图书馆| std信元延迟模型

看新工艺的图书馆像看天书一样，多了很多内容，老驴打算挖个坑尝试去读一下lib中各个表格所代表的意义及用途，今儿开篇。

 

LDM：

LDM：线性延迟模型，最简单的单元延迟模型，计算公式：

D = D0 + D1 * S + D2 * C

其中，D0，D1，D2是常值，S是输入过渡时间，C是输出负载电容。 

优点：简单。

缺点：不精确。

本：已淘汰。

 

NLDM： 

NLDM：非线性延迟模型，在lib中是几张索引为输入过渡跟输出负载的二维表，如果是多输入cell每个输入到输出的延迟跟其他输入的状态相关，在lib中会用NLDM是在仿真波形上采样三个点得到的信元延迟跟输出转换：“ sdf_cond”跟“ when”来表示。

• slew_lower_threshold_pct_rise / fall，通常是工作电压的30％或20％，用于计算输出转换。

• slew_upper_threshold_pct_rise / fall，通常是工作电压的70％或80％， 用于计算输出转换。

• input / output_threshold_pct_rise / fall，通常是工作电压的50％，用于计算单元延迟。

 

 

因为NLDM只采样三个输出点，所以不够精确，尤其是当驱动电阻Rd << Znet时，所以65nm之后的工艺需要更精确的模型，就像CCS跟ECSM。

优点：简单明了。

缺点：不精确，无法模拟米勒效应，无法模拟先进工艺的各种效应。

现有：依旧在使用。

CCS，ECSM

CCS，复合电流源，最早由小号发布，目前由IEEE-ISTO旗下的LTAB <自由技术咨询委员会>维护。 ECSM，Effe的莫如电流源模型，最早由Ç发布，目前由SI2旗下的OMTAB <开放建模技术咨询委员会 >维护。 

 

CCS跟ECSM本质上都是电流源模型，能够去除电路模型，进行静态时序，转换，噪声和电压降分析，相较于NLDM模型具有以下优点：

• 高Z互连

• 接收者米勒效应

• 动态红外压降

• 多电压，动态电压和频率缩放（DVFS）设计

• 驱动力减弱

• 温度反转

• 光刻引起的变异性

对于如上电流源模型，Q = C * V， 我 =  Q / T，所以可得I *吨= C * V。  其中：

q =存储在电容器中的电荷， 

C =电容 

v =电容器两端的电压

i =当前 

所以，可得：

公式一即是CCS所用的公式，在库中定义在output_current_rise跟output_current_fall中，有三个索引分别对应：

• input_net_transition

• total_output_net_capacitance

• 时间

公式二是ECSM 所用公式，在库中定义在ecsm_waveform_set或ecsm_ wavefor m中，ecsm_waveform_set表中只有一个索引值是电压，表格实际上是一张64 * N列的表格，64由 输入净过渡跟随总输出净电容决定，N对应2％-98％工作电压的采样。新工艺ECSM推荐使用：

• ECSM时序库中的8引脚电容。

• 2％-98％ECSM波形范围。

 

 

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