STM32作业实现(六)闪存保存数据

目录

STM32作业设计
STM32作业实现(一)串口通信
STM32作业实现(二)串口控制led
STM32作业实现(三)串口控制有源蜂鸣器
STM32作业实现(四)光敏传感器
STM32作业实现(五)温湿度传感器dht11
STM32作业实现(六)闪存保存数据
STM32作业实现(七)OLED显示数据
STM32作业实现(八)触摸按键TPAD
STM32作业实现(九)驱动舵机
源码位置

打开w25q128所需引脚(SPI)

在这里插入图片描述

原理图
在这里插入图片描述

建议对照文档说明查看代码 W25Q128芯片文档 或者 到本章最后查看参考文章

选择SPI模式

CPOL:规定了SCK时钟信号空闲状态的电平(0-低电平,1-高电平)
CPHA:规定了数据是在SCK时钟的上升沿还是下降沿被采样(0-第一个时钟边沿开始采样,1-第二个时钟边沿开始采样)

  • 模式0:CPOL=0,CPHA =0 SCK空闲为低电平,数据在SCK的上升沿被采样(提取数据)
  • 模式1:CPOL=0,CPHA =1 SCK空闲为低电平,数据在SCK的下降沿被采样(提取数据)
  • 模式2:CPOL=1,CPHA =0 SCK空闲为高电平,数据在SCK的下降沿被采样(提取数据)
  • 模式3:CPOL=1,CPHA =1 SCK空闲为高电平,数据在SCK的上升沿被采样(提取数据)

本项目选用的模式3

在这里插入图片描述
注意:我这里使用片选引脚软件模拟方式
打开片选引脚
在这里插入图片描述
使用tim2用于w25q1238计时(微秒级)
在这里插入图片描述
编写w25q128驱动文件
w25q128.h

#ifndef __W25Q128_H__
#define __W25Q128_H__

#include "main.h"
#include "gpio.h"
#include "tim.h"
#include "spi.h"

extern uint8_t W25QXX_BUFFER[4096];

//w25q128读写指令表
#define W25X_WriteEnable       0x06
#define W25X_WriteDisable      0x04
#define W25X_ReadStatusReg     0x05
#define W25X_WriteStatusReg    0x01
#define W25X_ReadData          0x03
#define W25X_FastReadData      0x0B
#define W25X_FastReadDual      0x3B
#define W25X_PageProgram       0x02
#define W25X_BlockErase        0xD8
#define W25X_SectorErase       0x20
#define W25X_ChipErase         0xC7
#define W25X_PowerDown         0xB9
#define W25X_ReleasePowerDown  0xAB
#define W25X_ManufactDeviceID  0x90
#define W25X_JedecDeviceID     0x9F

#define W25_CS_L  HAL_GPIO_WritePin(GPIOB, GPIO_PIN_12, GPIO_PIN_RESET) // 拉低片选引脚电平
#define W25_CS_H  HAL_GPIO_WritePin(GPIOB, GPIO_PIN_12, GPIO_PIN_SET) // 拉高片选引脚电平

uint16_t  W25QXX_ReadID(void);//读取FLASH ID
 
void W25QXX_Read(uint8_t* pBuffer,uint32_t ReadAddr,uint16_t NumByteToRead);//读取flash
void W25QXX_Write(uint8_t* pBuffer,uint32_t WriteAddr,uint16_t NumByteToWrite);//写入flash
 
void W25QXX_Erase_Chip(void);  //整片擦除
void W25QXX_Erase_Sector(uint32_t Dst_Addr);//扇区擦除
 
void W25QXX_PowerDown(void);//进入掉电模式
void W25QXX_WAKEUP(void);//唤醒

#endif

w25q128.c

#include "w25q128.h"

// 微秒级延时函数(向下计数) 
void Delay_Us(uint16_t us)
{
  uint16_t dif = 10000; // 比较值
  uint16_t us_con = 10000 - us; // 目标值
  htim2.Instance->CNT = 10000; // 设置计数值为10000
  HAL_TIM_Base_Start(&htim2); // 开启定时器开始计数
  while (dif > us_con) // 如果比较值 小于 目标值 停止计数
  {
    dif = __HAL_TIM_GET_COUNTER(&htim2); // tim2的counter mode选择的是down递减模式
  }
  HAL_TIM_Base_Stop(&htim2); // 关闭计数定时器
}

/***********************************
封装读写操作
SPI 读写一个字节
TxData:要写入的字节
返回值:读取到的字节
*************************************/
uint8_t SPI2_ReadWriteByte(uint8_t TxData)
{
  uint8_t Rxdata;
  HAL_SPI_TransmitReceive(&hspi2, &TxData, &Rxdata, 1, 1000);
  return Rxdata;
}
/*********************************************************************      :
BIT:   7    6    5    4    3    2    1    0
       SPR  RV   TB   BP2  BP1  BP0  WEL  BUSY
SPR:默认0,状态寄存器保护位,配合WP使用
TB,BP2,BP1,BP0:FLASH区域写保护设置
WEL:写使能锁定
BUSY:忙标记位(1,忙;0,空闲)
默认:0x00
**********************************************************************/
uint8_t W25QXX_ReadSR(void)
{
  uint8_t byte = 0;
  W25_CS_L;                               // 使能器件
  SPI2_ReadWriteByte(W25X_ReadStatusReg); // 发送读取状态寄存器命令
  byte = SPI2_ReadWriteByte(0xff);        // 读取一个字节
  W25_CS_H;                               // 取消片选
  return byte;
}

// 写SPI_FLASH状态寄存器
// 只有SPR,TB,BP2,BP1,BP0(bit 7,5,4,3,2)可以写!!!
void W25QXX_Write_SR(uint8_t sr)
{
  W25_CS_L;                                // 使能器件
  SPI2_ReadWriteByte(W25X_WriteStatusReg); // 发送写取状态寄存器命令
  SPI2_ReadWriteByte(sr);                  // 写入一个字节
  W25_CS_H;                                // 取消片选
}

// 等待空闲
void W25QXX_Wait_Busy(void)
{
  while ((W25QXX_ReadSR() & 0x01) == 0x01)
    ; // 等待BUSY位清空
}

// SPI_FLASH写使能
// 将WEL置位
void W25QXX_Write_Enable(void)
{
  W25_CS_L;                             // 使能器件
  SPI2_ReadWriteByte(W25X_WriteEnable); // 发送写使能
  W25_CS_H;                             // 取消片选
}

// SPI_FLASH写禁止
// 将WEL清零
void W25QXX_Write_Disable(void)
{
  W25_CS_L;                              // 使能器件
  SPI2_ReadWriteByte(W25X_WriteDisable); // 发送写禁止指令
  W25_CS_H;                              // 取消片选
}

// 读取芯片ID W25X16的ID:0XEF14
uint16_t W25QXX_ReadID(void)
{
  uint16_t Temp = 0;
  W25_CS_L;                                  // 使能器件
  SPI2_ReadWriteByte(W25X_ManufactDeviceID); // 发送读取ID命令
  SPI2_ReadWriteByte(0x00);
  SPI2_ReadWriteByte(0x00);
  SPI2_ReadWriteByte(0x00);
  Temp |= SPI2_ReadWriteByte(0xFF) << 8;
  Temp |= SPI2_ReadWriteByte(0xFF);
  W25_CS_H; // 取消片选
  return Temp;
}

// 读取SPI FLASH
// 在指定地址开始读取指定长度的数据
// pBuffer:数据存储区
// ReadAddr:开始读取的地址(24bit)
// NumByteToRead:要读取的字节数(最大65535)
void W25QXX_Read(uint8_t *pBuffer, uint32_t ReadAddr, uint16_t NumByteToRead)
{
  uint16_t i;
  W25_CS_L;                                        // 使能器件
  SPI2_ReadWriteByte(W25X_ReadData);               // 发送读取命令
  SPI2_ReadWriteByte((uint8_t)((ReadAddr) >> 16)); // 发送24bit地址
  SPI2_ReadWriteByte((uint8_t)((ReadAddr) >> 8));
  SPI2_ReadWriteByte((uint8_t)ReadAddr);
  for (i = 0; i < NumByteToRead; i++)
  {
    pBuffer[i] = SPI2_ReadWriteByte(0XFF); // 循环读数
  }
  W25_CS_H; // 取消片选
}

// SPI在一页(0~65535)内写入少于256个字节的数据
// 在指定地址开始写入最大256字节的数据
// pBuffer:数据存储区
// WriteAddr:开始写入的地址(24bit)
// NumByteToWrite:要写入的字节数(最大256),该数不应该超过该页的剩余字节数!!!
void W25QXX_Write_Page(uint8_t *pBuffer, uint32_t WriteAddr, uint16_t NumByteToWrite)
{
  uint16_t i;
  W25QXX_Write_Enable();                            // SET WEL
  W25_CS_L;                                         // 使能器件
  SPI2_ReadWriteByte(W25X_PageProgram);             // 发送写页命令
  SPI2_ReadWriteByte((uint8_t)((WriteAddr) >> 16)); // 发送24bit地址
  SPI2_ReadWriteByte((uint8_t)((WriteAddr) >> 8));
  SPI2_ReadWriteByte((uint8_t)WriteAddr);
  for (i = 0; i < NumByteToWrite; i++)
    SPI2_ReadWriteByte(pBuffer[i]); // 循环写数
  W25_CS_H;                         // 取消片选
  W25QXX_Wait_Busy();               // 等待写入结束
}

// 无检验写SPI FLASH
// 必须确保所写的地址范围内的数据全部为0XFF,否则在非0XFF处写入的数据将失败!
// 具有自动换页功能
// 在指定地址开始写入指定长度的数据,但是要确保地址不越界!
// pBuffer:数据存储区
// WriteAddr:开始写入的地址(24bit)
// NumByteToWrite:要写入的字节数(最大65535)
// CHECK OK
void W25QXX_Write_NoCheck(uint8_t *pBuffer, uint32_t WriteAddr, uint16_t NumByteToWrite)
{
  uint16_t pageremain;
  pageremain = 256 - WriteAddr % 256; // 单页剩余的字节数
  if (NumByteToWrite <= pageremain)
    pageremain = NumByteToWrite; // 不大于256个字节
  while (1)
  {
    W25QXX_Write_Page(pBuffer, WriteAddr, pageremain);
    if (NumByteToWrite == pageremain)
      break; // 写入结束了
    else     // NumByteToWrite>pageremain
    {
      pBuffer += pageremain;
      WriteAddr += pageremain;

      NumByteToWrite -= pageremain; // 减去已经写入了的字节数
      if (NumByteToWrite > 256)
        pageremain = 256; // 一次可以写入256个字节
      else
        pageremain = NumByteToWrite; // 不够256个字节了
    }
  };
}

// 写SPI FLASH
// 在指定地址开始写入指定长度的数据
// 该函数带擦除操作!
// pBuffer:数据存储区
// WriteAddr:开始写入的地址(24bit)
// NumByteToWrite:要写入的字节数(最大65535)
uint8_t W25QXX_BUFFER[4096];
void W25QXX_Write(uint8_t *pBuffer, uint32_t WriteAddr, uint16_t NumByteToWrite)
{
  uint32_t secpos;
  uint16_t secoff;
  uint16_t secremain;
  uint16_t i;

  secpos = WriteAddr / 4096; // 扇区地址 0~511 for w25x16
  secoff = WriteAddr % 4096; // 在扇区内的偏移
  secremain = 4096 - secoff; // 扇区剩余空间大小

  if (NumByteToWrite <= secremain)
    secremain = NumByteToWrite; // 不大于4096个字节
  while (1)
  {
    W25QXX_Read(W25QXX_BUFFER, secpos * 4096, 4096); // 读出整个扇区的内容
    for (i = 0; i < secremain; i++)                  // 校验数据
    {
      if (W25QXX_BUFFER[secoff + i] != 0XFF)
        break; // 需要擦除
    }
    if (i < secremain) // 需要擦除
    {
      W25QXX_Erase_Sector(secpos);    // 擦除这个扇区
      for (i = 0; i < secremain; i++) // 复制
      {
        W25QXX_BUFFER[i + secoff] = pBuffer[i];
      }
      W25QXX_Write_NoCheck(W25QXX_BUFFER, secpos * 4096, 4096); // 写入整个扇区
    }
    else
      W25QXX_Write_NoCheck(pBuffer, WriteAddr, secremain); // 写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.
    if (NumByteToWrite == secremain)
      break; // 写入结束了
    else     // 写入未结束
    {
      secpos++;   // 扇区地址增1
      secoff = 0; // 偏移位置为0

      pBuffer += secremain;        // 指针偏移
      WriteAddr += secremain;      // 写地址偏移
      NumByteToWrite -= secremain; // 字节数递减
      if (NumByteToWrite > 4096)
        secremain = 4096; // 下一个扇区还是写不完
      else
        secremain = NumByteToWrite; // 下一个扇区可以写完了
    }
  };
}

// 擦除整个芯片
// 整片擦除时间:
// W25X16:25s
// W25X32:40s
// W25X64:40s
// 等待时间超长...
void W25QXX_Erase_Chip(void)
{
  W25QXX_Write_Enable(); // SET WEL
  W25QXX_Wait_Busy();
  W25_CS_L;                           // 使能器件
  SPI2_ReadWriteByte(W25X_ChipErase); // 发送片擦除命令
  W25_CS_H;                           // 取消片选
  W25QXX_Wait_Busy();                 // 等待芯片擦除结束
}

// 擦除一个扇区
// Dst_Addr:扇区地址 0~511 for w25x16
// 擦除一个扇区的最少时间:150ms
void W25QXX_Erase_Sector(uint32_t Dst_Addr)
{
  Dst_Addr *= 4096;
  W25QXX_Write_Enable(); // SET WEL
  W25QXX_Wait_Busy();
  W25_CS_L;                                        // 使能器件
  SPI2_ReadWriteByte(W25X_SectorErase);            // 发送扇区擦除指令
  SPI2_ReadWriteByte((uint8_t)((Dst_Addr) >> 16)); // 发送24bit地址
  SPI2_ReadWriteByte((uint8_t)((Dst_Addr) >> 8));
  SPI2_ReadWriteByte((uint8_t)Dst_Addr);
  W25_CS_H;           // 取消片选
  W25QXX_Wait_Busy(); // 等待擦除完成
}

// 进入掉电模式
void W25QXX_PowerDown(void)
{
  W25_CS_L;                           // 使能器件
  SPI2_ReadWriteByte(W25X_PowerDown); // 发送掉电命令
  W25_CS_H;                           // 取消片选
  Delay_Us(3);                        // 等待TPD
}

// 唤醒
void W25QXX_WAKEUP(void)
{
  W25_CS_L;                                  // 使能器件
  SPI2_ReadWriteByte(W25X_ReleasePowerDown); // send W25X_PowerDown command 0xAB
  W25_CS_H;                                  // 取消片选
  Delay_Us(3);                               // 等待TPD
}

参考文章:
STM32F030 HAL库硬件SPI操作W25Q16存储芯片(一)
STM32F030 HAL库硬件SPI操作W25Q16存储芯片(二)

  • 4
    点赞
  • 9
    收藏
    觉得还不错? 一键收藏
  • 1
    评论
STM32是一种基于ARM Cortex-M内核的微控制器系列,可以通过多种方式实现掉线时保存数据的功能。 一种常见的方法是使用内部闪存进行数据存储。STM32微控制器通常具有一定量的内部闪存,可以用来存储数据。通过将需要保存数据存储在闪存的特定地址中,可以在掉线时保留数据。掉线后,重新上电时可以读取存储在闪存中的数据,并恢复应用程序的状态。 另一种方法是使用外部非易失性存储器,如EEPROM或Flash芯片。这些存储器可以在掉线时保存数据,而且相对于内部闪存来说,通常具有更大的存储容量。存储数据时,可以使用STM32提供的特定接口(如SPI或I2C)来与外部存储器进行通信。这使得可以更方便地读写数据。 此外,STM32还可以利用备份寄存器来实现数据的掉线保存。备份寄存器是一些专门用来存储数据的寄存器,它们具有非易失性的特点,即使在掉电情况下也能保持数据的稳定。通过将需要保存数据复制到备份寄存器,可以在掉线后恢复现场时读取数据。 需要注意的是,在实现掉线保存数据时,我们还应该考虑数据的有效性和完整性。例如,可以通过添加校验位或采用特定的数据结构,在保存数据时检查数据的完整性以及在恢复数据时进行数据校验。 总之,STM32可以通过使用内部闪存、外部非易失性存储器或备份寄存器等方式来实现掉线保存数据的功能。根据具体的应用需求和存储需求,可以选择适合的方法来实现数据的掉线保存

“相关推荐”对你有帮助么?

  • 非常没帮助
  • 没帮助
  • 一般
  • 有帮助
  • 非常有帮助
提交
评论 1
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值