STM32F103C8T6的flash读写

目录

一、原理

二、使用cubeMX创建工程

三、编译运行调试

四、总结

五、参考资料

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一、原理

STM32F1 的闪存（Flash）模块由：主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等 3 部分组成。下面我们就来介绍下这些组成部分：

①主存储器。该部分用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据）。对于大容量产品，其被划分为 256 页，每页 2K 字节。注意，小容量和中容量产品则每页只有 1K 字节。从上图可以看出主存储器的起始地址就是0X08000000， BOOT0、BOOT1 都接 GND 的时候，就是从 0X08000000 开始运行代码的。

②信息块。该部分分为 2 个小部分，其中启动程序代码，是用来存储 ST 自带的启动程序，用于串口下载代码，当 BOOT0 接 V3.3， BOOT1 接 GND 的时候，运行的就是这部分代码。用户选择字节，则一般用于配置写保护、读保护等功能，这里我们不做介绍，大家可以百度了解。

③闪存存储器接口寄存器。该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。对主存储器和信息块的写入由内嵌的闪存编程/擦除控制器(FPEC)管理；编程与擦除的高电压由内部产生。

在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。

下面我们就来看下如何对闪存进行读取、编程和擦除。

（1）闪存的读取

STM32F1 可通过内部的 I-Code 指令总线或 D-Code 数据总线访问内置闪存模块，本章我们主要讲解数据读写，即通过 D-Code 数据总线来访问内部闪存模块。为了准确读取 Flash 数据，必须根据 CPU 时钟 (HCLK) 频率和器件电源电压在 Flash 存取控制寄存器 (FLASH_ACR)中正确地设置等待周期数(LATENCY)。当电源电压低于 2.1V 时，必须关闭预取缓冲器。 Flash 等待周期与 CPU 时钟频率之间的对应关系，如图 40.1.2 所示：

等待周期通过 FLASH_ACR 寄存器的 LATENCY[2:0]三个位设置。系统复位后， CPU 时钟频率为内部 16M RC 振荡器， LATENCY 默认是 0，即 1 个等待周期。供电电压，我们一般是 3.3V，所以，在我们设置 72Mhz 频率作为 CPU 时钟之前，必须先设置 LATENCY 为 3，否则 FLASH 读写可能出错，导致死机。STM23F1 的 FLASH 读取是很简单的。例如，我们要从地址 addr，读取一个字（字节为 8 位，半字为 16 位，字为 32 位），可以使用如下方法来读取：data=*(vu32*)addr;

将 addr 强制转换为 vu32 指针，然后取该指针所指向的地址的值，即得到了 addr 地址内的值。类似的，将上面的 vu32 改为 vu16，即可读取指定地址的一个半字。相对 FLASH 读取来说，STM32F1 FLASH 的写就复杂一点了，下面我们介绍 STM32F1 闪存的编程和擦除。

（2）闪存的编程和擦除

STM32 的闪存编程是由 FPEC（闪存编程和擦除控制器）模块处理的，这个模块包含 7 个 32 位寄存器，他们分别是：

① FPEC 键寄存器(FLASH_KEYR)

② 选择字节键寄存器(FLASH_OPTKEYR)

③ 闪存控制寄存器(FLASH_CR)

④ 闪存状态寄存器(FLASH_SR)

⑤ 闪存地址寄存器(FLASH_AR)

⑥ 选择字节寄存器(FLASH_OBR)

⑦ 写保护寄存器(FLASH_WRPR)

其中