【Gd2O3】Gd2O3栅极电介质增强GaN器件的可靠性

【Effects of Gd2O3 Gate Dielectric on Proton-Irradiated AlGaN/GaN HEMTs】

概括总结：

该研究探讨了质子辐射对使用Gd2O3作为栅极电介质的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）的影响。通过对比肖特基栅极HEMTs和MOS-HEMTs在2 MeV质子辐射下的电气性能变化，研究发现Gd2O3栅极电介质层能有效减轻质子辐射引起的性能退化。

研究背景：

AlGaN/GaN HEMTs因其在高频和高功率应用中的优异性能而备受关注，尤其是在航空航天领域，这些器件需要承受极端的温度和辐射环境。然而，高栅极漏电流是限制这些器件性能和可靠性的主要问题之一。为了解决这一问题，研究人员转向使用MOS-HEMTs结构，其中在栅极和阻挡层之间引入了一层绝缘材料。

研究目的：

本研究旨在评估质子辐射对AlGaN/GaN HEMTs和MOS-HEMTs的影响，并特别关注Gd2O3作为栅极电介质层的保护作用。研究的目的是确定Gd2O3层是否能够有效减轻质子辐射引起的性能退化，并探索其潜在的辐射硬化机制。

实验方法：

实验中使用了高压溅射技术沉积Gd2O3薄膜，并在同一晶片上同时制作了肖特基栅极和MOS栅极的HEMTs。这些器件随后被暴露在2 MeV质子辐射下，辐射剂量分别为1×10^13 cm^−2和1×10^15 cm^−2。辐射前后，研