看新工艺的图书馆像看天书一样,多了很多内容,老驴打算挖个坑尝试去读一下lib中各个表格所代表的意义及用途,今儿开篇。
LDM:
LDM:线性延迟模型,最简单的单元延迟模型,计算公式:
D = D0 + D1 * S + D2 * C
其中,D0,D1,D2是常值,S是输入过渡时间,C是输出负载电容。
优点:简单。
缺点:不精确。
本:已淘汰。
NLDM:
NLDM:非线性延迟模型,在lib中是几张索引为输入过渡跟输出负载的二维表,如果是多输入cell每个输入到输出的延迟跟其他输入的状态相关,在lib中会用NLDM是在仿真波形上采样三个点得到的信元延迟跟输出转换:“ sdf_cond”跟“ when”来表示。
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slew_lower_threshold_pct_rise / fall,通常是工作电压的30%或20%,用于计算输出转换。
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slew_upper_threshold_pct_rise / fall,通常是工作电压的70%或80%, 用于计算输出转换。
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input / output_threshold_pct_rise / fall,通常是工作电压的50%,用于计算单元延迟。
因为NLDM只采样三个输出点,所以不够精确,尤其是当驱动电阻Rd << Znet时,所以65nm之后的工艺需要更精确的模型,就像CCS跟ECSM。
优点:简单明了。
缺点:不精确,无法模拟米勒效应,无法模拟先进工艺的各种效应。
现有:依旧在使用。
CCS,ECSM
CCS,复合电流源,最早由小号发布,目前由IEEE-ISTO旗下的LTAB <自由技术咨询委员会>维护。 ECSM,Effe的莫如电流源模型,最早由Ç发布,目前由SI2旗下的OMTAB <开放建模技术咨询委员会 >维护。
CCS跟ECSM本质上都是电流源模型,能够去除电路模型,进行静态时序,转换,噪声和电压降分析,相较于NLDM模型具有以下优点:
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高Z互连
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接收者米勒效应
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动态红外压降
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多电压,动态电压和频率缩放(DVFS)设计
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驱动力减弱
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温度反转
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光刻引起的变异性
对于如上电流源模型,Q = C * V, 我 = Q / T,所以可得I *吨= C * V。 其中:
q =存储在电容器中的电荷,
C =电容
v =电容器两端的电压
i =当前
所以,可得:
公式一即是CCS所用的公式,在库中定义在output_current_rise跟output_current_fall中,有三个索引分别对应:
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input_net_transition
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total_output_net_capacitance
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时间
公式二是ECSM 所用公式,在库中定义在ecsm_waveform_set或ecsm_ wavefor m中,ecsm_waveform_set表中只有一个索引值是电压,表格实际上是一张64 * N列的表格,64由 输入净过渡跟随总输出净电容决定,N对应2%-98%工作电压的采样。新工艺ECSM推荐使用:
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ECSM时序库中的8引脚电容。
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2%-98%ECSM波形范围。
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