霍尔电流传感器基本原理

本文介绍霍尔电流传感器基本原理。

1.霍尔效应

霍尔效应是由带电粒子（如电子）相应电场和磁场的相互作用引起的。如下动图所示。在垂直方向磁场的作用下，给半导体元件加上恒定的电流，半导体中的空穴会受到洛伦兹力的作用，根据左手定则，空穴向垂直于磁场和电流方向的平面移动，而电子则相向相反方向移动。从而在这2个平面上形成电场。用电压表可以测量出电场的强度。

霍尔电压（）的大小，可按如下公式描述：

其中，

1)I为流过半导体元件电流大小

2)B为垂直方向的磁感应强度

3)q为载流子的电荷量，对于电子，其电荷量为-e（e为元电荷）

4)n为载流子的密度

5)半导体元件的厚度

从公式可知，在I，B，q，n一定的情况下，霍尔电压（