能谱(专题)

脉冲谱：电离室输出的脉冲经前置放大器、线性脉冲放大器放大后，输入单道或多道脉冲分析器，以测量计数率随脉冲幅度的分布曲线。
能谱： 脉冲幅度经能量刻度后，得到计数率随粒子能量的分布曲线。

个数-E 能量(可对应信号的电压值)
道数：channel number,eg.把0-5V分成1000份，相当于微分，细微作图。

$E_{\gamma }<1.02MeV$

无电子对效应。

V小

探测器灵敏体积小，仅能测量一次效应。

1. 全能峰：所有E全部沉积。(要无限大探测器、相对于低能X存在，但大部分不是全能的)
   $$E=E\gamma$$
2. 康普顿坪：康普顿散射电子的能量，最大值处，即康普顿边缘，是反散射180度，可以测量的。
   $$E_{e_{max}}=\frac{E_{\gamma }}{1+\frac{m_0{v}^2}{2E_{\gamma }}}=\frac{E_{\gamma }}{1+\frac{1}{4E_{\gamma }}}$$
   或者，mc^2=0.511MeV,计算下来，都差不多！
   

V大

有限大、多次测量、多次康普顿

1. 特征X-ray峰：其它物质的特征射线，达到了其它物质，退激。可以看周围有什么物质，一般就那么几种。
   eg. Cs-137的β衰变子体 Ba-137 的0.662MeV激发态，放出内转换电子，K空位，跃迁，产生此X光子。
2. 反散射峰：能量总在200keV左右，发生概率max，即射线穿过探测器后，被后面物质反散射回来，被探测到。
   $$E_{{\gamma }_{min}}=E_{\gamma }-E_{e_{max}}$$
3. 康普顿边缘和全能峰低处是连接着的。
4. 逃逸峰：晶体也发出了特征X射线，这部分能量逃逸了。概率稍小，一般没有。
   $$E=E_{\gamma }-E_{x_{ray}}$$
   光电效应产生，之后俄歇过程的X射线。
   

$E_{\gamma }>1.02MeV$

有电子对效应。
全能峰、康普顿坪、特征X-ray峰、底部相连 的基础上，多了两个电子的逃逸峰。

1. 单逃逸峰：电子对效应时，一个电子逃逸了，一般是正电子。
   $$E=E_{\gamma }-0.511MeV$$
2. 双逃逸峰：正电子溢出后，能量降低，与其他物质发生湮灭反应，产生两个光子中的一个被探测到。(一般是一个)
   $$E=E_{\gamma }-1.02MeV$$
3. 湮没峰
   0.511MeV

Both

合峰：若源活度特别大，两条射线同时进入，仪器无法分辨时，就会产生。
$$E=2\times E_{\gamma }$$