如第12、13和14题所讨论的,集成电路的制造需要在硅基板上执行各种物理和化学过程。通常,这些过程分为四类:薄膜沉积、去除、图案化和掺杂。导体(如多晶硅、铝和铜)和绝缘体(各种形式的二氧化硅、氮化硅等)的薄膜用于连接和隔离电路中的晶体管。通过选择性地掺杂硅片的不同区域,可以改变这些区域的导电性。通过按照特定顺序执行这些工艺步骤,可以构建并连接数百万个晶体管,形成现代电子设备中的复杂电路。
在这些过程中,光刻技术是基础,它用于在基板上形成三维图像,随后将图案转移到基板上。
半导体光刻是一种在硅片上绘制图案的工艺,使用一种称为光刻胶的光敏聚合物来完成图案的绘制。为了构建集成电路所需的复杂结构,通常要重复20到30次光刻和蚀刻图案转移步骤。每个在硅片上打印的图案必须与先前形成的图案对齐。一步步地,导体、绝缘体和选择性掺杂区域逐渐堆叠起来,形成最终的器件。
光刻技术的首选方法是光学光刻,它本质上是一种摄影过程,通过该过程,光敏聚合物(光刻胶)被曝光和显影,形成基板上的三维图像。理想情况下,光刻胶图像应具有与基板平面上预定图案完全相同的形状。最终的光刻胶图案是二元的ÿ