非易失性储存器

非易失性存储器件（Non-Volatile Memory，NVM）是一种可以在断电状态下保存数据的存储器件。

常见的器件包括：

1)ROM（Read Only Memory），只读存储器，仅能被读取而不能被修改。
2)PROM（Programmable Read-Only Memory），可编程只读存储器，用户一次性地将其编程后就无法被修改。
3)EPROM（Erasable Programmable Read-Only Memory），可擦除可编程只读存储器，具有可擦除的特点，但需要用紫外线或电子注射进行擦除。
4)EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory），电可擦可编程只读存储器，可通过电信号实现擦写操作，也可使用一些专门的擦写设备。
5)Flash Memory，闪存，也是电可擦可编程只读存储器，与EEPROM相比，Flash速度更快，芯片内部结构更为复杂。
6)FRAM（Ferromagnetic Random-Access Memory），铁磁随机存取存储器，电阻和磁化可以被改变、双稳态性，可以在断电时保存信息。