只读存储器和闪速存储器

只读存储器 　　　　　　　　　　

1.ROM的分类

　　只读存储器简称ROM，它只能读出，不能写入 。它的最大优点是具有不易失性 。

 

根据编程方式不同，ROM通常分为三类：　

　　　　　　　　　　　　　　　　　表3.5 ROM的分类

只读存储器	定　　义	优　　点	缺　点
掩模式	数据在芯片制造过程中就确定	可靠性和集成度高，价格便宜	不能重写
一次编程	用户可自行改变产品中某些存储元	可以根据用户需要编程	只能一次性改写
多次编程	可以用紫外光照射或电擦除原来的数据，然后再重新写入新的数据	可以多次改写ROM中的内容

 

 

光擦可编程只读存储器(EPROM)

 

EPROM实例

  工 作 模 式 选 择 　 　 　 　　 　

	PD/PGM	CS	Vpp	Vcc	数据输出
读	低	低	+5V	+5V	输出
未选中	无关	高	+5V	+5V	高阻
功率下降	高	无关	+5V	+5V	高阻
编程	由低到高脉冲	高	+25V	+5V	输入

 

 

 

闪速存储器 　　　　　　　　　

1.什么是闪速存储器

　　闪速存储器是一种高密度、非易失性的读/写半导体存储器，它突破了传统的存储器体系，改善了现有存储器的特性。

 

闪速存储器的工作原理

 闪速存储器是在EPROM功能基础上增加了电路的电擦除和重新编程能力。

　　28F256A引入一个指令寄存器 来实现这种功能。其作用是：

　　(1)保证TTL电平的控制信号输入；

　　(2)在擦除和编程过程中稳定供电；

　　(3)最大限度的与EPROM兼容。

　当VPP引脚不加高电压时，它只是一个只读存储器。

　　当VPP引脚加上高电压时，除实现EPROM通常操作外，通过指令寄存器，可以实现存储器内容的变更。

　　当VPP=VPPL时，指令寄存器的内容为读指令，使28F256A成为只读存储器，称为写保护。

 

 

闪速存储器的工作模式

　　　　　　　　　　　　　　　　　表3. 4 28F256A　工作模式

		Vpp	A0	A9	CE	OE	WE	DQ0--DQ7
只　 　读	读 输出禁止 　等待	VPPL VPPL VPPL	A0 　× 　×	A9 　× 　×	0 　0 　1	0 　1 　×	1 　1 　×	数据输出 　三态输出 　三态输出
读　 　写	读 输出禁止 　备用 　写	Vpph Vpph Vpph Vpph	A0 　× 　× 　A0	A9 　× 　× 　A9	0 　0 　1 　0	0 　1 　× 　1	1 　1 　× 　0	数据输出 　三态输出 　三态输出 　数据输入

 

　　读操作 :片选信号CE 是供电控制端，输出允许信号OE 用于控制数据从输出引脚的输出。只有这两个信号

同时有效时，才能实现数据输出。

　　输出禁止操作 :当输出允许控制端OE 处于高电平时，28F256A被禁止输出，输出引脚置于高阻状态。

　　等待操作 :当片选信号CE 处于逻辑高电平时，等待操作抑制了28F256A的大部分电路，减少器件功耗。

　 写操作 :当VPP为高电压时，通过指令寄存器实现器件的擦除和编程 。当CE =0且WE =0时，通过写周期

对指令寄存器进行写入。

 

闪速存储器与CPU的连接

 

中间部分是接口电路。地址总线和控制总线由CPU发向存储器和接口逻辑，数据总线为双向总线。 　　地址总线的宽度决定了存储器的存储容量，数据总线的宽度决定了存储器的字长。