模拟集成电路器件匹配 电容匹配 电阻匹配 晶体管匹配

匹配规则

1. 器件尺寸。增大尺寸可以减小边缘效应，但同时带来大的寄生效应。
2. 方向。方向一致减小横向工艺误差带来的失配。
3. 温度。与大功率器件的匹配
4. 接触孔位置。没理解
5. 金属线。 没理解

晶体管匹配

差分对电路，栅极到源极的电压的匹配；
电流镜电路，漏极电流的匹配。

低度匹配：漏极电流失配为几个百分点，一般不能满足电压匹配，超过10mv。
中度匹配：5mv, 1%
高度匹配：1mv, 0.1%

指标：能够使电压的偏差减少到5mv，漏极电流的误差在1% 。

1. 相同长度。
2. 相同方向。栅极朝向一致
3. 相同质心，中等以上的匹配晶体管，必须是相同重心布局。分割大的晶体管成偶数个手指装晶体管来实现。同时要放在交叉的阵列中。
4. 在阵列晶体管的末段放置dummy 确保末段的晶体管的精度。（末段？ 指的是两端加dummy 吗？）
5. 不要在需要匹配的晶体管上走金属连线。减少噪音和耦合的影响。（不要跨晶体管横向或者纵向连线吗？ ）
6. 需要匹配的晶体管 尽可能远离大功耗器件、开关晶体管（Power down 算吗？）、数字晶体管、减少耦合影响。
7. 连接栅极要用金属线。不要用多晶硅。
8. 使用NMOS继续宁匹配比PMOS更好。

电阻匹配

指标： 电阻工艺误差减少到 3% 。

1. 三个匹配原则：相同方向、相同器件、相互靠近。
2. 相同类型、相同宽度 长度电阻、相同间距
3. 高精度电阻，建议电阻宽度为工艺最小宽度的5倍，有效降低工艺误差。
4. 需要匹配的电阻两端放置dummy ，精确的达到匹配电阻的宽度和长度 。（理由没有办法理解）
5. 避免使用短电阻，中度匹配的电阻应该大于5方块电阻，精确匹配电阻不少于50um。 （这里的方块和距离应该怎么理解？）
6. 交叉阵列电阻。 （图中没有要求共质心 复制一维即可）
7. 远离大功率器件、开关晶体管、数字晶体管
8. 不要在匹配的电阻上使用金属连线
9. 电阻值小于20欧姆的电阻使用金属层来做电阻，得到准确电阻值（金属层做电阻？？）

电容的匹配规则

1. 三个匹配规则
2. 单位电容。并联
3. 正方块电容，且四个角最好切到45度角。（？45 ？ 怎么切到45？）
4. 四周放dummy
5. 单位电容的电容值稍微大些。边长一般是20 - 50 um 之间。
6. 纵横比尽量1:1
7. 连接匹配电容的上极板到高阻抗信号，这样比接下极板能够减少寄生电容。如果沉底的噪音耦合也十分关心，建议在整个电容建一个N阱，最好连接到一个干净的模拟参考电压比如接地
8. 远离大功耗、等
9. 不在匹配电容上走金属线… （这是不是有点难？难道在预留通道走吗？这样会增大面积）

[1]姚芳, 李秋利. 浅谈CMOS模拟集成电路版图设计的器件匹配方法[J]. 集成电路通讯, 2008, 26(4):7.