FLASH（闪存） 和 EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）

FLASH（闪存） 和 EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory） 都是非易失性存储器（断电后数据不丢失），但在结构、性能和应用场景上有显著区别：

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1. 物理结构与擦写原理

特性	EEPROM	FLASH
最小擦写单位	单字节	块/扇区（如 4KB~256KB）
擦除方式	直接电擦除单个字节	需先擦除整个块，再写入新数据
晶体管结构	每个存储单元独立（双晶体管）	共享浮栅晶体管（NOR/NAND）

📌 关键区别：EEPROM 支持字节级擦写，FLASH 必须整块擦除。

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2. 性能对比

参数	EEPROM	FLASH
写入速度	慢（单字节操作，约 ms 级）	快（块操作，如 10MB/s+）
擦写寿命	高（10⁶ ~ 10⁷ 次）	较低（10⁴ ~ 10⁵ 次）
读取速度	较快（类似 RAM）	NOR FLASH 快，NAND FLASH 慢
功耗	写入时较高	整体较低

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3. 容量与成本

特性	EEPROM	FLASH
存储密度	低（通常 KB~MB 级）	高（MB~TB 级）
每比特成本	高	极低（尤其 NAND FLASH）
典型应用	小数据存储（配置参数、密钥）	大容量存储（系统固件、文件）

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4. 应用场景

EEPROM 的典型用途

• 存储频繁修改的小数据：
  • 设备校准参数（如传感器偏移值）
  • 用户设置（如电视的频道记忆）
  • 加密密钥或安全证书
  • 实时时钟（RTC）的备份数据

FLASH 的典型用途

• NOR FLASH：
  • 存储启动代码（XIP：eXecute In Place）
  • 嵌入式系统固件（如路由器 BIOS）
• NAND FLASH：
  • 大容量数据存储（SSD、U盘、SD卡）
  • 手机/相机存储介质
  • 操作系统文件系统

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5. 技术演进与替代关系

• EEPROM 的局限性：
  因容量小、成本高，逐渐被 FLASH+FRAM（铁电存储器） 替代小数据存储场景。
• FLASH 的变种：
  • eMMC：NAND FLASH + 控制器（用于手机）
  • UFS：高速串行接口 FLASH（替代 eMMC）

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6. 接口与访问方式

类型	EEPROM	FLASH
常见接口	I²C、SPI	SPI、Parallel、ONFI（NAND）
随机访问	支持（任意地址）	NOR 支持，NAND 不支持

⚠️ 注意：NAND FLASH 需通过 FTL（Flash Translation Layer）实现模拟随机访问。

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总结：核心差异

维度	EEPROM	FLASH
擦写粒度	字节级	块级
容量	小（KB~MB）	大（MB~TB）
寿命	更高（百万次）	较低（万次）
成本	高（每比特）	极低（每比特）
适用场景	高频修改的小数据	固件/大文件存储

简单记忆：

• 需要 频繁修改几个字节？ → 选 EEPROM（如保存系统配置）
• 需要 存储大型固件或文件？ → 选 FLASH（如手机操作系统）