传输线理论

传输线

1. 传输线也是一种理想的电路元件，由两条相同长度的导线构成，一条是信号路径，另一条是返回路径，具有特征阻抗和时延这两个重要特征。两条路径同等重要，常说的信号，指代的即是信号路径和返回路径之间的电压差。
   

2. 导线的电阻对传输线上信号的传播速度几乎没影响，阻抗影响传播的信号质量，但信号的传播速度取决于交变电场和磁场的建立速度。$$v=\frac{2.99\times 10^8}{\sqrt{{\epsilon }_{\mathrm{r}}{\mu }_{\mathrm{r}}}}m/s$$ 其中对于非铁磁性材料，相对磁导率都为1，除空气外相对介电常数都大于1，FR4材料的相对介电常数为4，信号速度为0.5c，或者可以表达为 6 in / ns 或152 mm / ns。这个数值可以简单的估算互连的时延：
   $$T_{\mathrm{D}}=\frac{\mathrm{Len}}{v}$$

3. 信号在每一步收到的阻抗称为传输线的瞬时阻抗，沿着传输线向下，信号将不断地探测到每一步的瞬时阻抗。瞬时阻抗取决于信号的速度和单位长度的电容数值。当传输线的横截面积变化时，信号的单位电容变化，瞬时阻抗发生变化，此时一部分信号被反射，一部分信号失真。
   
   每个小电容器的大小就是传输线单位长度电容C，与步长的乘积，即 $C=C_{\mathrm{L}}\Delta x$ ，电流的大小就是在每步时间间隔内从我们脚底流出并注人每个电容器的电量。注入电容器的电量等于电容乘以其两端的电压V。$I=\frac{Q}{\Delta t}=\frac{CV}{\left(\frac{\Delta x}{v}\right)}=\frac{C_{\mathrm{L}}\Delta xvV}{\Delta x}=C_{\mathrm{L}}vV$。
   计算出瞬时阻抗：
   $$Z=\frac{V}{I}=\frac{V}{C_{L}vV}=\frac{1}{C_{L}v}=\frac{83\Omega }{C_L}\sqrt{{\epsilon }_r}$$
   介电常数为4，单位长度电容为3.3pF/in时，传输线的瞬时阻抗即是我们熟悉的50Ω。
   微带线的单位长度电容可以用以下近似公式估算：
   $$C_{\mathrm{L}}=\frac{0.67(1.41+{\epsilon }_{\mathrm{r}})}{\ln \left\{\frac{5.98\times h}{0.8\times w+t}\right\}}\approx \frac{0.67(1.41+{\epsilon }_{\mathrm{r}})}{\ln \left\{7.5\left(\frac{h}{w}\right)\right\}}$$
   带状线：
   $$C_{L.}=\frac{1.4{\epsilon }_{\mathrm{r}}}{\ln \left\{\frac{1.9\times b}{0.8\times w+t}\right\}}\approx \frac{1.4{\epsilon }_{\mathrm{r}}}{\ln \left\{2.4\left(\frac{b}{w}\right)\right\}}$$

4. 一个反常识的现象，电缆线的输入阻抗没有固定值，随时间变化。传输线的输入阻抗与时间有关，取决于测量时间相对于信号往返时间的长短。在往返时间之后，依据负载的不同，输入阻抗在0到无穷之间变化。
   
   当提到电缆或传输线为50Ω时，实际上是说信号沿传输线传播时受到的瞬时阻抗为50或者说，传输线的特性阻抗是50Ω。即在开始阶段，如果在相对于信号往返时间较短的时间内看测量结果，就会看到传输线的输人阻抗为50。当上升边比互连的往返时间短时，驱动器就把传输线看成电阻性输入阻抗，其阻值等于传输线的特性阻抗。即使传输线的末端可能是开路，在信号跳变期间（电磁场建立），传输线前端的特性也会像是一个电阻器。信号的往返时间与材料的介电常数和传输线的长度有关。大多数驱动器的上升边都在亚纳秒级，所以只要互连的长度大于几英寸（1inch=25.4cm），就可以认为它是长线。这种情况下的跳变过程中互连对驱动器而言就表现为阻性负载。这就是必须把所有互连看成传输线的一个重要原因。
   我们知道FR4电路板上信号的速度可以表示为 6 inch/ns，也就是3 inch的传输线，往返时间为1ns，如果驱动这条传输线的信号上升边小于1ns，那么在信号的上升边时，从传输线的前端看过去，驱动器的特性就是传输线的特性阻抗，如果上升边远大于1ns，那么感受到的阻抗就是开路的无穷大。所以上升边要小于往返时间。

5. 器件本身也有源电阻，因此加到传输线上的电压已经有了压降，这个数值用分压可以看出，源电阻越小，输出电压越接近源电压。对50Ω的传输线，器件源电阻要低于10Ω，所以CMOS器件大多数都需要做成低输出阻抗门。
   $$V_{\mathrm{launched}}=V_{\mathrm{outpat}}\left(\frac{Z_0}{R_{\mathrm{source}}+Z_0}\right)$$
   

6. 返回电流，当信号加到传输线上时，电压前沿向下传播，分布电容的电压变化 dV/dt 是产生电流的唯一原因，因此也只有在电压前沿处才有电压变化，在对应的分布电容产生位移电流。
   

7. 集肤效应，导体中有交流电或者交变电磁场时，导体内部的电流分布不均匀的一种现象。随着与导体表面的距离逐渐增加，导体内的电流密度呈指数衰减，即导体内的电流会集中在导体的表面。从与电流方向垂直的横切面来看，导体的中心部分几乎没有电流流过，只在导体边缘的部分会有电流，简单而言就是电流集中在导体的“皮肤”部分。
   
   左图是一铜导线的电流密度分布，可以看出大电流密度集中在边缘处，这种现象可以将电流分布近似为只在厚度为 $\delta$ 的环状分布，这个厚度称为集肤深度。常用铜导线的集肤深度近似为：
   $$\delta =66\sqrt{\frac{1}{f}}\mu \mathrm{m}$$
   
   从图中可以看出，1oz的铜线，在频率大于10Mhz时，集肤效应已经开始占主导地位。对于微带线和带状线，10Mhz以上的信号，电流分布趋近导体的表面，返回路径挤近信号路径的正下方导体部分。通常在频率大于100Khz的时，绝大部分返回电流直接在信号路径下面流动，无论信号路径是直的还是弯曲的，返回路径都会尽量靠近跟随信号路径，只有这样对于信号来说，回路电感才能达到最小。电流的分布总是趋向于使返回路径和信号路径之间的回路电感最小。

8. 多层板的返回路径，1层和3层之间有一个中间层，1层在2层上表面感应出信号涡流，3层在2层的下表面感应出返回涡流，涡流在中间平面联通，1层和3层之间的电流就建立起联系。
   

这实际上可以看成是两条传输线结构，信号和中间层路径构成了第一条传输线，中间层和返回路径构成了第二条传输线。

对于多层板中的传输线，阻抗主要有信号路径和与之最近的平面构成的传输线的阻抗决定，而与实际的返回平面无关。无论临近平面的电压值为多少，都不影响。但是感应电流同样会影响中间层的信号质量，因此将在信号路径和返回路径之间尽量不涉及中间层比较好。

9. 信号换层，信号从1层换到4层，返回电流也会从2层上表面切换到3层下表面。信号电流的切换可以从过孔实现，但返回电流的切换只能从中间层之间的电容实现，电流通过两平面之间的电容耦合实现不同层的电流切换。两个中间层的耦合构成了一条传输线，信号返回时的阻抗即是这条传输线的瞬时阻抗。这个返回传输线的阻抗也要尽可能的小，不然引起的地弹也会影响信号质量。对于这种两个中间层平面的阻抗可以有以下公式近似，其中h表示平面间的介质厚度，w表示平面的宽带。
   $$Z_0=\frac{377\Omega }{\sqrt{{\epsilon }_{\mathrm{r}}}}\frac{h}{w}$$
   可以看出对于这种中间层的设计，最好的方法就是尽量近些，中间的介质尽量薄些。