电感感应电压公式推导

最新推荐文章于 2024-09-23 15:38:01 发布
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分类专栏： 硬件 文章标签： 电感电压
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本文详细探讨了电感感应电压的公式推导，基于电感电流公式，分析了当Vin和L恒定时，电感电流变化率的稳定性。
摘要由CSDN通过智能技术生成

电路：

根据电感上的电流公式有：

 

 

注：常数的导数为

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理论知识：电感感应电压公式，纯电感正弦电路感应电压公式，纯电容正弦电路电流公式的推导
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电流流过线圈，在线圈周围空间会激发磁场，磁力线就会穿过线圈，如果电流是变化的，那么，磁通量就会发生变化，在线圈中产生感应电动势， 如果线圈是密绕的，每一匝磁通量Φ近似相同，N匝就是NΦ， 感应电动势E=dNΦ/dt, 磁通量与磁感应强度B成正比，磁感应强度B又与电流i成正比， 所以，磁通量就与电流成正比，即NΦ=Li, 其中L是比例系数，叫电感系数， 于是， E=dNΦ/dt=dLi/dt...
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由于在PCB的同一层上，信号线与信号线之间等效的正对面积很小，距离相对于相邻层之间的间距也很大，所以，同一层内的走线之间的寄生电容认为很小可以忽略；把走线覆盖的面积当作平板电容器的面积，相邻层的间距作为平板电容器的间距，寄生电容的产生就可以简化为平板电容器的电容。D1为过孔的外径、D2为过孔周围铜皮挖空部分的圆直径、T为PCB厚度、εr为板材的相对磁导率。要想减小过孔的寄生电容，需要使用小孔径的过孔、加大过孔和铜皮的间距、选用更薄的PCB板材。走线宽度、覆铜厚度增加10倍，电感才能减少一半。
三极管、mos管放大电路
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在MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）中，有三个主要的引脚：源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。源极（Source）：这是P-Channel MOSFET的参考电位端，通常与最高电位（在P-Channel MOSFET的情况下）或者更正的电位相连。栅极（Gate）：这是控制引脚，根据栅极和源极之间的电压差来控制晶体管的导通与截止。在P-Channel MOSFET中，当栅极相对于源极为负电压时，晶体管导通。漏极（Drain）
MOS管场效应管构成的基本放大电路（等效的过程、gm的推导、基本共漏源极输出器、基本共源、对比三极管）
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场效应管构成的基本放大电路 场效应管的微变等效电路 在小信号的工作条件下，场效应管工作在恒流区的时候，可以像三极管一样用微变等效电路来分析。 回想三极管的输入特性曲线，因为ib电流的存在，所以输入回路中求得是静态工作点切线得斜率，也就是电阻rbe，表征得是小信号输入时Ube与ib之间得关系因此输入回路是一个电阻rbe，输出回路中ib又与ic之间成比例，所以输出回路近似等效为一个流控电流源。 场效应管中因为栅源之间呈现很高的电阻，基本不从信号源索取电流，所以可以认为栅源之间为开路。在输出回路中，我们研究的是其
普中单片机怎么接霍尔传感器_霍尔传感器管脚图及其说明
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Boost公式推导及实验验证
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在实际应用中，我们经常会使用到功率MOS，这时通常不会将它当成一个开关使用，而是当成一个放大器来使用，那这就需要让其工作在放大状态。参考下图中的mos管的特性曲线，右图中的输出特性曲线中有一根红色的分界线，这个线就是区分mos管工作状态的分界线，在红线的左边，mos管工作在可变电阻区，也就是线性区；在红线的右边mos管工作在恒流区，也就是饱和区。当然，还有一个截止区。本文分析主要运用模电课本中的理论计算验证。
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前两篇文章介绍了电机基础知识和直流有刷电机驱动电路。这篇文章介绍ROS移动机器人中电机测速传感器----编码器。ROS移动机器人中常用到的编码器有两种分别为光电编码器（光学式检测）和霍尔编码器（磁场原理检测）。光电编码器光电编码器是一种通过光电转换将输出轴上的机械几何位移量转换成脉冲信号的传感器。光电编码器由光电码盘和光电检测装置组成，由下图所示：光电码盘与电机转子同轴，电机旋转时带动光电码盘与电...
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有了前两节的学习，即三种放大器配置和偏置方法之后，我们可以通过现成的分立晶体管、电阻、电容等搭建分立MOS放大电路。
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