FLASH和EEPROM对比

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于 2023-05-14 19:19:53 首次发布

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FLASH和EEPROMD对比

文章目录

1、简介
2、EEPROM
3、FLASH
4、EEPROM和FLASH区别联系
5、单片机中为啥很少有EEPROM
参考链接：

1、简介

因为部分MCU不带片上程序存储器，可执行代码只能放在外面的EEPROM、FLASH(外扩)中。一般所说的EEPROM都是狭义上的EEPROM，FLASH也是广义上的EEPROM，本文所说的EEPROM都是指狭义上的EEPROM，具体如下图所示：

在这里插入图片描述

2、EEPROM

1.1、ROM的发展

1.1.1、ROM：

ROM：Read-Only Memory，只读存储器。最早的ROM是不能编程的，出厂时其存储内容（数据）就已经固定了，永远不能修改，也不灵活。

1.1.2、PROM

因为早起ROM的弊端，后来出现了PROM（Programmable read-only memory，可编程只读存储器），可以自己写入一次，要是写错了，只能换一块芯片。

1.1.3、EPROM

因为只能写一次，还是存在很多不方便，于是出现了EPROM（Erasable Programmable Read-Only Memory，可擦除可编程只读存储器），这种存储器就可以多次擦除，但是EPROM擦除是通过紫外线进行擦除，很是不方便，耗时较长往往修改一点代码，就需要把单片机放紫外线灯下照半个小时。

1.1.4、EEPROM

随着技术的不断进步，**EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，电可擦除可编程只读存储器）**的出现，解决了ROM过去历史中存在一些问题。

EEPROM的特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1；具有较高的可靠性，但是电路更复杂，其成本较高，因此容量都很小，从几KB到几百KB不等。

至此，大家今天看到的EEPROM，基本都是发展的很成熟的EEPROM了。

2.2、EEPROM的作用和特点

EEPROM是用来保存用户数据，运行过程中可以改变。
容量小、K字节级别
按bit操作，可读可写
一般保存当前工作状态，多用数据存储。
以字节byte为最小修改单元

3、FLASH

Flash，又叫Flash Memory，即平时所说的“闪存”，属于广义的EEPROM，因为它也是电擦除的rom。但是为了区别于一般的按字节为单位的擦写的EEPROM，我们都叫它FLASH。

FLASH擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位，一次简化了电路，数据密度更高，降低了成本。上Mb的rom一般都是FLASH。

3.1、flash发展

Flash结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的功能，还可以快速读取数据，具有NVRAM的优势（NVRAM：Non-Volatile Random Access Memory，非易失性随机访问存储器）。

在过去，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，Flash的出现，全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘、固态硬盘）。

3.2、FLASH的分类

3.2.1、NOR Flash

Intel于1988年首先开发出NOR Flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。

nor flash数据线和地址线分开，可以实现ram一样的随机寻址功能，可以读取任何一个字节。但是擦除仍要按块来擦，因此用户可以直接运行装载在NOR Flash里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。因为其读取速度快，多用来存储程序、操作系统等重要信息。

3.2.2、NAND Flash

1989年，东芝公司发表了NAND Flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。

NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，采用数据线和地址线复用，不能利用地址线随机寻址。读取只能按页(page)来读写，按块(block)擦除。

用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板，除了使用NAND Flash以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。NOR Flash存储引导代码，用一个大容量的NAND Flash存放文件系统和内核。

3.2.3、两种Flash的比较

相比于 NOR Flash，NAND Flash 写入性能好，大容量下成本低，但是不能直接运行程序。
NAND Flash按块来擦除，按页来读写，NOR Flash没有页
NAND Flash可以标记坏块，从而使软件跳过坏块。NOR Flash一旦损坏便无法再用。

目前，绝大部分手机和平板等移动设备中所使用的 eMMC 内部的 Flash Memory 都属于 NAND Flash。PC 中的固态硬盘中也是使用 NAND Flash。

4、EEPROM和FLASH区别联系

相同点：

FLASH和EEPROM都属于广义的ROM，掉电数据不丢失。
现在的 EEPROM 和 FLASH 都属于“可多次电擦除存储器”

区别点：

首先，他们最大差异就是：FLASH按块/扇区进行读写操作，EEPROM支持按字节读写操作。
其次，容量大小不同：FLASH容量可以做到很大，但EEPROM容量一般都很小。
再次，就是它们的应用场景不同：EERPOM存储零散小容量数据，比如：标志位、一组数据等。FLASH存储大容量数据，比如：程序代码、图片信息等。
读写速度不同，FLASH读写速度较快，读写的速度较快2.4Gbps**；EEPROM读写的速度比较慢**，一般20Mbps
FLASH写之前必须擦除，最小擦除一个扇区block；EEPROM但是在写入时不需要擦除，最小可写一个字节byte
作用不同，Flash是用来存储程序、代码，在运行过程中不能改；EEPROM是用来保存用户数据，运行过程中可以改变
再次，内部结构不同，Flash结构更简单，成本更低，类似前面和大家分享的《单片机中RAM少的原因》。

当然，还有很多其他区别，但随着技术的提升，它们二者已经很接近了。以前它们不能满足的功能，现在基本都能满足了。

项目	EEPROM	FLASH
接口	IIC、SPI、Microwire	SPI、并行接口
速写速率	0-20Mbps	最高2.4Gbps
存储时间	100年	最大10年
擦写次数	100万次	10万次
最小操作单元	字节	block块操作
功耗	很低	高
容量	小，不超过1Mb	大