数模电路基础知识 —— 7. PN结与二极管的工作原理

众所周知,我本人所学领域方向是高性能计算,工作后则转到了图形图像领域。对于微电子仅属于爱好,所以这里难免会有错误或表述不够严谨的地方。如果您恰好是相关专业人士,比如材料物理方面的大牛,发现我表述错误或不当的地方,欢迎在文章下留言,或私信指出我的错误。

1. 什么是半导体

硅作为今天使用最广泛的半导体材料,被广泛应用在电子、芯片制造、太阳能等产业。那么对于非专业人员来说,半导体又是个什么概念呢。

如果你小时候有参加过学校组织的物理实验,应该知道例如石墨、金属、含盐液体,把电极的两端接入这些介质,并且导线的另外一头接入用电器,比如小灯珠后,小灯珠会亮。而接入比如干燥木棒、橡胶棒等介质时,小灯珠不会变亮。

所以从小我们大多数人对于导电的理解,是一种绝对化的概念,即某个东西可以导电,某个东西不可以导电。尽管这样做对早期建立对物理世界的概念很有帮助,但是却对进一步深入理解物理世界的运作规律造成了障碍。

我们知道,物质的基本组成是由电子、质子和中子组成(我知道可能会有人提出夸克,但是这里对我们理解宏观物理没有帮助)。具备电性的只有质子(带正电),和电子(带负电)。在不施加电磁场之前,电子中绝大部分是围绕着原子核运动的,这点应该大家都是知道的。

只是我们知道,有些物质比如金属材料,极容易丢失外层电子,而非金属材料则相反。而物质呈现电性,就是自己本身捕捉或者丢失了电子。所以,理论上只要施加足够大的外力(比如足够强大的电磁场,就能让一切物质都具备导电特性),其中代表之一就是电浆——等离子体。

等离子体是一种把基本物质通过高温高压,使得电子核与电子具备足够的动能后,能够逃脱分子力束缚,能够破坏原有的分子结构,使所有的基本粒子具备自由移动能力的一种状态,也被物理学称为物质的 “第四态”。

在这里插入图片描述
所有的物质理论上都可以成为等离子体,等离子态的物质除了具备气体的基本特征外,还多了电磁特性,也就是可以导电、并具备磁场和电场,以及其他一些热力学特性。

所以严格来说,一切物质都可以导电,只是难易程度不同而已。

要理解什么是半导体,就要先建立这个基本概念。那么既然是程度问题,那么就不再只是简单的是否问题。假设我们把常见的物质,其导电特性,或者导电率按照 0 - 100 进行排列。0表示这样的物质非常难导电,100表示这样的物质非常容易导电。

那么常见材料里,已知白银是最好的导电材料,假设它的导电率是100,橡胶就是0[^1]。那么大多数我们身边常见材料,位于这张表的两端。我们就可以采用简单的二分法,将导电率 0-10 这部分的材料称为 “不导电” 材料,或者绝缘体。而 70-100 这部分材料,则可以被称为导电体,或者简称 导体

当然有的人可能会说,你这个分类不科学,因为在不同温度下材料的导电性也会发生改变,那么就按照大多数科学家默认的常温状态,也就是的300K的温度下测量得到的结果为准。

[^1] 对于常见物质导电率感兴趣的朋友,可以搜索关键词 “thermal conductivity” 或者参考这个链接 https://www.engineeringtoolbox.com/thermal-conductivity-d_429.html

但是,科学家们却发现,有一种材料,它的导电率介于上述两者之间,它的纯净体大概处于位置30-40之间,有杂质时其导电率可以处于50-80之间,而且掺杂不同的材料,会让得到的材料具备完全不同的电气特性,比如对压力、湿度、温度的敏感,即外部条件发生变化时,自身的导电率会上升或下降,这就为半导体的大规模应用带来了可能性。

其中一种掺杂就是最广泛应用的PN结。

2. 什么是PN节(PN Sides)与半导体掺杂工艺(doping)

2.1. N型半导体的定义

我们知道 硅(Silicon, #14),最外层电子有四个,当往硅里掺入一定量的 磷(Phosphor, #15),磷和周边的硅就会形成共价键,在最外层共享9个电子。由于原子核外层电子数最多8个,所以就会多出了1个电子,而这个电子很容易变成自由电子。

在这里插入图片描述
我们定义,提供自由电子的一端为阴极,所以掺杂了磷的硅晶体就成为了 Negative-type Silicon,对应的中文翻译为 N型半导体

2.2. P型半导体的定义

而掺入比如硼(Boron,#5)。硼与周边的硅原子同样构成共价键,但是只共享7个电子。由于7个电子很容易在静电力的作用下从其他地方抢夺1个电子构成含8个电子的稳定结构,所以吸引电子的的硅晶体,就称为 Positive-type Silicon,其对应的翻译就是 P型半导体

在这里插入图片描述

2.3. PN结(PN-Conjunction)

当我们把P型和N型半导体结合在一起后,在不通电或施加外部电磁场的情况下,P型和N型半导体就会由于自身的静电力作用下,P型从N型半导体中吸附一部分(或全部)自由电子,并形成某种 “阻塞” 的情况。

在这里插入图片描述
这种阻塞会产生很大的等效阻抗,所以使得PN结具备了单向导通性,即外部电子由N型流入元器件,然后再由P型流出;或者电流由P型流入,再由N型流出。这种PN型半导体结合在一起构成基本元器件的物理结构,就称为一个 PN-Conjunction,对应中文就是PN结。

而PN接触的部分,由于静电力作用而导致自由电子从N型被吸附到了P型半导体的 电子穴(Electron Hole),被填塞的,并导致电势翻转的部分被称为耗散区(depletion region or depletion space)。

3. PN结与单向导电性

3.1. 正向偏置

说到单向导电性,我们来看看一个关于PN结最常见的应用,也就是 —— 二极管(Diode)

在这里插入图片描述
前面已经说过,由PN结构成的二极管,在静电力作用下,N结的自由电子会流向P结。这个流向过程完成时间极短,并且在完成之后具备单向导电性。这是因为假设我们N结(+电荷)与电源正极连接,由于外层已经是8个电子的稳定态,所以不会有电子从这个结构中逃逸,跑到电源的正极;二极管的P级如果与电源的负极连接,由于P级已经是稳定的8电子结构,所以不会吸收新的电子,所以也不会发生电子的移动。

但是反过来就不一样了,当N级与电源负极相连,P级与电源正极相连。P级的电荷会由于电源正极处于较高的电势位,自由电子丢失并流向电源;而N级的则会从电源的负极补充电子,于是回路形成,电路导通。

在这里插入图片描述
在电路上元器件按照正常的电路连接方式连接起来,导通后形成的电流称为正向偏置电流

3.1. 反向偏置与热击穿、齐纳击穿

尽管逻辑上,PN结的这种结构理论上不应该出现反向电流的问题,也就是把二极管与电源反接依然能导通的情况。但是奈何现实世界永远有大力出奇迹这种说法。

但是正如我之前提到过,如果施加足够大的外力,可以改变很多物质的电气特性。如果我们在相反的方向施加足够大的电压,也能改变PN半导体的导电方向。

但对于PN结为主的二极管来说,它反向具备极高的阻抗,所以当我们试图也让它反向导通时,也就意味我们需要施加足够的电压,或者增加外部环境温度(大多数的材料会在高温其阻抗变低)。也就是在热力学影响下,构成外层的电子会因为热量获得更大动能从而逃脱静电力的束缚,变成自由电子。

这时,大多数器件在反接的时候也能构成回路,形成的电流称为 反向偏置电流。但是根据热力学相关定理可以知道这样会导致半导体元器件的损坏,也就是内热过高出现烧毁的情况(即热击穿,或又称为雪崩击穿)。

所以,一些物理学家换了其他工艺,设计出了在一定电压后可以像水闸一样释放电子的 齐纳二极管,此时的击穿一般是短暂击穿(即齐纳击穿),并不会破坏二极管的物理结构。但是要知道,这样的二极管如果超过了一定的限度,依然还是会损毁掉。

  • 0
    点赞
  • 13
    收藏
    觉得还不错? 一键收藏
  • 1
    评论

“相关推荐”对你有帮助么?

  • 非常没帮助
  • 没帮助
  • 一般
  • 有帮助
  • 非常有帮助
提交
评论 1
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值