【Ga2O3】反偏应力和质子辐照对氧化镓二极管的影响

【APL】Synergistic effect of electrical bias and proton irradiation on the electrical performance of β-Ga2O3 p–n diode

本研究探讨了电偏压和质子辐照对β-Ga2O3 p-n二极管电气性能的协同影响。研究主要关注了这些影响对器件缺陷的作用，并通过实验研究了反向偏压应力和3 MeV质子辐照对β-Ga2O3 p-n二极管的退化机制。

研究目的：

研究旨在理解在电偏压和质子辐照共同作用下，β-Ga2O3 p-n二极管电气性能退化的机理，并提出相应的假设来解释观察到的现象。这对于提高β-Ga2O3基器件的性能和可靠性具有重要意义，尤其是在航空航天电子系统等领域的应用。

研究方法：

• 使用电流-电压(I–V)测量来评估偏压应力和质子辐照对器件电气性能的影响。
• 利用电容-电压(C–V)和深能级瞬态谱(DLTS)技术来表征在偏压应力和质子辐照过程中陷阱的变化。
• 通过SRIM-2008模拟软件来分析质子辐照在Ga2O3中产生的反冲核的统计数据和非电离能量损失(NIEL)。

图1  β-Ga 2 O 3 p-n 二极管的横截面示意图

研究结果及机理解释：

• 研究发现，随着质子辐照流量的增加，正向电流密度(JF)显著降低。
• DLTS结果显示，辐照后在β-Ga2O3漂移层内引入了EC-0.75 eV能级的受主陷阱，这可能是导致器件退化的关键因素。
• 电场的存在增加了载流子的移除率，从而增加了陷阱浓度。
• 提出了一个假设，即在电场作用下，质子辐照期间的反冲核能量增加，从而加剧了Ga空位(VGa)相关缺陷的产生，导致器件退化更加严重。

图2 β-Ga 2 O 3 p-n 二极管的 I-V 特性：(a) 3 MeV 质子照射前后和 (b) 3 MeV 质子照射前后和−100 V 电应力耦合。

图3 β-Ga 2 O 3 p-n 二极管在 1 MHz 频率下测量的 C-V 特性：(a) 3 MeV 质子照射前后，(b) 3 MeV质子辐照和-100 V电应力耦合之前和之后。插图：提取的器件在每个质子注量点处的净载流子浓度以及耗尽区深度。

图4 (a) β-Ga 2 O 3 p-n 二极管在辐照前（黑线）、在注量为 1 × 10 13 （红线）和 2 × 10 13 cm 2 （蓝线），以及在电应力与质子照射结合后，通量为1 × 10 13 cm 2 （绿线）和 2 × 10 13 cm 2 （粉红色线）。速率窗口为 7.2 ms。该系统中的正峰和负峰分别对应于多数（电子）和少数（空穴）陷阱。 (b) 每个陷阱状态的阿伦尼乌斯图。 (c) 从 DLTS 结果中提取的陷阱浓度作为质子注量的函数。

图5 360 K下电子陷阱的发射速率与测量电压之间的关系。

图5 

研究结果及意义：

• 本研究结果表明，电偏压和质子辐照的协同作用显著降低了β-Ga2O3 p-n二极管的正向电流密度，并且这种退化与EC-0.75 eV能级的受主陷阱浓度的增加有关。
• 研究结果对于理解和改善β-Ga2O3基器件在高能粒子辐射环境下的性能具有重要意义，特别是在航空航天和高压电力传输等高辐射环境中的应用。
• 通过深入了解器件在辐照和电场耦合作用下的退化机制，可以为设计更可靠的β-Ga2O3基器件提供指导，从而在严苛的工作条件下保持其性能和寿命。