半导体特点
半导体受到外界光和热激励时,其导电能量将发生显著变化。
在纯净的半导体中加入微量的杂志,其导电能力也会显著提高。
半导体的导电性与价电子有关。
本征半导体
杂志半导体
1. P型半导体
内部结构
由于P的最外层电子缺少1个电子,即形成一个空穴。邻近原子的电子填补这个空穴,就会留下新的空穴
空穴为多子,自由电子为少子
注意:整个半导体还是呈电中性的。
2. N型半导体
内部结构
自由电子为多子,空穴为少子。
半导体: 性能处于导体和绝缘体之间。
当半导体收到外界光和热的激励时,导电能力将发生显著变化。
在纯净的半导体中加入微量的杂志,导电能量将显著提高。
空穴: 电子挣脱共价键的舒服称为自由电子后,共价键留下的一个空位。
本征半导体: 既没有多余的空穴,也没有多余电子。
本征激发: 在一定的温度下,被束缚的价电子获得足够的随机热振动能量而挣脱共价键的束缚,成为自由电子。
自由电子与空穴的复合:一个自由电子和一个空穴相遇,自由电子进入空穴中,两者同时消失的现象。
杂质半导体:在本征半导体中加入一定浓度的杂质原子。
P型半导体:在硅晶体中加入少量三件元素杂质。
N型半导体:在硅晶体中加入少量无价元素杂质。
受主杂质:在硅晶体中添加的最外层能接受电子的杂质。
施主杂质:在硅晶体中添加的最外层能提供电子的杂质。
多子:多数载流子。
少子:少数载流子。
飘移:由于电场作用而导致载流子运动。
扩散:载流子从高浓度区域向低浓度区域的扩散。