QPT 将 GaN 提升至 20MHz

 

剑桥初创公司将 GaN 释放到高压、大功率应用中

英国剑桥 - 初创公司 QPT 声称是第一家创造出使 GaN 能够在远远超过 100 kHz 的当前限制条件下运行的技术的公司。 其专利方法将 GaN 扩展至 20 MHz，使其适用于使用硬开关的高功率、高电压应用，例如用于 HVAC、机器人等的电机驱动系统。

GaN 晶体管对于下一代电力电子产品的重要性在于它们能够以超高频率工作以进行开关操作。 缓慢的转换会浪费能量，因为在晶体管既不导通也不关断的开关时间内，它会消耗大量功率，这会导致能量损失和过热问题。 开关速度越高，转换所花费的时间越少，能量损失也越少。 与 Si 和 SiC 晶体管的 20-50ns 相比，GaN 可以在 1-2ns 内非常快速地从导通过渡到关闭。

 

然而，在高电压、高功率应用中，GaN 存在 100 kHz 的实际限制，超过该限制就会出现过热和 RF 干扰问题。 当前的解决方案是将 GaN 节流到 100 kHz 以下，这意味着性能与 SiC 相似，使用 GaN 没有任何好处，因为它不在实际提供节能的高开关速度或频率下运行。

QPT 的创始人兼首席执行官 Rob Gwynne（上图）解释说：“电源工程师专注于成为某一领域的专家，并且已经开发出适用于 10-100Khz 开关的技能和设计方法，这是 Si 和 SiC 晶体管的工作频率。 我能够以 RF 工程师的身份看待这个问题，并创建一个解决方案，使 GaN 晶体管能够以其高达 20 MHz 的全部潜力运行，并具有纳秒级切换功能，以提供更好的操作精度，而不会出现 RF 干扰问题或过热，因此，对于 第一次，实现他们承诺的效率。QPT 已将其技术突破集成到两个模块中，以便客户可以轻松实施，只需对现有设计进行最少的工作和更改。 qGaN 模块包含一个 650V GaN 晶体管，该公司的 qDrive 据说是世界上最快、最准确、分辨率最高、低抖动的隔离式 GaN 晶体管栅极驱动器。 第二个模块是结合了该公司的 ZEST 和 qSense 技术的 qSensor。 它提供了感测和控制，使 GaN 首次能够以超高频驱动。

此外，QPT 还开发了其 WisperGaN 构建系统，其中包括有关如何将模块和辅助电子设备组装在法拉第笼中的参考设计，从而避免加热或射频问题。 由此产生的解决方案释放了 GaN 现在以超高频运行的能力，与必须以低得多的频率运行的现有解决方案相比，功耗降低了 80%。

第一个 qGaN 模块 (Q650V15A-M01) 将处理驱动 380V 三相电机的 15A RMS 电流。 该路线图将有 qGaN 模块来处理各种不同的功率负载，以满足不同应用领域的要求。 与其他 QPT 技术模块一起，交钥匙解决方案可以根据参考设计轻松组装。 该参考设计是现有 VFD 功率级的直接替代品，无需 EMC 或热冷却方面的任何专业知识。

“现有系统的其余部分（例如微处理器和软件堆栈）保持不变，”Rob Gwynne 解释说。 “这使得升级成为一个真正的即插即用解决方案，具有需要更少电力的好处，因此它可以在数周内有效地收回成本。 此外，新的 BOM 比现有解决方案更少，因为它不需要外部过滤器，因此可以进一步节省成本。

“想要从当前的硅解决方案升级以提高能效的公司可以跳过内部开发 SiC 解决方案的麻烦，只需使用我们未释放的 GaN 解决方案。将 VFD 节能约 80% 与电机使用相结合，可以提供 总体功耗减少约 10%，这在电机经常处于低速且当前解决方案效率低下的应用中有所增加。”

该公司估计其新技术可以提供节能的高压、大功率应用市场的总可寻址市场 (TAM) 为 3650 亿美元。 一个关键部分是 HVAC 和热泵，它们正在全球范围内部署，因此 TAM 将继续增加。 有助于应对气候变化的二氧化碳排放量。”

变频驱动器 (VFD)

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