解析:
1:锗管Vbe在0.2V左右,硅管Vbe在0.7V左右,所以两个电压相近的是b、e,另一个电压相差较大的是c极。
2:当c极电压高于其他两极说明是NPN管,此时另两极中电压较高的是b。
3:当c极电压低于其他两极说明是PNP管,此时另两极中电压较低的是b。
11,什么是"线与"逻辑,要实现它,在硬件特性上有什么具体要求?
答:线与逻辑是两个或多个输出信号相连可以实现与的功能。在硬件上,要用OC门来实现(漏极或者集电极开路),为了防止因灌电流过大而烧坏OC门,应在OC门输出端接一上拉电阻(线或则是下拉电阻)。
OC门俗称“集电极开路门,实际上只是一个NPN型三极管,并不输出某一特定电压值或电流值。OC门根据三极管基极所接的集成电路来决定(三极管发射极接地),通过三极管集电极,使其开路而输出。而输出设备若为场效应晶体管(MOSFET),则称之为漏极开路(英语:Open Drain,俗称“OD门”),工作原理相仿。通过OC门这一设备,能够让逻辑门输出端的直接并联使用。两个OC门的并联,可以实现逻辑与的关系,称为“线与”,但在输出端口应加一个上拉电阻与电源相连。
答:C1/C2=24pF,计算过程:
第一步:计算C1、C2并联电容值:16pF-4pF=12pF
第二部:计算C1、C2电容值:24pF
13,描述PCI-E x 1,Gen1.0、Gen2.0、Gen3.0的编码格式、最高总线频率、最高有效带宽分别是什么?
答:编码格式: Gen1.0/Gen2.0: 8b/10b编码; Gen3.0:128/130编码
总线带宽:Gen1.0=2.5Gbps; Gen2.0=5Gbps; Gen3.0=8Gbps
有效带宽:Gen1.0=2Gbps=256MB/S;Gen2.0=4Gbps=512MB/S; Gen3.0=7.88Gbps=1008MB/S(答1GB/s算对)
14,简述D 触发器和 D 锁存器的原理,以及它们区别是什么?
答:D触发器是由时钟边沿触发的存储器单元,锁存器指一个由信号而不是时钟控制的点屛敏感的设备。锁存器通过锁存信号控制,不锁存数据时,输出端的信号随输入信号变化,就像信号通过缓存器一样,一旦锁存信号起作用,则数据被锁存,输入信号不起作用。
15,列出差分信号的种类和电平标准,写出差分信号的优点、以及不同差分信号之间的接口转换?
答:差分传输是一种信号传输的技术,区别于传统的一根信号线一根地线的做法。差分传输在这两根线上都传输信号,这两个信号的振幅相等、相位相反。在这两根线上传输的信号就是差分信号。差分信号又称差模信号,是相对共模信号而言的。
差分信号的第一个好处是,因为你在控制’基准’电压,所以能够很容易地识别小信号。在一个地做基准,单端信号方案的系统里,测量信号的精确值依赖系统内’地’的一致性。信号源和信号接收器距离越远,他们局部地的电压值之间有差异的可能性就越大。从差分信号恢复的信号值在很大程度上与’地’的精确值无关,而在某一范围内。
差分信号的第二个主要好处是,它对外部电磁干扰(EMI)是高度免疫的。一个干扰源几乎相同程度地影响差分信号对的每一端。既然电压差异决定信号值,这样将忽视在两个导体上出现的任何同样干扰。除了对干扰不大灵敏外,差分信号比单端信号生成的 EMI 还要少。
差分信号提供的第三个好处是,在一个单电源系统,能够从容精确地处理’双极’信号。为了处理单端,单电源系统的双极信号,我们必须在地和电源干线之间某任意电压处(通常是中点)建立一个虚地。用高于虚地的电压来表示正极信号,低于虚地的电压来表示负极信号。
16,(1)画出N-channel、P-channelMOS管symbol图(标出VDD、GND位置),写出两种管子导通和截止条件。
(2)画出DC-DC电源电路图,标出电流方向,简要描述PWM开关状态下电感、电容充放电过程。
答: