F28335集成了DSP和微控制器的长处。
1. 主要资源
- 32位浮点DSP;
- 片上储存器:
(1)FLASH:256K × \times × 16位;
(2)SRAM:34K × \times × 16位;
(3)BOOT ROM:8K × \times × 16位;
(4)OPT ROM:2K × \times × 16位; - 片上外设:
(1)PWM:18路;
(2)HRPWM:6路;
(3)CAP:6路;
(4)QEP:2通道
(5)ADC:2 × \times × 8通道,12位,80ns转换时间,0-3V输入量程
(6)SCI:3通道
(7)MCBPS:2通道
(8)CAN:2通道
(9)SPI:1通道
(10)I2C:1通道
(11)外部储存器拓展接口:XINTF;
(12)通用输入/输出I/O口:88个;
(13)看门狗电路。
2. 主要特点
- F28335为哈佛结构的DSP,在逻辑上有4M × \times × 16位的程序空间和4M × \times × 16位的数据空间,物理上将程序空间和数据空间统一成一个4M × \times × 16位的空间。
- F28335片内共有34K
×
\times
× 16位单周期单次访问随机储存器 SARAM,分为10 个块,分别位M0、M1、L0~L7。
M0和M1快SARAM的大小均为 1K × \times × 16位,当复位后,堆栈指向M1块的起始地址,堆栈指针向上生长。M0和M1段都可以映像到程序区和数据区。
L0~L7块SARAM的大小均为 4K × \times × 16位,既可以映射到程序空间,也可以映射到数据空间,其中L0~L3可映射到两块不同的地址空间并且受片上FLASH中的密码保护,以免存在上面的程序或者数据,被他人非法复制。 - F28335片上有 256K × \times × 16位嵌入式FLASH储存器和 1K × \times × 16位一次可编程EEPROM储存器,均受片上Flash中的密码保护。FLASH储存器由8个 32K × \times × 16位扇区组成,用户可以对其中任何一个扇区进行擦除、编程和检验,而其他扇区不变。但是,不能在其中一个扇区上执行程序来擦除和编程其他的扇区。