【氮化镓】位错对氮化镓（GaN）电子能量损失谱（EEL）的影响

本文献《Influence of dislocations on electron energy-loss spectra in gallium nitride》由C. J. Fall等人撰写，发表于2002年。研究团队通过第一性原理计算，探讨了位错对氮化镓（GaN）电子能量损失谱（EEL）的影响。研究发现，未装饰的全核心位错导致低损耗EEL光谱中低于块体起始能量的吸收。此外，边缘位错附近的氮原子的静电势变化显著，对核心损耗光谱的简单解释提出了质疑。研究还模拟了不同电荷状态下GaN边缘和螺旋位错的EEL光谱，并与实验数据进行了比较，发现理论结果与实验光谱一致。

研究背景： 氮化镓作为一种重要的宽禁带半导体材料，在光电子和微电子领域有着广泛的应用。位错作为晶体中的缺陷，对材料的电子结构和性能有着显著影响。因此，理解位错对GaN电子能量损失谱的影响对于提高材料性能具有重要意义。

研究目的： 本研究旨在通过第一性原理计算，探究GaN中边缘和螺旋位错对EEL光谱的影响，以及这些位错导致的能隙态对材料电子性质的影响。

研究方法： 研究团队采用了基于密度泛函理论的局部密度近似（LDA）和平面波赝势方法进行自洽的从头算模拟。通过构建包含位错的超胞模型，计算了GaN的低损耗和核心激发EEL光谱。同时，研究了不同电荷状态下