IRFB4227PBF N沟道,200V,65A,19.7mΩ@10V

IRFB4227PBF是一款由国际整流器公司（International Rectifier，现为安森美半导体公司）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件。它具有高耐压（40V）和大电流（27A）的特性，适用于各种电源转换、电机驱动和功率管理系统等应用。

该器件的主要特点包括：

1. 高耐压：40V的漏源电压（Vds），能够承受较高的反向电压，适用于高压电源转换应用。

2. 大电流：27A的连续漏极电流（Id），可在大功率应用中提供高效的开关性能。

3. 低导通电阻：具有较低的导通电阻（Rds（on）），在开关过程中可降低功耗和提高效率。

4. 小外形尺寸：采用PowerPAK SC-76封装，具有较小的体积和较低的热阻，易于在紧凑型设计中布局和散热。

5. 高可靠性：经过严格的品质和可靠性测试，确保在恶劣环境下长期稳定工作。

IRFB4227PBF可应用于各种领域，如开关电源、逆变器、电池管理系统、太阳能发电系统、电机控制等。在这些应用中，它可以帮助实现高效、可靠和稳定的功率转换。

IRFB4227PBF
标准信息：
制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技能:Si

装置风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Id-连续漏极电流:65 A

Rds On-漏源导通电阻:24 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:70 nC

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:330 W

装备:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:15.65 mm

长度:10 mm

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.4 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:49 S

下降时间:31 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:20 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:21 ns

典型接通延迟时间:33 ns

零件号别名:SP001565892

单位分量:6 g

IRFB4227PBF相关型号PDF文件资料：
IRFB4227
IRFB4215PBF
IRFB4215
IRFB4212PBF
IRFB4212
IRFB41N15DPBF_15
IRFB41N15DPBF
IRFB41N15D
IRFB4137PBF_15
IRFB4137PBF
IRFB4137
IRFB4127PBF_15
IRFB4127PBF
IRFB4127
IRFB4115PBF_15
IRFB4115PBF
IRFB4115GPBF
IRFB4115G
IRFB4115
IRFB4110QPBF
IRFB4110PBF
IRFB4110GPBF
IRFB4110G
IRFB4110_18
IRFB4110
IRFB4103PBF
芯片IRFB4020PBF
IRFB4020
IRFB4019PBF
IRFB4019
IRFB38N20DPBF
IRFB38N20D
        IRFB3806PBF
IRFB3806
IRFB3607PBF