数模电路基础知识 —— 7. PN结与二极管的工作原理

众所周知，我本人所学领域方向是高性能计算，工作后则转到了图形图像领域。对于微电子仅属于爱好，所以这里难免会有错误或表述不够严谨的地方。如果您恰好是相关专业人士，比如材料物理方面的大牛，发现我表述错误或不当的地方，欢迎在文章下留言，或私信指出我的错误。

1. 什么是半导体

硅作为今天使用最广泛的半导体材料，被广泛应用在电子、芯片制造、太阳能等产业。那么对于非专业人员来说，半导体又是个什么概念呢。

如果你小时候有参加过学校组织的物理实验，应该知道例如石墨、金属、含盐液体，把电极的两端接入这些介质，并且导线的另外一头接入用电器，比如小灯珠后，小灯珠会亮。而接入比如干燥木棒、橡胶棒等介质时，小灯珠不会变亮。

所以从小我们大多数人对于导电的理解，是一种绝对化的概念，即某个东西可以导电，某个东西不可以导电。尽管这样做对早期建立对物理世界的概念很有帮助，但是却对进一步深入理解物理世界的运作规律造成了障碍。

我们知道，物质的基本组成是由电子、质子和中子组成（我知道可能会有人提出夸克，但是这里对我们理解宏观物理没有帮助）。具备电性的只有质子（带正电），和电子（带负电）。在不施加电磁场之前，电子中绝大部分是围绕着原子核运动的，这点应该大家都是知道的。

只是我们知道，有些物质比如金属材料，极容易丢失外层电子，而非金属材料则相反。而物质呈现电性，就是自己本身捕捉或者丢失了电子。所以，理论上只要施加足够大的外力（比如足够强大的电磁场，就能让一切物质都具备导电特性），其中代表之一就是电浆——等离子体。

等离子体是一种把基本物质通过高温高压，使得电子核与电子具备足够的动能后，能够逃脱分子力束缚，能够破坏原有的分子结构，使所有的基本粒子具备自由移动能力的一种状态，也被物理学称为物质的 “第四态”。

所有的物质理论上都可以成为等离子体，等离子态的物质除了具备气体的基本特征外，还多了电磁特性，也就是可以导电、并具备磁场和电场，以及其他一些热力学特性。

所以严格来说，一切物质都可以导电，只是难易程度不同而已。

要理解什么是半导体，就要先建立这个基本概念。那么既然是程度问题，那么就不再只是简单的是否问题。假设我们把常见的物质，其导电特性，或者导电率按照 0 - 100 进行排列。0表示这样的物质非常难导电，100表示这样的物质非常容易导电。

那么常见材料里，已知白银是最好的导电材料，假设它的导电率是100，橡胶就是0[^1]。那么大多数我们身边常见材料，位于这张表的两端。我们就可以采用简单的二分法，将导电率 0-10 这部分的材料称为 “不导电” 材料，或者绝缘体。而 70-100 这部分材料，则可以被称为导电体，或者简称 导体。

当然有的人可能会说，你这个分类不科学，因为在不同温度下材料的导电性也会发生改变，那么就按照大多数科学家默认的常温状态，也就是的300K的温度下测量得到的结果为准。

[^1] 对于常见物质导电率感兴趣的朋友，可以搜索关键词 “thermal conductivity” 或者参考这个链接 https://www.engineeringtoolbox.com/thermal-conductivity-d_429.html

但是，科学家们却发现，有一种材料，它的导电率介于上述两者之间，它的纯净体大概处于位置30-40之间，有杂质时其导电率可以处于50-80之间，而且掺杂不同的材料，会让得到的材料具备完全不同的电气特性，比如对压力、湿度、温度的敏感，即外部条件发生变化时，自身的导电率会上升或下降，这就为半导体的大规模应用带来了可能性。

其中一种掺杂就是最广泛应用的PN结。

2. 什么是PN节（PN Sides）与半导体掺杂工艺（doping）

2.1. N型半导体的定义

我们知道 硅（Silicon, #14），最外层电子有四个，当往硅里掺入一定量的 磷（Phosphor, #15），磷和周边的硅就会形成共价键，在最外层共享9个电子。由于原子核外层电子数最多8个，所以就会多出了1个电子，而这个电子很容易变成自由电子。

我们定义，提供自由电子的一端为阴极，所以掺杂了磷的硅晶体就成为了 Negative-type Silicon，对应的中文翻译为 N型半导体。

2.2. P型半导体的定义

而掺入比如硼（Boron，#5）。硼与周边的硅原子同样构成共价键，但是只共享7个电子。由于7个电子很容易在静电力的作用下从其他地方抢夺1个电子构成含8个电子的稳定结构，所以吸引电子的的硅晶体，就称为 Positive-type Silicon，其对应的翻译就是 P型半导体。

2.3. PN结（PN-Conjunction）

当我们把P型和N型半导体结合在一起后，在不通电或施加外部电磁场的情况下，P型和N型半导体就会由于自身的静电力作用下，P型从N型半导体中吸附一部分（或全部）自由电子，并形成某种 “阻塞” 的情况。

这种阻塞会产生很大的等效阻抗，所以使得PN结具备了单向导通性，即外部电子由N型流入元器件，然后再由P型流出；或者电流由P型流入，再由N型流出。这种PN型半导体结合在一起构成基本元器件的物理结构，就称为一个 PN-Conjunction，对应中文就是PN结。

而PN接触的部分，由于静电力作用而导致自由电子从N型被吸附到了P型半导体的 电子穴（Electron Hole），被填塞的，并导致电势翻转的部分被称为耗散区（depletion region or depletion space）。

3. PN结与单向导电性

3.1. 正向偏置

说到单向导电性，我们来看看一个关于PN结最常见的应用，也就是 —— 二极管（Diode）

前面已经说过，由PN结构成的二极管，在静电力作用下，N结的自由电子会流向P结。这个流向过程完成时间极短，并且在完成之后具备单向导电性。这是因为假设我们N结（+电荷）与电源正极连接，由于外层已经是8个电子的稳定态，所以不会有电子从这个结构中逃逸，跑到电源的正极；二极管的P级如果与电源的负极连接，由于P级已经是稳定的8电子结构，所以不会吸收新的电子，所以也不会发生电子的移动。

但是反过来就不一样了，当N级与电源负极相连，P级与电源正极相连。P级的电荷会由于电源正极处于较高的电势位，自由电子丢失并流向电源；而N级的则会从电源的负极补充电子，于是回路形成，电路导通。

在电路上元器件按照正常的电路连接方式连接起来，导通后形成的电流称为正向偏置电流。

3.1. 反向偏置与热击穿、齐纳击穿

尽管逻辑上，PN结的这种结构理论上不应该出现反向电流的问题，也就是把二极管与电源反接依然能导通的情况。但是奈何现实世界永远有大力出奇迹这种说法。

但是正如我之前提到过，如果施加足够大的外力，可以改变很多物质的电气特性。如果我们在相反的方向施加足够大的电压，也能改变PN半导体的导电方向。

但对于PN结为主的二极管来说，它反向具备极高的阻抗，所以当我们试图也让它反向导通时，也就意味我们需要施加足够的电压，或者增加外部环境温度（大多数的材料会在高温其阻抗变低）。也就是在热力学影响下，构成外层的电子会因为热量获得更大动能从而逃脱静电力的束缚，变成自由电子。

这时，大多数器件在反接的时候也能构成回路，形成的电流称为 反向偏置电流。但是根据热力学相关定理可以知道这样会导致半导体元器件的损坏，也就是内热过高出现烧毁的情况（即热击穿，或又称为雪崩击穿）。

所以，一些物理学家换了其他工艺，设计出了在一定电压后可以像水闸一样释放电子的 齐纳二极管，此时的击穿一般是短暂击穿（即齐纳击穿），并不会破坏二极管的物理结构。但是要知道，这样的二极管如果超过了一定的限度，依然还是会损毁掉。