英飞凌扩展 CoolSiC M1H 产品组合

 

英飞凌科技推出了一种全新的 CoolSiC 技术：CoolSiC MOSFET 1200 V M1H。 SiC 芯片将使用流行的 Easy 模块系列以及使用 .XT 互连技术的分立封装在广泛扩展的产品组合中实施。

据说M1H芯片具有很高的灵活性，适用于必须满足峰值需求的太阳能系统，例如逆变器。该芯片还非常适用于快速电动汽车充电、储能系统和其他工业应用等应用。

CoolSiC 基础技术的最新进展可显着扩大栅极操作窗口，从而提高给定裸片尺寸的导通电阻。同时，更大的栅极操作窗口提供了对栅极处驱动器和布局相关电压峰值的高鲁棒性，即使在更高的开关频率下也没有任何限制。除了 M1H 芯片技术，相关的外壳也被采用在技术和封装变体中，为设计工程师提供更高的功率密度和更多选择，以提高应用性能。

M1H 将集成到流行的 Easy 系列中，以进一步改进 Easy 1B 和 2B 模块。此外，还将推出一款使用新型 1200 V CoolSiC MOSFET 增强 Easy 3B 模块的新产品。新芯片尺寸的推出最大限度地提高了灵活性并确保了最广泛的工业产品组合。使用 M1H 芯片，可以显着提高模块的导通电阻，使设备更加可靠和高效。

此外，最高临时结温为 175 摄氏度，过载能力增强，从而实现更高的功率密度和故障事件的覆盖范围。与其前身 M1 相比，M1H 对内部 RG 进行了少量采用，从而可以轻松优化开关行为。动态行为由 M1H 芯片保持。

除了 Easy 模块系列之外，CoolSiC MOSFET 1200 V M1H 产品组合还包括采用 TO247-3 和 TO247-4 分立封装的新型超低导通电阻 7 mΩ、14 mΩ 和 20 mΩ。新器件易于设计，特别是由于栅极电压过冲和下冲，新的最大栅极-源极电压低至 -10 V，并且具有雪崩和短路能力规格。

先前在 D 2PAK-7L 封装中引入的英飞凌 .XT 互连技术现在也在 TO-footprint 中实现。与标准互连相比，散热能力提高了 30% 以上。因此，这种热效益可用于将输出功率提高多达 15%。或者，它可用于增加开关频率以进一步减少无源元件，例如电动汽车 (EV) 充电、储能或光伏系统可提高功率密度并降低系统成本。在不改变系统运行条件的情况下，.XT 技术将降低 SiC MOSFET 结温，从而显着提高系统寿命和功率循环能力。这是应用程序中的关键要求，例如伺服驱动器。