【氮化镓】Kevin J. Chen组新作—肖特基p-GaN HEMTs正栅ESD机理研究

这篇文章是发表在《IEEE Electron Device Letters》上的一篇关于Schottky型p-GaN栅极高电子迁移率晶体管（HEMTs）的正向栅极静电放电（ESD）机理研究的论文。文章由Jiahui Sun等人撰写，使用了基于碳化硅（SiC）的高速脉冲I-V测试系统来研究p-GaN栅极HEMTs在正向栅极ESD事件中的鲁棒性及其机制。

摘要（Abstract）

文章首先在摘要中介绍了研究的背景和目的，即研究p-GaN门HEMTs在正向栅极人体模型（HBM）ESD事件中的鲁棒性及其机制。作者发现，在非破坏性的放电事件中，瞬态正向栅极漏电流（IG）异常地高。为了更全面地表征这种升高的IG，作者使用SiC MOSFETs设计了一种新的脉冲I-V测试系统，该系统能够生成上升时间≤10ns、宽度<100ns的电压脉冲，最大脉冲电流可达26A。通过温度和时间依赖性的脉冲IG-VG（栅极电压）特性分析，表明高瞬态IG主要由电子热发射控制，这种发射是由p-GaN栅极堆叠中两个背靠背结的动态电容VG（栅极电压）分配刺激的