场效应管N沟道和P沟道判断方法

场效应管N沟道和P沟道判断方法
（1）         场效应管的极性判断，管型判断（如图）

G极与D极和S极正反向均为∞
（2）         场效应管的好坏判断
把数字万用表打到二极管档，用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚，好的场效应管最终测量结果只有一次有读数，并且在500左右。如果在最终测量结果中测得只有一次有读数，并且为“0”时，须用表笔短接场效应管识引脚，然后再测量一次，若又测得一组为500左右读数时，此管也为好管。不符合以上规律的场效应管均为坏管。
场效应管的代换原则（注：只适合主板上场效应管的代换）
一般主板上采用的场效管大多为绝缘栅型增强型N沟通最多，其次是增强型P沟道，结型管和耗尽型管一般没有，所以在代换时，只须在大小相同的情况下，N沟道代N沟道，P沟道代P沟道即可。

场效应管及其放大电路:    

场效应管(MOSFET)是一种外形与普通晶体管相似，但控制特性不同的半导体器件。它的输入电阻可高达10¹⁵W，而且制造工艺简单，适用于制造大规模及超大规模集成电路。
    场效应管也称做MOS管，按其结构不同，分为结型场效应晶体管和绝缘栅场效应晶体管两种类型。在本节中只简单介绍后一种场效应晶体管。

一、绝缘栅场效应晶体管

    绝缘栅场效应晶体管按其结构不同，分为N沟道和P沟道两种。每种又有增强型和耗尽型两类。下面简单介绍它们的工作原理。
    1．增强型绝缘栅场效应管
    图6-38是N沟道增强型绝缘栅场效应管示意图。
    在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，用光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，称做漏极D和源极S如图6-38(a)所示。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(S_iO₂)绝缘层，在漏-源极间的绝缘层上再装一个铝电极，称做栅极G。另外在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。它的栅极与其他电极间是绝缘的。图6-38(b)所示是它的符号。其箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。
　

 

图6-38 N沟道增强型场效应管

    场效应管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数场效应管在出厂前已联结好)。从图6-39(a)可以看出，漏极D和源极S之间被P型存底隔开，则漏极D和源极S之间是两个背靠背的PN结。当栅-源电压U_GS=0时，即使加上漏-源电压U_DS，而且不论U_DS的极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，漏-源极间没有导电沟道，所以这时漏极电流I_D≈0。
    若在栅-源极间加上正向电压，即U_GS＞0，则栅极和衬底之间的S_iO₂绝缘层中便产生一个垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场，这个电场能排斥空穴而吸引电子，因而使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥，剩下不能移动的受主离子(负离子)，形成耗尽层，同时P衬底中的电子(少子)被吸引到衬底表面。当U_GS数值较小，吸引电子的能力不强时，漏-源极之间仍无导电沟道出现，如图6-39(b)所示。U_GS增加时，吸引到P衬底表面层的电子就增多，当U_GS达到某一数值时，这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层，且与两个N⁺区相连通，在漏-源极间形成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反，故又称为反型层，如图6-39(c)所示。U_GS越大，作用于半导体表面的电场就越强，吸引到P衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。我们把开始形成沟道时的栅-源极电压称为开启电压，用U_T表示。

 

图6-39 N沟道增强型场效应管的沟道形成图

    由上述分析可知，N沟道增强型场效应管在U_GS＜U_T时，不能形成导电沟道，场效应管处于截止状态。只有当U_GS≥U_T时，才有沟道形成，此时在漏-源极间加上正向电压U_DS，才有漏极电流I_D产生。而且U_GS增大时，沟道变厚，沟道电阻减小，I_D增大。这是N沟道增强型场效应管的栅极电压控制的作用，因此，场效应管通常也称为压控三极管。
    N沟道增强型场效应管的输出特性曲线和转移特性曲线如图6-40和图6-41所示。

 

图6-40 N沟道增强型场效应管的输出特性曲线

图6-41 N沟道增强型场效应管的转移特性曲线

    2．耗尽型绝缘栅场效应管
    从结构上看，N沟道耗尽型场效应管与N沟道增强型场效应管基本相似，其区别仅在于当栅-源极间电压U_GS= 0时，耗尽型场效应管中的漏-源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在U_GS≥U_T时才出现导电沟道。原因是制造N沟道耗尽型场效应管时，在S_iO₂绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na⁺或K⁺(制造P沟道耗尽型场效应管时掺入负离子)，如图6-42(a)所示，因此即使U_GS=0，在这些正离子产生的电场作用下，漏-源极间的P型衬底表面也能感应生成N沟道(称为初始沟道)，只要加上正向电压U_DS，就有电流I_D。如果加上正的U_GS，栅极与N沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的电子，沟道加宽，沟道电阻变小，I_D增大。反之，U_GS为负时，沟道中感应的电子减少，沟道变窄，沟道电阻变大，I_D减小。当U_GS负向增加到某一数值时，导电沟道消失，I_D趋于零，该管截止，故称为耗尽型。沟道消失时的栅-源电压称为夹断电压，用U_P表示，为负值。在U_GS=0、U_GS>0、U_P<U_GS<0的情况下均能实现对I_D的控制，而且仍能保持栅-源极间有很大的绝缘电阻，使栅极电流下均能实现对I_D的控制，而且仍能保持栅-源极间有很大的绝缘电阻，使栅极电流为零。这是耗尽型场效应管的一个重要特点。

 

图6-42 N沟道耗尽型场效应管

    图6-42(b)是N沟道耗尽型场效应管的代表符号。图6-43是N沟道耗尽型场效应管的输出特性曲线，图6-44是N沟道耗尽型场效应管的转移特性曲线。实验表明，耗尽型场效应管的转移特性可近似用表示为
                                                 

 

图6-43 N沟道耗尽型场效应管的输出特性曲线

图6-44 N沟道耗尽型场效应管的转移特性曲线

以上介绍了N沟道绝缘栅场效应增强型和耗尽型管，实际上P沟道也有增强型和耗尽型，其符号如图6-45所示。

图6-45 P沟道绝缘栅场效应晶体管

    关于场效应管的各种参数及特性见《电路与电子技术实验指导》附录五。
    绝缘栅场效应管还有一个表示放大能力的参数，即跨导，用符号g_m表示。跨导g_m是当漏—源电压U_DS为常数时，漏极电流的增量ΔI_D对引起这一变化的栅—源电压ΔU_DS的比值，即
                                                                 (6-23)
    跨导是衡量场效应晶体管栅—源电压对漏极电流控制能力的一个重要参数，它的单位是μA/V或mA/V。