【氮化物】纤锌矿结构晶体中自发极化方向

这篇文章《Clarification of the spontaneous polarization direction in crystals with wurtzite structure》由Simon Fichtner等人撰写，发表于《Applied Physics Letters》。文章主要目的是解决在纤锌矿结构晶体中自发极化方向的文献中的混淆问题，尤其是针对技术领域非常重要的III-N化合物（AlN、GaN和InN）。文章通过理论分析和实验数据，澄清了自发极化的方向，对于理解和设计基于纤锌矿结构材料的半导体器件具有重要意义。

引言

文章开头指出了纤锌矿结构的普遍性和重要性，特别是在LED和HEMT等半导体器件中的应用。作者强调了自发极化对于理解材料性质和设计半导体器件的重要性，并提出了文献中关于自发极化方向的混淆问题。

纤锌矿结构的普遍性和重要性

文章开篇即指出纤锌矿结构是现代半导体中最常见的晶体结构之一。这种结构不仅在物理学上具有独特的对称性，而且在技术应用上也极为重要。纤锌矿结构的半导体材料，如AlN、GaN和InN，因其优异的电子性质，被广泛应用于高亮度LED、高频HEMTs以及其他电子和光电子设备中。这些应用对材料的电子结构和极化特