GD32450i-EVAL学习笔记 12 - EXMC&NandFlash

最新推荐文章于 2024-09-07 17:37:09 发布

pq113_6

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分类专栏： MCU编程 GD32F4xx

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NandFlash也是连接到EXMC上，EXMC中对应NandFlash的空间地址：

对于NAND FLASH，通用和属性空间又可以细划分为3个区域

指令区：指定NAND FLASH将要执行的指令，软件在命令区写入指令。在指令传输过程中，
EXMC会使能命令锁存信号（CLE），CLE映射到EXMC_A[16]。
地址区：指定操作NAND FLASH的地址，软件在地址区写入地址。在地址传输过程中，EXMC
会使能地址锁存信号（ALE），ALE映射到EXMC_A[17]。
数据区：NAND FLASH读写数据，软件在数据区读出或写入数据。当EXMC在数据发送模式，
软件需要在数据区写入数据，当EXMC在数据接收模式，软件需要在数据区读取数据。由于
NAND FLASH会自动累加其内部操作地址，故在读写时不需要软件修改操作地址。

#define EXMC_NAND_COMMON_DAT(x)             (uint8_t *)(0x70000000 + 0x10000000 * x)    //64KB
#define EXMC_NAND_COMMON_CMD(x)             (uint8_t *)(0x70010000 + 0x10000000 * x)    //64KB
#define EXMC_NAND_COMMON_ADDR(x)            (uint8_t *)(0x70020000 + 0x10000000 * x)    //128KB

1 硬件接法

开发板上的NandFlash信号是GD9FU1G8F2AMG

用到的IO口如下：

EXMC_D0-D7接Nand Flash的地址和数据总线

EXMC_A16-A17接CL和AL（SDRAM用了A0-A15），也正好对应了内部指令区域和地址区域的地址。

/* A16 = CLE high command area */
#define EXMC_CMD_AREA              (uint32_t)(1<<16)
/* A17 = ALE high address area */
#define EXMC_ADDR_AREA             (uint32_t)(1<<17)
/* data area */
#define EXMC_DATA_AREA             ((uint32_t)0x00000000)

而选择EXMC_NCE1意味着EXMC用的是Bank1.

注意：NandFlash对用的EXMC的IO口都没有复用。EXMC_NCE1对应Bank1，而EXMC_NCE2（GPIOG9）对应Bank2。

2 IO初始化

和SDRAM一样，所有的IO都配置为AF12

//GPIOD: Pin0-1, Pin4-7, Pin11-12, Pin14-15
//GPIOE: Pin7, Pin8-10

3 EXMC初始化

3.1 RCU时钟使能

RCU_AHB3EN |= 0x01;

AHB的最大时钟为200MHz。

3.2 控制器寄存器(EXMC_NPCTLx) (x=1, 2）

控制器寄存器有3个，不过NandFlash对应的是1和2。

3.2.1 NDTP（外部存储器的类型）

3.2.2 NDWTEN（NWAIT信号使能位）

使能这个位后，EXMC会通过EXMC_NWAIT脚等待NandFlash Ready。一般是使能的。

3.2.3 NDW[1:0]（外部存储器数据宽度）

3.2.4 ECCEN（ECC使能）

3.2.5 CTR[3:0]（CLE至RE的延迟）

对应NandFlash Datasheet中的Tclr

最小10ns，即1个HCLK。

3.2.6 ATR[3:0]（ALE至RE的延迟）

最小10ns，即1个HCLK。

3.2.7 ECCSZ[2:0]（ECC块大小）

对应Nand Flash Datasheet的Page大小

所以这里要取值0b011。

3.3 通用空间时序寄存器 (NPCTCFGx) (x=1, 2)

和控制器寄存器一样，NandFlash对应x=1,2。通用空间的时序应该是对所有指令的时序都有效。

3.3.1 COMSET[7:0]（建立时间）

EXMC写入命令和地址后，Nand Flash需要一定的时间才能反馈命令和地址的内容。

3.3.2 COMWAIT[7:0]（等待时间）

等待时间应该表示的是EXMC等待NandFlash的时间，似乎可以理解为当EXMC打算从NandFlash中读数据，然后等待NandFlash将数据准备好的时间，所以这里会有写加上NWAIT时钟周期。而下面的保持时间应该是EXMC输出时参考的时序。

3.3.3 COMHLD[7:0]（保持时间）

3.3.4 COMHIZ[7:0]（高阻时间）

3.4 属性空间时序寄存器 (EXMC_NPATCFGx) (x=1, 2)

各个位的含义与通用空间时序寄存器相同，针对的是写入属性空间的命令与数据。

4. 读Nand Flash的ID

命令为0x90，地址为0x00，返回5个字节的ID，具体意义：

而GD9FU1G8F2AMG的ID为：

读取ID的代码如下：

void nandReadID(uint8_t port, nandID_t *pstNandID)
{
    if(port >= HW_NAND_MAX)
        return;
    
    *EXMC_NAND_COMMON_CMD(port) = NAND_CMD_READID;
    *EXMC_NAND_COMMON_ADDR(port) = 0x00;
    pstNandID->maker = *EXMC_NAND_COMMON_DAT(port);
    pstNandID->device = ((uint32_t)(*((uint8_t *)(EXMC_NAND_COMMON_DAT(port) + 1))) << 24);
    pstNandID->device |= ((uint32_t)(*((uint8_t *)(EXMC_NAND_COMMON_DAT(port) + 2))) << 16);
    pstNandID->device |= ((uint32_t)(*((uint8_t *)(EXMC_NAND_COMMON_DAT(port) + 3))) << 8);
    pstNandID->device |= ((uint32_t)(*((uint8_t *)(EXMC_NAND_COMMON_DAT(port) + 4))) << 0);
}

打印结果：

NandFlash Maker ID:c8
NandFlash Device ID:f1801d42

5 等待Nand空闲

通过命令Read Status(0x70)读回NandFlash的空闲状态，然后判断I/O 6是否为空闲，当I/O 6为1时表示Nand Flash空闲。

void nandWaitFree(uint8_t port)
{
    uint8_t value;
    uint16_t timeOut = 30000;
    do
    {
        *(uint8_t *)EXMC_NAND_COMMON_CMD(port) = NAND_CMD_STATUS;
        value = *(uint8_t *)EXMC_NAND_COMMON_DAT(port);
        if((value & (1 << 6)) > 0)
            break;
    }while(--timeOut > 0);
}

6 块擦除

Nand Flash的擦除单元为Block，一个Block大小为n个Page，GD9FU1G8F2AMG的Datasheet上有对应的说明

即GD9FU1G8F2AMG的Page大小为2048，而Block大小为128K，64个Page。

写入ADDR的地址需要左移6位，可以参考下面的图片，对于Block来说，不需要Column Address, 只需要Block + Page Address地址（即下图中4字节地址只需要后面2个字节地址），Block指定哪个Block，Page Address选择Block内的哪个Page，所以需要左移6位。

[NAND] <wbr>NAND <wbr>Flash的基本操作——读、写、擦除

uint8_t nandBlockErase(uint8_t port, uint16_t blocknum)
{
    uint8_t status;
    blocknum <<= stNandflash.blockAddrBits;
    EXMCNAND_INFO(Printf("Erase Block:%x\n", blocknum));
    *(uint8_t *)EXMC_NAND_COMMON_CMD(port) = NAND_CMD_ERASE_1ST;
    *(uint8_t *)EXMC_NAND_COMMON_ADDR(port) = (uint8_t)(blocknum & 0xFF);
    *(uint8_t *)(EXMC_NAND_COMMON_ADDR(port) + 1) = (uint8_t)((blocknum >> 8)& 0xFF);
    *(uint8_t *)EXMC_NAND_COMMON_CMD(port) = NAND_CMD_ERASE_2ND;
    nandWaitFree(port);
    *(uint8_t *)EXMC_NAND_COMMON_CMD(port) = NAND_CMD_STATUS;
    status = (*(uint8_t *)EXMC_NAND_COMMON_DAT(port));
    EXMCNAND_INFO(Printf("Erase Block Status:%x\n", status));
    return (*(uint8_t *)EXMC_NAND_COMMON_DAT(port)) & 0x01; //0: Pass, 1: Fail
}

注意这里写地址时第二个字节写入位置和官方例程不同，原因是用MDK编译的没问题，但是如果用GCC编译的发现有问题，但是如果在2个写地址中间加打印又能恢复正常，估计GCC编译的速度更快导致时序有问题。

7 页编程

NandFlash也是以页为单位写入，并且要求必须先擦除为0xFF。不过页编程是可以允许页内任意位置和大小的编程。

uint8_t nandPageProgram(uint8_t port, uint32_t colAddr, uint32_t rowAddr, uint8_t* buf, uint16_t len)
{
    uint16_t i;
    *(uint8_t *)EXMC_NAND_COMMON_CMD(port) = NAND_CMD_WRITE_1ST;
    *(uint8_t *)EXMC_NAND_COMMON_ADDR(port) = (uint8_t)(colAddr & 0xFF);
    *(uint8_t *)(EXMC_NAND_COMMON_ADDR(port) + 1) = (uint8_t)((colAddr >> 8) & 0xFF);
    *(uint8_t *)(EXMC_NAND_COMMON_ADDR(port) + 2) = (uint8_t)((rowAddr >> 0) & 0xFF);
    *(uint8_t *)(EXMC_NAND_COMMON_ADDR(port) + 3) = (uint8_t)((rowAddr >> 8) & 0xFF);
    if(stNandflash.rowAddrsLen > 2)
        *(uint8_t *)(EXMC_NAND_COMMON_ADDR(port) + 4) = (uint8_t)((rowAddr >> 16)& 0xFF);
    /* write data to data area */
    for(i = 0; i < len; i++)
    {
        (*(uint8_t *)EXMC_NAND_COMMON_DAT(port)) = buf[i];
    }
    *(uint8_t *)EXMC_NAND_COMMON_CMD(port) = NAND_CMD_WRITE_2ND;
    nandWaitFree(port);
    *(uint8_t *)EXMC_NAND_COMMON_CMD(port) = NAND_CMD_STATUS;
    return (*(uint8_t *)EXMC_NAND_COMMON_DAT(port)) & 0x01;
}

注意，实际上Nand Flash的页的大小一般是分2部分的，Valid Area + Spare Area

GD9FU1G8F2AMG的页是2048+128字节，所以页内地址需要12个位，参数flashAddr的含义如下:

    /* send address to the address area, for GD9FU1G8F2AMG
                    bit7 bit6 bit5 bit4 bit3 bit2 bit1 bit0
       first byte:  A7   A6   A5   A4   A3   A2   A1   A0    (bit7 - bit0 of page address)
       second byte: 0    0    0    0    A11  A10  A9   A8    (bit11 - bit8 of page address, high 4bit must be zero)
       third byte:  A19  A18  A17  A16  A15  A14  A13  A12
       fourth byte: A27  A26  A25  A24  A23  A22  A21  A20
    */

对应Datasheet中的地址说明：

8 页读

页读和页编程类似

uint8_t nandPageRead(uint8_t port, uint32_t colAddr, uint32_t rowAddr, uint8_t* buf, uint16_t len)
{
    uint16_t i;
    *(uint8_t *)EXMC_NAND_COMMON_CMD(port) = NAND_CMD_READ1_1ST;
    *(uint8_t *)EXMC_NAND_COMMON_ADDR(port) = (uint8_t)(colAddr & 0xFF);
    *(uint8_t *)(EXMC_NAND_COMMON_ADDR(port) + 1) = (uint8_t)((colAddr >> 8) & 0xFF);
    *(uint8_t *)(EXMC_NAND_COMMON_ADDR(port) + 2) = (uint8_t)((rowAddr >> 0) & 0xFF);
    *(uint8_t *)(EXMC_NAND_COMMON_ADDR(port) + 3) = (uint8_t)((rowAddr >> 8) & 0xFF);
    if(stNandflash.rowAddrsLen > 2)
        *(uint8_t *)(EXMC_NAND_COMMON_ADDR(port) + 4) = (uint8_t)((rowAddr >> 16)& 0xFF);

    *(uint8_t *)EXMC_NAND_COMMON_CMD(port) = NAND_CMD_READ1_2ND;
    Printf("%x\n", NAND_CMD_READ1_2ND);
        /* write data to data area */
    for(i = 0; i < len; i++)
    {
        buf[i] = *((uint8_t *)EXMC_NAND_COMMON_DAT(port));
    }
    nandWaitFree(port);
    return 0;
}

Nand Flash的实际应用远没有这么简单，这涉及到Spare空间的操作，ECC处理，写平衡等。