【51单片机】单总线温度采集

一、目标

1、学习单总线温度传感器DB18B20的原理和通信时序；

2、使用51单片机的一个 IO 口模拟单总线时序与温度传感器DS18B20通信，将检测的环境温度读取出来。

二、原理介绍

1.单总线温度传感器DS18B20介绍

DS18B20是美国DALLAS公司生产的数字温度传感器，体积小、低功耗、抗干扰能力强。可直接将温度转化成数字信号传送给单片机处理，因而可省去传统的信号放大、A/D转换等外围电路。
DS18B20转换时间与分辨率有关。当设定为9位时，转换时间为93.75ms；设定10位时，转换时间为187.5 ms；当设定11位时，转换时间为375ms；当设定为12位时，转换时间为750ms。

当DS18B20采集的温度为+125℃时，输出为*0x07d0，则：
实际温度=（0x07d0）/16=(0×163+7×162+13×161+0×160)/16=125℃
当DS18B20采集的温度为-55℃时，输出为0xfc90，由于是补码，则先将11位数据取反加1得0x0370，注意符号位不变，也不参加运算，则：
实际温度=（0x0370）/16=(0×163+3×162+7×161+0×160)/16=55℃。
注意，负号则需对采集的温度进行判断后，再予以显示。

2.DS18B20的工作时序

DS18B20的工作时序包括初始化时序、写时序和读时序。

（1）初始化时序，单片机将数据线电平拉低480_{960µs后释放，等待15}60µs，单总线器件即可输出一持续60~240µs的低电平，单片机收到此应答后即可进行操作。

（2）写时序，当单片机将数据线电平从高拉到低时，产生写时序，有写“0”和写“1”两种时序。写时序开始后，DS18B20在15~60µs期间从数据线上采样。如果采样到低电平，则向DS18B20写的是“0”；如果采样到高电平，则向DS18B20写的是“1”。这两个独立时序间至少需拉高总线电平1µs时间。

（3）读时序，当单片机从DS18B20读取数据时，产生读时序。此时单片机将数据线电平从高拉到低使读时序被初始化。如果在此后15µs内，单片机在数据线上采样到低电平，则从DS18B20读的是“0”；如果在此后的15µs内，单片机在数据线上采样到高电平，则从DS18B20读的是“1”。

3.DS18B20的命令

DS18B20片内都有唯一的64位光刻ROM编码，出厂时已刻好。它是DS18B20的地址序列码，目的是使每个DS18B20的地址都不相同，这样就可实现在一根总线上挂接多个DS18B20的目的。
DS18B20所有命令均为8位长，常用的命令代码如下：

如果主机只对一个DS18B20进行操作，就不需要读取ROM编码以及匹配ROM编码，只要用跳过ROM（CCH）命令，就可按如下表执行如下温度转换和读取命令：

三、实现

实现单总线温度测量系统

代码

#include "reg51.h"
#include "intrins.h"
#define uchar unsigned char
#define uint unsigned int 
#define out P0
sbit smg1=out^4;
sbit smg2=out^5;
sbit DQ=P3^7;
void delay5(uchar);
void init_ds18b20(void);
uchar readbyte(void);
void writebyte(uchar);
uchar retemp(void);
void main(void)
{
uchar i,temp;
delay5(1000);
while(1)
	{
	 temp=retemp();	
	 for(i=0;i<10;i++)	//连续扫描数码管10次
	 {
	 out=(temp/10)&0x0f;
	 smg1=0;
	 smg2=1;
	 delay5(1000);	//延时5ms
	 out=(temp%10)&0x0f;
	 smg1=1;
	 smg2=0;
	 delay5(1000);	//延时5ms
	 }
	}
}
/*--------------精确延时5us子程序---------*/
void delay5(uchar n)
{
	 do
	 {
	 _nop_();
	 _nop_();
	 _nop_();
	 n--;
	 }
	 while(n);
}
/*--------------初始化函数--------------------*/
void init_ds18b20(void)
{
	 uchar x=0; 
	 DQ =0;    
	 delay5(120); 
	 DQ =1;    
	 delay5(16);
	 delay5(80);
}
/*--------------读取一字节函数----------------*/
uchar readbyte(void)
{
	uchar i=0;
	uchar date=0;
	for (i=8;i>0;i--)
	 {
		  DQ =0;
		  delay5(1);
		  DQ =1;	//15微秒内拉释放总线
		  date>>=1;
		  if(DQ)
		  date|=0x80;
		  delay5(11);
	 }
 	return(date);
}
/*--------------写一字节函数------------------*/
void writebyte(uchar dat)
{
 uchar i=0;
 for(i=8;i>0;i--)
	 {
	  DQ =0;
	  DQ =dat&0x01;//写"1" 在15微秒内拉低
	  delay5(12);	   //写"0" 拉低60微秒
	  DQ = 1;	   
	  dat>>=1;
	  delay5(5);
	  }
}
/*--------------读取温度函数------------------*/
uchar retemp(void)
{
	uchar a,b,tt;
	uint t;
	init_ds18b20();
	writebyte(0xCC); 
	writebyte(0x44);
	init_ds18b20();
	writebyte(0xCC); 
	writebyte(0xBE); 
	a=readbyte();
	b=readbyte();
	t=b;
	t<<=8;
	t=t|a;
	tt=t*0.0625;
	return(tt);
}

Proteus仿真

四、总结

通过此次学习51单片机单总线温度采集的相关内容，掌握了单总线温度采集的使用方法，了解了如何利用单总线进行温度采集,掌握了如何利用单总线来实现温度采集，加深了对单总线温度采集的理解和掌握。
以上为我此次学习成果，如有问题，烦请指正。