N沟道还是P沟道MOSFET

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如何区分场效应管是N沟道还是P沟道？ 

答：在电路图中N沟道的MOS管箭头是向内侧指向，P沟道的箭头是向外侧指向的。 

 
N沟道的测量方法是:万用表打到二极管档，红表笔接S极，黑表笔接D极，测到400到800的阻值就可以判断这个MOS管是N沟道的。P沟道的测量方法是:万用表打到二极管档，红表笔接D极，黑表笔接S极，测到400-800的阻值可以判断这个MOS管是P沟道的。（用表笔二极管档测s极和D极的一组数值（600-800）红S黑D是N沟道黑S红D是P沟道）。 
  
场效应管分为N沟道和P沟道，它的导通条件分别是什么？ 
答：都是靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。 
  
（复杂点的看下文） 
场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。 

但是，场效应管分为增强型（常开型）和耗尽型（常闭型），增强型的管子是需要加电压才能导通的，而耗尽型管子本来就处于导通状态，加栅源电压是为了使其截止。开关只有两种状态通和断，三极管和场效应管工作有三种状态，1、截止，2、线性放大，3、饱和（基极电流继续增加而集电极电流不再增加）。使晶体管只工作在1和3状态的电路称之为开关电路，一般以晶体管截止，集电极不吸收电流表示关；以晶体管饱和，发射极和集电极之间的电压差接近于0V时表示开。开关电路用于数字电路时，输出电位接近0V时表示0，输出电位接近电源电压时表示1。所以数字集成电路内部的晶体管都工作在开关状态。

N沟G极高电平时导通,电流从D极流向S极;
P沟G极低电平时导通,电流从S极流向D极.

 NPN  PNP是指三极管   MOS管是N沟道和P沟道 至于电流的流向  只要G级满足导通条件 MOS管就相当于导线怎么流都是可以的  关键在于G级

在电子元器件技术中：论电流方向来说N沟道MOS管与PNP晶体管这。
理想的mos管，不管nmos还是pmos，沟道打开的时候，电流可从源到漏，也可从漏到源。但是实际的mos管，由于制造工艺的原因，在硅底层扩散形成结的时候会同时形成一个寄生二极管。由于这个寄生二极管的存在，当沟道关闭后，mos管源漏之间仍然能够单向导电。因此，为了让mos管正常工作，必须保证该寄生二极管处于反偏。具体来说，对于nmos，寄生二极管方向是从源到漏，因此电路上电流应该从漏到源，即漏极电位高于源极才能正常工作；而pmos则相反。可简单归纳为“n正驱（栅极电位高于硅基底）反通（漏极高于源极），p反驱正通”。

?  题目

N沟道MOS管漏源之间加负电压是什么现象
在正向开启的栅源电压下,给N沟道MOS管漏源之间加负电压,请问会有什么变化,
可以产生回路吗?
另一个问题,P沟道MOS 栅源电压为负,开启后,漏源电压为负,电流是从源级,流向漏极的吗?
如果是,那么我在漏源间加正电压,又会是什么情况呢,可以形成回路吗?

优质解答

源漏互换了.
其实一个mos管物理实现上是不区分源漏的,两边完全对称,只有外加电压后才有源漏一说.

追问：

能不能说具体点啊， 你的意思是 外家栅源电压后， 漏源才有区分，那假如是N沟道的话，只能是漏源电压正，才可以有电流是吧

追答：

是的，但是你那样说是不准确的。只要源漏间有压降，沟道就会有电流，而电流的方向又决定了提供载流子的一端为源极，即载流子从源级流向漏极。

追问：

假如是N沟道的话，只能是漏源电压正，才可以有电流是吧, 如果漏源加负电压呢，会有电流吗

追答：

就源漏互换了啊，没有看懂我最开始的回答么。。原来的漏极变成新的源级，电流方向和原来相反

追问：

就是说只要栅源的开启电压达到阈值，开启后， 漏源电压无论正负都有电流是吧。 漏源其实就是指一个电流的流向是漏到源，无论怎么正负电压，电流总是从漏极流向源级。是这意思吧

追答：

是的，但是源漏的互换不是突变的，需要花一定的时间。另外开启条件也是和源级电位有关：Vgs>Vth