书籍:《炬丰科技-半导体工艺》
文章:半导体晶圆切割技术
编号:JFKJ-21-335
作者:炬丰科技
摘要
晶片分离技术包括在将晶片减薄至所需厚度之前在晶片的前部装置处理主表面上产生凹陷的街道图案。将晶片安装在合适的载体上后,将其减薄并选择性地金属化以形成背面触点。从街道的中心区域去除半导体材料。由于材料去除而损坏的暴露材料也被去除以消除微裂纹ÿ
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》
文章:半导体晶圆切割技术
编号:JFKJ-21-335
作者:炬丰科技
摘要
晶片分离技术包括在将晶片减薄至所需厚度之前在晶片的前部装置处理主表面上产生凹陷的街道图案。将晶片安装在合适的载体上后,将其减薄并选择性地金属化以形成背面触点。从街道的中心区域去除半导体材料。由于材料去除而损坏的暴露材料也被去除以消除微裂纹ÿ