1、系统概述
IGBT、MOS、晶闸管等是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件以及控制电路。其中,城市轨道交通车辆的牵引逆变器、辅助逆变器等重要电气设备中,大量使用了IGBT、MOS、晶闸管等器件,其各种静态参数的测试为使用者可靠选择器件提供了非常直观的参考依据,因此在实践中能准确及时的筛选出不合格的器件具有极其重要的实际意义。
我公司研制的ENX2020C 高温反偏测试系统,是针对IGBT、MOS、晶闸管等的模块而专门设计的一套全自动高温反偏老化测试系统。见图1
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此系统由以下几个特点:
该测试系统由电脑程序控制实现了完全自动化测试,测试可按测试员设定的程序进行自动测试;
该测试系统可同时测试60个模块,10个测试工位,每个工位测试6个产品,每个产品独立测试相互不影响。
该测试系统可实时监测每个产品的漏电流,对测试漏电流进行上限设置,并具有自动保护功能。
该测试系统每个工位可进行上桥或下桥测试。
该测试系统测试数据可实时观看并可将测试结果转化为EXCEL 文件进行保存。
设备组成:
控制电路
高压电源
高温箱
工控机
老化板
2、技术条件
2.1、环境要求
环境温度湿度:室温~40℃,湿度小于85%;
大气压力:86Kpa~ 106Kpa
电网电压:AC220V±10%无严重谐波
电网频率:50Hz±1Hz
供电电网功率因数:>0.9
设备具有良好的接地
最大功率2500W
2.2、主要技术指标
老化电压:0~2000V;
高温箱温度:室温~200˚C;
低档漏电流:0~10mA;
高档漏电流:0~100mA;
老化测试工位数:0~60个;