N沟道和P沟道MOS管的四个不同点

作者：快捷芯（功率半导体创新品牌）

1、芯片材质不同

虽然芯片都是硅基，但是掺杂的材质是不同，使得N沟道MOS管是通过电子形成电流沟道；P沟道MOS管是用空穴流作为载流子。具体原理可以参考一些教科书，属于工艺方面的问题。

2、同等参数P沟道MOS管价格更高

（1）N沟道MOS管芯片成本低于P沟道。

N沟道MOS管通过电子形成电流沟道，当MOS管被激活和导通时，电子通过电流移动，速度较P沟道MOS管速度快。在相同的RDS(on)情况下，载流子的迁移率约为P沟道MOS管的2到3倍，而要实现相同的电流，P沟道芯片尺寸就要设计成N沟道MOS管的2到3倍大。因此从制造成本上，N沟道MOS管就要低于P沟道MOS管。因此，大电流应用通常首选N沟道的MOS管。

例如，快捷芯的N沟道MOS管，KJ400N03D7，采用TO263-7封装，实现业内最低内阻，RDS(ON)仅0.28mΩ，但可实现ID=400A的大电流。