反激电路设计

2022-5-9 19:08:05
1、产生背景：隔离型buck_boost电路
$▶$buck_boost：
原理：开关导通时，输入电源向电感传输能量，电感储能线性增加；开关断开时，电感能量向负载传输，电感能量降低
$\ast$输出电压与输入电压倒相
特点：内部损耗较低；温漂较小；输出电压稳定度较高且输出范围较宽；较好的负载和电源调整率（负载调整率：输出电流在额定范围变化时，输出电压的变化率；电源调整率：输入电压在额定范围变化时，输出电压的比率）
$▶$原理图
$\ast$变压器：耦合电感
$\ast$优势：隔离型拓扑，安全性较高；改变占空比和变比易于实现宽范围调节功能
$\ast$劣势：输出功率低（输出功率取决于变压器原边电流峰值（相关于原边感量、开关频率、占空比）$L=U_{in}^2{T}_{on}^2{f}_s/2P_{omin}$）
$▶$工作模式：
$▹$CCM
$†i_{pri-max}=i_{pri0}+\Delta i_{+pri}(\frac{V_i}{L_{pri}}\times D{T}_s)$
$†i_{sec-min}=i_{sec0}-\Delta i_{-sec}(\frac{V_o}{L_{sec}}\times (1-D)T_s)$
$\to \frac{V_o}{V_i}=\frac{N_s}{N_p}\times \frac{D}{1-D}$
$▹$DCM：功率管ZCS，损耗低，副边二极管零电流关断无反向恢复，有利于EMC性能；峰值电流较大，原边关断损耗较大
$\frac{V_o}{V_i}=\frac{N_s}{N_p}\times \frac{D}{\sqrt{\frac{2L_s}{R{T}_s}}}$
$\surd$由于变压器在工作过程中，原边和副边不会同时均有电流通过，故不存在磁势相消，从而磁芯中磁密仅取决于绕组电流（CCM模式下磁密变化范围低于DCM模式，且磁密变化率正比与单匝电压与导通时间的积，较大磁密变化率则需要较少匝数（小尺寸磁芯））
2、应用场景
$▶2W\sim 150W$功率段
3、设计步骤
$▶$确定输入参数：$V_{in}\Vert V_{out}\Vert P_{out}\Vert k_{FR}-纹波率\Vert D_{max}\Vert f_{sw}\Vert \eta$
$▶$计算初级电感及匝比
$▶$确定电气参数（$I_{peak}\Vert V_{ds-max}\Vert V_{peak}\Vert V_c\Vert \Delta V_o\to MOSFET\Vert 整流二极管\Vert 输出电容$）
$▶$变压器设计
$▶$缓冲电路设计
4、相关参数计算
$\ast L_p=\eta \times D_{max}^2\times V_{inMax}^2/2\times f_s\times k_{FR}\times P_o$
$\ast n=V_{inMin}\times D_{max}/(1-D_{max})\times (V_o+V_D)$
$\ast MOSFET$参数
$†V_{ds-max}=V_{inMax}+\frac{D_{max}\times V_{inMin}}{(1-D_{max})}$
$†I_{peak}=\frac{P_{in}}{D_{max}\times V_{inMin}}+\frac{D_{max}\times V_{inMin}}{2\times f_s\times L_p}$
$\ast$整流二极管参数
$†V_{D-pk}=V_{out}+V_{inMax}/n$
$\ast$输出电容计算
$†V_c=\frac{1}{C}\times |I_o\times t{|}_0^{D{T}_s}\Vert \Delta V_o=\frac{D\times I_o}{f_s\times C}$
$\ast$缓冲电路
$†V_{cMax}=0.1\times V_{ds-max}+\frac{D_{max}}{1-D_{max}}\times V_{inMin}$
$†P_{RSnubber}=\frac{I_{peak}^2\times L_{leak}\times f_s}{2}\to R_{snubber}=\frac{V_{cMax}^2}{P_{RSnubber}}$
$†C_{snubber}=\frac{1}{\Delta V_c\times R_{snubber}\times f_s}$
$†V_{DSnubber}\approx 1.2\times V_{ds-max}$