LNA在辐射前后的噪声系数变化，以及频率和辐射剂量对其性能的影响。
   • SiGe HBT LNA的噪声系数变化，以及辐射剂量对其性能的影响。
   • 两种LNA的增益（S21）和输入/输出回波损耗（S11和S22）在辐射前后的变化。

5. 讨论：分析了辐射对LNA性能的具体影响，包括噪声系数和增益的退化，以及这些变化如何影响卫星通信链路的性能。

6. 结论：总结了电子辐射对GaAs和SiGe LNAs的影响，指出在高达250 kGy的辐射剂量下，GaAs LNA相对于SiGe LNA表现出更好的性能。同时，指出了辐射剂量达到150 kGy时，卫星通信链路的性能可能会受到影响，这可能对SATIN 5G网络构成威胁。

图3 立方体卫星的主要子系统框图。通信子系统的第一部分连接到其他卫星链路，第二部分连接到地面站

ADL5523 GaAs LNA原理图。电容C5提供电源去耦。电感L1和电容C1提供输入阻抗匹配，L2和C3提供输出阻抗匹配。电阻R1用于设置电源电流。

BFU730F SiGe LNA原理图LNA由一级接地发射极BFU730F放大器组成。增益为20 dB, NF为0.8 dB。

S-参数测量实验设置使用安捷伦N5230A矢量网络分析仪(VNA)。电源将3V的电压输入LNA

增益法测量噪声系数的实验装置

图8 GaAs (LNA)噪声系数与频率和(3V)辐射剂量的函数关系。辐射剂量为50至250kGy。噪声随频率和辐射剂量的增加而增大。

图9 SiGe (LNA)噪声系数作为频率和(3V)辐射剂量的函数。噪声随频率和辐射剂量的增加而增大。

图10 在辐照前和250 kGy辐照剂量下，SiGe和GaAs (LNA)在(3 V)下的频率与噪声系数的关系。SiGe LNA噪声系数大于4 dB，而GaAs随着辐射剂量的增加而增加，最高可达3.7 dB，与SiGe LNA相比表现出频率敏感性。

图11 噪声系数与辐照前SiGe和GaAs (LNA) (3v)辐射剂量和不同辐射剂量的关系。高频对LNA性能的影响可见一斑。

图12 GaAs (LNA)增益(S21)作为频率和(3V)辐射剂量的函数。增益随频率和辐射剂量的增加而减小。与150 kGy至250 kGy的辐射效应相比，50 kGy至100 kGy的辐射效应更为显著。

图13 SiGe (LNA)增益(S21)作为频率和(3V)辐射剂量的函数。增益随辐射剂量的增加而减小。频率的增加对增益的影响较小。

图14 GaAs (LNA)输入回波损耗(S11)作为频率和(3V)辐射剂量的函数。输入回波损耗随辐射剂量的增大而增大，且在低频处明显增大。

图15 SiGe (LNA)输入回波损耗(S11)作为频率和(3V)辐射剂量的函数。SiGe输入回波损耗随辐射剂量的增加而增大，特别是在较高频率时。

图16 GaAs输出回波损耗(S22)作为频率和(3V)辐射剂量的函数。砷化镓输出回波损耗随辐射剂量的增加而减小。

图17 SiGe输出回波损耗(S22)作为频率和(3V)辐射剂量的函数。SiGe输出回波损耗随辐射剂量增大而增大。