STM32F103C8T6通过内部Flash写入读取数据,模拟EEPROM(附代码)

STM32F103C8T6通过内部Flash写入读取数据,模拟EEPROM(附代码)

优点:

1. 模块化编程,方便移植,集成度高;

2. 拿来直接用

在这里插入图片描述

Flash空间定定义在这里插u入图片描述
主函数初始化已经Flash的读取与写入
在这里插入图片描述
Flash写入数据,自加
在这里插入图片描述
Flash读取数据
在这里插入图片描述
但是Flash的擦除次数有使用寿命,但是正常使用没有问题吧。
这次代码运行已经读取近1000次。
在这里插入图片描述

附代码:百度网盘链接

提取码:8888
肯定下载直接运行,使用与STM32F103C8T6单片机,如果采用C6T6单片机则需要将Flash的数据写入地址进行更换,具体地址参考数据手册中扇区的地址;

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对于STM32F103C8T6芯片来说,通过使用其内置的Flash模块,可以实现模拟EEPROM的功能。 首先,我们需要使用ST官方提供的STM32Cube软件包,该软件包包含了一些例程和配置工具,使用这个软件包可以大大简化开发过程。 在STM32Cube的工程中,可以通过使用HAL库和相关函数来实现Flash模拟EEPROM的功能。首先,需要初始化Flash模块并解锁Flash区域,然后可以使用HAL库提供的函数来读取和写入数据。 例如,可以使用函数HAL_FLASH_Unlock()来解锁Flash区域,然后使用函数HAL_FLASH_Program()来将数据编程到Flash中。编程之后,需要使用函数HAL_FLASH_Lock()来锁定Flash区域以保护数据。 在读取数据时,可以使用函数HAL_FLASH_Read()从Flash读取数据。 当需要擦除整个Flash区域时,可以使用函数HAL_FLASH_EraseAll()来擦除。 为了更好地管理数据,可以将Flash区域划分为多个扇区,并使用不同的地址空间来储不同类型的数据。可以通过在STM32CubeMX中进行相关配置来划分Flash区域。 需要注意的是,由于Flash写入次数是有限的,因此在使用Flash模拟EEPROM时需要进行合理的管理和控制,以避免频繁地写入导致Flash的寿命过早耗尽。 总结来说,通过使用STM32Cube软件包,选择合适的HAL库函数以及合理地管理和控制Flash写入次数,就可以在STM32F103C8T6芯片上实现Flash模拟EEPROM的功能。

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