反激变换器设计步骤总结

最新推荐文章于 2024-08-19 15:39:11 发布

pcbuser

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分类专栏：开关电源文章标签：硬件工程

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本文详细介绍了74W反击变换器的设计过程，包括MOSFET的选择、稳压管的运用、占空比的计算、电感和磁心参数的确定，以及导线规格的选择。设计中考虑了输入输出电压、电流、效率和磁通密度等因素，旨在实现稳定高效的电源转换。

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#前言

74W（90VAC~270VAC）反击变换器，输出5V-10A和12V-2A，开关频率150kHz,使用较经济额定值600V的MOSFET

#一、设计流程

##1.1确定 $V_{OR}$ 和 $V_{Z}$

$V_{INMAX}=\sqrt{2}\times VAC_{MAX}$

MOSFET额定电压600V，保留30V裕量，漏极电压

$V_{IN}+V_{Z}=382+V_{Z}\leqslant 570$

$V_{Z}\leqslant 188V$

选择标准的180V稳压管，（防止MOSFET被击穿）

$V_{Z}/V_{OR}$ 为自变量的钳位损耗曲线，值为1.4为消耗曲线明显下降点

$V_{OR}=\frac{V_{Z}}{1.4}=128v$

##1.2确定匝比

5V输出正向压降0.6V，匝比

$n=\frac{V_{OR}}{V_{O}+V_{D}}=22.86$

设12V输出正向压降1V，匝比

$128/(12+1)=9.85$

##1.3最大占空比(理论值)

反激是buck-boost拓扑扩展，电感和变压器考虑最恶劣的情况，输入电压最小，最恶劣

变换器最小直流整流电压

$V_{INMIN}=\sqrt{2}\times VAC_{MIN}=\sqrt{2}\times 90=127V$

忽略输入端电压纹波

$D=\frac{V_{OR}}{V_{OR}+V_{INMIN}}=0.5$

为效率100%理论估算值，选择合适输入电容与控制器最大占空比限制 $D_{LIM}$ ,典型值70%，根据经验，电容值选择 $3\mu F/W$ ,输入效率74W电源，输入功率74/0.7=106W，故使用 $106\times 3=318\mu F$ （标准值330uF）的输入电容。

##1.4一次与二次有效负载电流

74W输出功率集中在一个等效5V单输出上

$I_{O}=\frac{74}{5}\approx 15A$

一次负载电流 $I_{OR}$

$I_{OR}=\frac{I_{O}}{n}=\frac{15}{22.86}=0.656$

##1.5占空比

实际占空比很重要，占空比小幅度上升，导致工作峰值电流和相应磁场能量有较大增量

输入功率

$P_{IN}=\frac{P_{O}}{efficiency}=74/0.7=105.7W$

平均输入电流

$I_{IN}=\frac{P_{IN}}{V_{IN}}=105.7/127=0.823A$

由输入输出电流，以及电感电流关系得

$\frac{I_{IN}}{D}=I_{LR}=\frac{I_{OR}}{1-D}$

$D=\frac{I_{IN}}{I_{IN}+I_{OR}}=0.559$

##1.6一次和二次电流斜坡中心值

二次电流斜坡中心值

$I_{L}=\frac{I_{O}}{1-D}=34.01A$

一次电流斜坡中心值

$I_{LR}=\frac{I_{L}}{n}=\frac{34.01}{22.86}=1.488A$

##1.7峰值开关电流

根据 $I_{LR}$ 值，可得所选电流纹波率情况下得峰值电流

$I_{PK}=(1+\frac{r}{2})\times I_{LR}=1.25\times 1.488=1.86A$

根据估算值，设定控制器的最大电流值

##1.8伏秒数

输入电压 $V_{INMIN}$

$V_{ON}=V_{IN}=127V$

所以伏秒数

$Et=V_{ON}\times t_{ON}=V_{ON}\times \frac{D}{f}=472V\mu s$

##1.9一次电感

注意（电感量与频率成反比，电感体积与变换器的频率成反比）

注意 (电感量与负载电流成反比，电感体积与负载电流成正比)

设计离线式变压器，通常r值设为0.5

$L_{P}=\frac{1}{I_{LR}}\times \frac{Et}{r}=\frac{473}{1.488\times0.5}=636\mu H$

##1.10磁心选择

若无气隙，磁心一旦存储少许能量就饱和

对应所需r值，确保L值大小，气隙太大，导致匝数增多（增大绕组的铜耗）。增加匝数将使绕组占用更大的窗口面积。必须就使用进行折中选择，通常采用如下公式（一般应用于铁氧体磁心，且适用所有拓扑）

$V_{e}=0.7\times \frac{(2+r))^{2}}{r}\times \frac{P_{IN}}{f}cm^{3}$

f单位为KHz

$V_{e}=0.7\times \frac{(2.5)^2)}{0.5} \times \frac{105.7}{150}=6.17cm^3$

在EI-30中可以找到，其等效长度

$A_{e}=1.11cm^3$

$l_{e}=5.8cm$

其体积 $V_{e}=A_{e}\times l_{e}=6.438cm^3$

##1.11匝数

$V=N\frac{d\phi }{dt}=NA\frac{dB}{dt}$

$V=L\frac{dI}{dt}$

$B=\frac{LI}{NA}$

$r=\frac{Et}{LI}$

$B_{pk}=(1+\frac{r}{2})B$

$N=(1+\frac{2}{r})\times \frac{V_{ON}\times D}{2\times B_{pk}\times A_{e} \times f}$

若无材料导磁率、磁隙等信息，已知磁心面积 $A_{e}$ 和磁通密度变化范围，可秋娥的匝数值。对于大多数铁氧体磁心，磁通变化密度不能超过0.3T.所求N为(此处N为 $n_{P}$ ，一次绕组匝数)

$n_{P}=35.5$

下一步需验证是否适合磁心的窗口面积，还有是否适合骨架、隔离带、安全胶带、二次绕组和套管

5V输出的二次绕组匝数

$n_{s}=\frac{n_{p}}{n}=\frac{35.5}{22.86}=1.55$

取1会导致较大漏感，取 $n_{s}=2$

根据相同的变比( $V_{OR}$ 不变)

$n_{p}=n_{s}\times n=2\times 22.86\approx 46$

12V输出绕组匝数通过计算

$n_{S_AUX}=\frac{12+1}{5+0.6}\times 2 =4.64\approx 5$

##1.12实际磁通密度变化范围

根据电压参考方程，解得B为

$B_{PK}=(1+\frac{2}{r})\times \frac{V_{ON} \times D}{2 \times n_{p} \times A_{e} \times f}$

$B_{PK}=\frac{35.5}{46} \times 0.3=0.2315T$

$\Delta B\equiv 2\times B_{AC}=\frac{2r}{r+2} \times B_{PK}=0.0926$

#1.13磁隙

最后必须考虑到材料得磁导率，L与磁导率相关方程

$L=\frac{1}{z}\ \times ( \frac{\mu \mu_{0}A_{e} }{l_{e}})\times N^2$

其中z为气隙系数

$z=\frac{l_{e}+\mu l_{g}}{l_{e}}$

注意，z可取不小于1的任何值，大气隙虽然很大好处，根据r的选择若想要保持一定的L值，不得不增加匝数。会增驾很大铜耗。对于铁氧体材料的气隙变压器，z在10~20是较好折中选择

$z=\frac{1}{L} \times (\frac{\mu \mu _{0}A_{e}}{l_{e}})\times N^2$

所以

$z=16=\frac{5.8+(2000)l_{g}}{5.8}$

$l_{g}=0.435mm$

一般来说，如果使用中心柱气隙变压器，中心柱气隙变压器，中心柱上的总气隙长度必须等于上述的计算值，而不管中心柱是否为地。但如果是在两边磁柱上插入气隙(如EE或是EI型磁心)，则两边的气隙垫片就必须为上述计算值的一半，这样才能得到所需要的总气隙长度。

##1.14导线规格与铜皮厚度选择

电感中电流波动相对较平滑，但在变压器中，绕组中电流需瞬间完全停止从而使其他绕组导通。只要安匝数能保持一定，磁心不在乎各个绕组何时通过电流，因为只有总的安匝数能决定磁心中磁场能量。但绕组本身却必须考虑这些情况，此时电流是脉冲形的，边沿陡峭且高频。正因为这些原因，反激变压器绕组选择合适的导线厚度时，就必须考虑

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CSDN-Ada助手: 恭喜您写出了第一篇博客！对于反激变换器的设计步骤进行总结，是非常有价值的。接下来，建议您可以深入探究反激变换器的设计原理，并结合实际案例进行分析，这样可以更好地帮助读者理解和应用。期待您的下一篇博客！推荐【每天值得看】：https://bbs.csdn.net/forums/csdnnews?typeId=21804&utm_source=csdn_ai_ada_blog_reply1 如果您持续创作，完成第三篇博客，并且质量分达到 80 分以上，在评论区就有机会获得红包奖励哦！

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