【数字IC】——器件延迟模型（NLDM、CCS）与线延迟模型（WLM、Topo-M）

1、器件延迟模型

器件延迟的两种理论模型：

非线性延迟模型(Non-linear Delay Model, NLDM)

复合电流源模型(Composite Current Source Model, CCSM)

1.1 NLDM

        NLDM是一项早期引入的技术，特别是在65 nm工艺节点之前，该技术为迅速评估单元的延迟提供了有效方法。这种方法依赖于NLDM驱动模块和NLDM接收模块，确保了对单元延迟的准确模拟。

非线性延迟模型

        在库文件中，NLDM是一个二维查找表，这个查找表的两个索引分别是输入转换时间和输出电容，表中的内容是上升下降沿的延迟以及输出转换时间的值。

        随着工艺尺寸的减小，金属连线上的电阻值变得越来越大，当电压源的内阻Rd远远小于金属连线上的电阻的时候，电压源模型会发生严重的失真；对于NLDM接受模块，在先进工艺节点下，密勒效应更加明显，无法进行建模。因此提出了一种新的器件延迟的模型CCS，CCS模型很好地解决了NLDM模型严重失真的问题。

1.2 CCS

        CCS模型包括了CCS驱动模块和CCS接收模块，CCS驱动模块表征的是流入负载电容的电流值，它的两个索引也分别是输入转换时间和输出电容，但是和NLDM的区别在于查找表中的值不是一个确定的值，而是电流波形。

        和NLDM不同，CCS描述的是一个非线性复用电流源，即使金属连线上的电阻非常大，也可以精确得到输出电流的波形。CCS接收模块采用双电容的形式来描述密勒效应，在接收模块的电压值达到延迟阈值的前后，分别采用两个电容进行描述，相较于NLDM的单电容描述更加准确。

复合电流源模型

 

 2、线延迟模型

线延迟共有两种模型，存在两种计算互连线产生RC系数的方式：

线负载模型(Wire Load Mode, WLM)

拓扑模式(Topographical Mode,Topo-M)

2.1 WLM

        WLM是根据fanout来估算门电路与门电路之间的线路的长度，再根据连线长度来进行线上电阻、电容和面积的参数估计，是一种概率上的统计结果。

        这种方式具有明显的不足之处，它并不能准确计算出金属连线的长度，因此计算出的RC可能会与真实的RC值产生很大的偏差，并且网表中可能包含过缓冲或欠缓冲的门，在综合时需要反复迭代。

2.2 Topographical Mode

        WLM存在明显的不足之处，设计者提出了另一种拓扑模式，拓扑模式通过拥塞感知布线估计的方法去实现粗略布局，估计出的RC信息与完成布局布线后的RC信息更加接近。

        Design Compiler -topo采用二次综合的流程，首先Design Compiler会对设计进行初步综合，得到初步的ddc文件后进行布局规划(Floorplan)，然后根据器件的位置得到线负载模型，第二次综合通过后生成用于后端布局布线的网表。

topo综合流程图