模拟IC入门之---电路基础(1)

本文介绍了电路基础,包括电容、电感的基本概念和MOSFET中的电容效应。详细阐述了电容的定义、充放电原理,以及MOSFET中Cd和Cox电容的作用。同时,讨论了电阻在充放电时间中的影响,并提及了MOSFET中二极管连接的等效电阻计算。内容适合电子和集成电路设计初学者。
摘要由CSDN通过智能技术生成


电路基础

万丈高楼地起
为了更好的学习和认识魔法IC的设计,决定从头开始把基础打好,慢慢学。


提示:第一次的博文过于简陋,自己将就着看看吧!!!

一、基本元器件的认识

常用的基本元器件包括有电阻、电容、电感;在模拟IC中,电阻和电容都可以用MOS管来制作。例如,将MOS管连接成二极管型(G、D短接);电容也可以利用MOS来做,比如将D、S短接到地,栅压上施加一个V+,此时gate上的金属、氧化物以及源、漏注入区之间形成的反型层形成平行板电容器,Cox;同时MOSFET中还有一个重要的电容是Cd(反型层–耗尽区–衬底之间形成的电容)。

1.关于电容

这里先简单回顾一下平行板电容器的相关基础知识

1.1电容的定义

电容(或称电容量)是表现电容器容纳电荷本领的物理量。电容从物理学上讲,它是一种静态电荷存储介质,可能电荷会永久存在,这是它的特征,它的用途较广,它是电子、电力领域中不可缺少的电子元件。主要用于电源滤波、信号滤波、信号耦合、谐振、滤波、补偿、充放电、储能、隔直流等电路中。
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