1、PN结的形成
在一块本征半导体(不含杂志且无晶格缺陷的纯净半导体)的两侧通过扩散不同的杂志,分别形成N型半导体、P型半导体。N型、P型半导体的结合面处的物理过程形成如下:
根据上图可以了解到:
P型区(Positive,正向的,积极的)的空穴多,N型区(negative,负向的,消极的)的自由电子多,N型半导体和P型半导体分开状态下是呈现电中性的,当他们结合在一起时,交界处的空穴和自由电子在浓度差的作用下进行扩散运动,即由浓度高的地方向浓度地的地方移动,如下图动画演示多子(自由电子和空穴)的扩散过程:
P区的空穴(由P区N区),N区的自由电子(由N区P区)扩散到对方的N区和P区的交界处附近被相互中和掉(此时可以把空穴看做一间房,自由电子看做人,一间房子住一个人),使P区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子,N区一侧因失去电子而留下不能移动的正离子。这样在两种半导体交界处逐渐形成由正、负离子组成的空间电荷区(耗尽层)。由于P区一侧带负电,N区一侧带正电,所以出现了方向由N区指向P区的内电场。内电场阻止后续电子的扩散运动(P区杂质离子带负电,排斥自由电子,电子和空穴的结合会越来越慢,最后达到平衡)
2、二极管的单向导电性
正向导通状态:外加正向电压(相对原来P区、N区带电极性来说的),电场方向由正到负,与内建电场相反,削弱了内建电场,所以二极管容易导通。绿色箭头表示电子流动方向,与电流定义的方向相反
反向不导通状态:
外加反向电压,电场方向与内建电场相同,增强了内建电场,所以二极管不容易导通。如图5所示。当然,不导通也不是绝对的,一般会有很小的漏电流。随着反向电压如果继续增大,可能造成二极管击穿而急剧漏电。