HFSS仿真3dB微带双分支定向耦合器学习笔记

HFSS仿真3dB微带双分支定向耦合器

设计要求：
设计一个3dB微带双分支定向耦合器，各端口微带线特性阻抗为50Ω，中心频率为5GHz，介质基板的介电常数9.6，基板厚度为0.8mm
这里重点讲解HFSS的操作，关于理论知识后面文章更新。

1、 求解器设置

求解器选择模式驱动求解

2、 建模

整个微带双分支定向耦合器的结构分为3dB耦合器、介质板和接地板。
为了后面方便参数分析和优化设计，设置几个变量（这些值都是理论计算的结果）

介质基板的长度	sub_L	L0+L2+L0+2*W1
介质基板的宽度	sub_W	W1+W2+L1+5mm
介质基板的厚度	sub_h	0.8mm
输入端口的长度	L0	4.32mm
50欧姆微带线的宽度	W1	0.799mm
50欧姆微带线的长度	L1	5mm
35.4欧姆微带线的宽度	W2	1.502mm
35.4欧姆微带线的宽度	L2	5.669mm

3dB耦合器建模
材料：PEC
模型：长方形
端口1微带线坐标：

端口2微带线坐标：

端口3微带线坐标

端口4微带线坐标：

AB段微带线坐标：

BC段微带线坐标：

CD段微带线坐标：

DA段微带线坐标：

介质板建模：
材料：介电常数9.6，厚度0.8mm
模型：长方体
坐标：

接地板：
材料：PEC
模型：长方形
坐标：

将3dB微带耦合器的模型合并成一个整体，最终建立的模型图如下：

3、 边界条件设置

接地面和3dB微带耦合器设置成理想导体边界条件（Perfect E）
辐射边界条件（空气盒子）:
模型：长方体

右键设置边界条件—辐射边界条件Radiation

4、 激励方式设置

激励方式：集总端口激励（lumped port）
模型：长方形
Port1坐标：

Port2坐标：

Port3坐标：

Port4坐标：

以端口1为例，右键—assign excitation —lumped port

5、 扫频设置

求解中心频率为5GHz，迭代次数为20，收敛误差为0.02
扫频方式：快速扫频，扫频范围：3GHz~7GHz，步进：0.002GHz

6、 设计检查，仿真分析

设计检查没有问题，进行仿真分析，点击analysis—setup1—sweep—analyze，进行仿真

7、 数据后处理

右键点击状态树下的results----create modal solution data report—rectangular plot，选择S11,S21,S31,S41，点击new report，即可成图

从图中可看出，耦合度为-2.59dB，插损为3.57dB，反射系数为-27.85dB，隔离度为-29.92dB。