单片机的FMC 【使用方法2】- FMC模拟并口时序

单片机FSMC模拟8080接口时序，驱动液晶屏

LCD并口时序图

某34pinLCD引脚图，内部驱动为S6B33B2

通过对比可以看到8080时序除了RS线其它的和FSMC很像。

FSMC-NOR flash和8080信号线按照下面方式对接

FSMC-NOR信号线	功能	8080信号线	功能
NEx	片选信号	CS片选	片选信号
NWE	写使能	WR	写使能
NOE	读使能	RD	读使能
D[15:0]	数据信号	D[15:0]	数据信号
A0	地址信号0	RS	数据/命令选择

8080接口的RS可以和FSMC任何一个地址线A连接，这样高电平时数据线D就会被数据成数值，低电平时就会被处理成命令。

如何让A0为确定的电平呢，只需向FSMC的地址线上发送奇数，A0就是高电平。向FSMC地址线上发送偶数，A0就是低电平。

寄存器配置

在stm32CubeMX里直接选择内存类型为LCD接口，需要配置的寄存器选项已经列出来了，不需要配置的寄存器是灰色的。

如果启用了扩展模式下面将有模式A和模式D可选

配置三个保持时间

• AddressSetupTime 地址建立时间 0-15 个 HCLK 周期
• DataSetupTime 数据建立时间 1-255 个 HCLK 周期
• BusTurnAround 总线转换周期 0-15个 HCLK 周期

生成代码如下：

SRAM_HandleTypeDef hsram1;

/* FSMC initialization function */
void MX_FSMC_Init(void)
{
  /* USER CODE BEGIN FSMC_Init 0 */

  /* USER CODE END FSMC_Init 0 */

  FSMC_NORSRAM_TimingTypeDef Timing = {0};

  /* USER CODE BEGIN FSMC_Init 1 */

  /* USER CODE END FSMC_Init 1 */

  /** Perform the SRAM1 memory initialization sequence
  */
  hsram1.Instance = FSMC_NORSRAM_DEVICE;
  hsram1.Extended = FSMC_NORSRAM_EXTENDED_DEVICE;
  /* hsram1.Init */
  hsram1.Init.NSBank = FSMC_NORSRAM_BANK1;	//bank内部区域的第一个小块， 选择NE1
  hsram1.Init.DataAddressMux = FSMC_DATA_ADDRESS_MUX_DISABLE;//地址/数据不复用
  hsram1.Init.MemoryType = FSMC_MEMORY_TYPE_SRAM;//存储器类型SRAM
  hsram1.Init.MemoryDataWidth = FSMC_NORSRAM_MEM_BUS_WIDTH_16;//16位数据位宽
  hsram1.Init.BurstAccessMode = FSMC_BURST_ACCESS_MODE_DISABLE;//是否突发，仅对同步突发存储器有用
  hsram1.Init.WaitSignalPolarity = FSMC_WAIT_SIGNAL_POLARITY_LOW;//等待信号的极性, 仅在突发模式访问下有用
  hsram1.Init.WrapMode = FSMC_WRAP_MODE_DISABLE;//关闭突发模式
  hsram1.Init.WaitSignalActive = FSMC_WAIT_TIMING_BEFORE_WS;//在SRAM向fsmc发出数据脉冲时的前一个时钟周期，发出等待信号
  hsram1.Init.WriteOperation = FSMC_WRITE_OPERATION_ENABLE;//存储器写使能
  hsram1.Init.WaitSignal = FSMC_WAIT_SIGNAL_DISABLE;//等待使能位,未用到
  hsram1.Init.ExtendedMode = FSMC_EXTENDED_MODE_DISABLE;//读写使用相同的时序
  hsram1.Init.AsynchronousWait = FSMC_ASYNCHRONOUS_WAIT_DISABLE;//同步传输模式等待信号, 未用到
  hsram1.Init.WriteBurst = FSMC_WRITE_BURST_DISABLE;//禁止突发写
  hsram1.Init.PageSize = FSMC_PAGE_SIZE_NONE; //指定页的大小,操作CRAM用*/
  /* Timing */
  Timing.AddressSetupTime = 0xf;
  Timing.AddressHoldTime = 15;
  Timing.DataSetupTime = 0xff;
  Timing.BusTurnAroundDuration = 0xf;
  Timing.CLKDivision = 16;
  Timing.DataLatency = 17;
  Timing.AccessMode = FSMC_ACCESS_MODE_A;
  /* ExtTiming */

  if (HAL_SRAM_Init(&hsram1, &Timing, NULL) != HAL_OK)
  {
    Error_Handler( );
  }

  /* USER CODE BEGIN FSMC_Init 2 */

  /* USER CODE END FSMC_Init 2 */
}

初始化FSMC用了两个类型的结构体 **SRAM_HandleTypeDef ** 和 FSMC_NORSRAM_TimingTypeDef

1 第一个SRAM_HandleTypeDef 结构体

​ 第一个类型结构体是配置存储器寄存器的，只到里面的前三个成员。

1.1 FSMC的基地址，因为FSMC的第一个寄存器是FSMC_BCR1，所以这里初始化也是FSMC_BCR1寄存器的地址。

FMC_NORSRAM_TypeDef           *Instance; 

#define FSMC_R_BASE       0xA0000000UL /*!< FSMC registers base address        */

1. 2 扩展寄存器地址

FMC_NORSRAM_EXTENDED_TypeDef  *Extended; 

1.3 第三个成员也是结构体类型用来配置SRAM寄存器的结构体：

FMC_NORSRAM_InitTypeDef       Init;    

typedef struct
{ 
  uint32_t NSBank;          /*!< /*设置要控制的 Bank 区域 参数定义参考 @ref FMC_NORSRAM_Bank*/

  uint32_t DataAddressMux;  /*!< 设置地址总线与数据总线是否复用  参数定义参考 @ref FMC_Data_Address_Bus_Multiplexing*/

  uint32_t MemoryType;      /*!< 设置存储器的类型 参数定义参考 @ref FMC_Memory_Type*/

  uint32_t MemoryDataWidth; /*!< 设置存储器的数据宽度    参数定义参考 @ref FMC_NORSRAM_Data_Width */

  uint32_t BurstAccessMode; /*!< 设置是否支持突发访问模式，只支持同步类型 ，对异步不起作用 参数定义参考 @ref FMC_Burst_Access_Mode*/

  uint32_t WaitSignalPolarity; /*!< 设置等待信号的极性   参数定义参考 @ref FMC_Wait_Signal_Polarity      */

  uint32_t WrapMode;           /*!< 设置是否支持对齐的突发模式   参数定义参考 @ref FMC_Wrap_Mode      */

  uint32_t WaitSignalActive;   /*!< 配置等待信号在等待前有效还是等待期间有效    参数定义参考 @ref FMC_Wait_Timing   */

  uint32_t WriteOperation;     /*!< 设置使能或者禁止写保护   参数定义参考 @ref FMC_Write_Operation          */

  uint32_t WaitSignal;         /*!< 设置是否使能等待状态插入    参数定义参考 @ref FMC_Wait_Signal                */

  uint32_t ExtendedMode;       /*!< 设置是否使能扩展模式        参数定义参考 @ref FMC_Extended_Mode          */

  uint32_t AsynchronousWait;   /*!< 设置是否使能等待信号        参数定义参考 @ref FMC_AsynchronousWait     */

  uint32_t WriteBurst;         /*!< 设置是否使能写突发操作      参数定义参考 @ref FMC_Write_Burst            */

  uint32_t ContinuousClock; /*!< 启用或禁用FMC时钟输出到外部存储器设备 参数定义参考 @ref FMC_Continous_Clock               */

  uint32_t WriteFifo;     /*!< 启用或禁用FMC控制器使用的写FIFO功能。通过FMC_BCR1寄存器启用 参数定义参考 @ref FMC_Write_FIFO      */

  uint32_t PageSize;      /*!< 指定页的大小  参数定义参考 @ref FMC_Page_Size                   */
} FMC_NORSRAM_InitTypeDef;

2 第二个FSMC_NORSRAM_TimingTypeDef结构体

typedef struct
{
  uint32_t AddressSetupTime;     /*!< 地址建立时间，范围最小是0，最大是15，不适用于同步   */

  uint32_t AddressHoldTime;     /*!< 地址保持时间，范围最小是1，最大是15，不适用于同步 */

  uint32_t DataSetupTime;       /*!< 数据建立时间，范围最小是1，最大是 255.适用于 SRAM, ROM 和异步NOR Flash . */

  uint32_t BusTurnAroundDuration;        /*!< 总线恢复时间，范围最小是1，最大是15，只适用于 NOR Flash */

  uint32_t CLKDivision;          /*!< 时钟分频因子，范围最小是2，最大是16，@不适用于异步*/

  uint32_t DataLatency;         /*!< 同步突发 模式数据延迟 */

  uint32_t AccessMode;          /*!< 异步模式配置  定义参考 @ref FSMC_Access_Mode*/
} FSMC_NORSRAM_TimingTypeDef;

时序配置：

每个bank内的小块	地址 映射	外部引脚	HADDR[27:26]
1	0x60000000-0x63FFFFFF	FSMC_NE1	00
2	0x64000000-0x67FFFFFF	FSMC_NE2	01
3	0x68000000-0x6BFFFFFF	FSMC_NE3	10
4	0x6C000000-0x6FFFFFFF	FSMC_NE4	11

由上图可知，只需关心的是读和写操作的低脉宽是50ns，高脉宽是30ns，数据建立时间是5ns，数据保持时间是28ns。这些是时序要求的最小时间，实际操作时只要比这个大就行。

​ FSMC的时钟HCLK是168MHz，1 000 000 000 ns ÷ 168 000 000Hz =1000/168≈5.95ns

​ 因为FSMC _NE1和8080_CS连接，所以访问0x60000000-0x63FFFFFF地址时，这个引脚就会产生有效的片选信号。

​ FSMC _A0接8080_RS, 所以访问0x60000000-0x63FFFFFF地址时，奇数地址就会产生高电平，偶数地址就会产生低电平。

FSMC-NOR信号线	GPIO引脚	8080接口
FSMC_NE1	PD7	CS 片选
FSMC_A0	PF0	RS 数据/命令选择
FSMC_NWE	PD5	WR 写使能
FSMC_NOE	PD4	RD 读使能
FSMC_D0	PD14	数据信号
FSMC_D1	PD15	数据信号
FSMC_D2	PD0	数据信号
FSMC_D3	PD1	数据信号
FSMC_D4	PE7	数据信号
FSMC_D5	PE8	数据信号
FSMC_D6	PE9	数据信号
FSMC_D7	PE10	数据信号
FSMC_D8	PE11	数据信号
FSMC_D8	PE12	数据信号
FSMC_D10	PE13	数据信号
FSMC_D11	PE14	数据信号
FSMC_D12	PE15	数据信号
FSMC_D13	PD8	数据信号
FSMC_D14	PD9	数据信号
FSMC_D15	PD10	数据信号

测试程序：

void LCD_Writr_Test()
{
     *(__IO uint16_t*)(0x60000000) =0XFFA;
     HAL_Delay(500);
     *(__IO uint16_t*)(0x60000000+2) =0XFAF;
}

可以看得到写0XFFA时RS是低电平，写0XFAF时RS是高电平。