模拟IC入门之---电路基础（1）

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电路基础

万丈高楼地起
为了更好的学习和认识魔法IC的设计，决定从头开始把基础打好，慢慢学。

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提示：第一次的博文过于简陋，自己将就着看看吧！！！

一、基本元器件的认识

常用的基本元器件包括有电阻、电容、电感；在模拟IC中，电阻和电容都可以用MOS管来制作。例如，将MOS管连接成二极管型（G、D短接）；电容也可以利用MOS来做，比如将D、S短接到地，栅压上施加一个V+，此时gate上的金属、氧化物以及源、漏注入区之间形成的反型层形成平行板电容器，Cox；同时MOSFET中还有一个重要的电容是Cd（反型层–耗尽区–衬底之间形成的电容）。

1.关于电容

这里先简单回顾一下平行板电容器的相关基础知识

1.1电容的定义

电容（或称电容量）是表现电容器容纳电荷本领的物理量。电容从物理学上讲，它是一种静态电荷存储介质，可能电荷会永久存在，这是它的特征，它的用途较广，它是电子、电力领域中不可缺少的电子元件。主要用于电源滤波、信号滤波、信号耦合、谐振、滤波、补偿、充放电、储能、隔直流等电路中。
定义式： C=Q/U
电容的决定式为：C=εrS/4πkd 与面积S、介电质常数εr成正比、上下极板间间距成反比。
i=C*du/dt 电容的电压是连续的，不能突变具有“电惯性”。

1.2关于电容的充放电问题

L、C元件称为“惯性元件”，即电感中的电流、电容器两端的电压，都有一定的“电惯性”，不能突然变化。充放电时间，不光与L、C的容量有关，还与充/放电电路中的电阻R有关。“1UF电容它的充放电时间是多长？”，不讲电阻，就不能回答。
　　RC电路的时间常数：τ=RC
　　充电时，uc=U×[1-e(-t/τ)] U是电源电压
　　放电时，uc=Uo×e(-t/τ) Uo是放电前电容上电压
　　RL电路的时间常数：τ=L/R
　　LC电路接直流，i=Io[1-e(-t/τ)] Io是最终稳定电流
　　LC电路的短路，i=Io×e(-t/τ)] Io是短路前L中电流
　　

1.3MOSFET中的电容效应

MOSFET中场效应的本质是指电荷受电压控制（电容效应）
在MOS中主要存在Cd和Cox（D、S接地），Cox->εox/tox , tox=Lmin/50;
Cd->εd/td Cd=f（Vbd） Vbd增大， 耗尽层加宽，td增大，Cd减小。
其中Cd/Cox=n-1 =0.2-0.5（n=1.2-1.5），Cox起主要作用。
这里的n主要是跨导效率的衡量，（gm/Id）max=1/（n*kT/q）=25 (V-1), typical =10 V-1
而在BJT中
gm/Ice=1/（kT/q）=40 V-1
BJT的跨导效率明显高于MOSFET，这是因为MOSFET存在电容分压导致的。

2.关于电感

电感感应电压公式 v(t)=Ldi(t)/dt 电感电流不能突变
感抗公式：X=2πf*L
特性：“通直流，阻交流”

3.MOSFET中常见电阻计算

3.1二极管连接的等效电阻

在模拟IC中，所谓的二极管连接是指NMOS/PMOS的栅漏端（G、D）短接，此时从源端和漏端两个不同方向看到的等效电阻相同，均等于（r0//(1/gm)//(1/gmb)）。
计算方式为画出等效小信号模型，加压求流。
示例：对于NMOS从漏端看到的等效阻抗

3.2 电流源等效电阻

先鸽 等找到合适的软件画电路图再来补这部分。。。。。。。。。

3.3 MOS源、漏端不同的电阻

同理