半导体参数分析仪

最新推荐文章于 2023-11-21 00:09:19 发布

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分类专栏： IGBT测试

本文链接：https://blog.csdn.net/qq_37974687/article/details/113372944

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本文详细介绍了半导体参数分析仪的功能和应用，包括对IGBT、MOS-FET、J-FET等各类半导体器件的测试参数，如ICES、IDSS、IGSS等，并提供了设备的规格参数和通信接口信息，可用于半导体器件的测试与分析。

摘要由CSDN通过智能技术生成

ENJ2005-C技术指标
主极参数	控制极参数
指标	标配	指标	标配
①主极电压	1mV-2000V	①控制极电压：	100mV-80V
②电压分辨率：	1mV	②电压分辨率：	1mV
③主极电流：	0.1nA-100A	③控制极电流：	100nA-40A
④电流分辨率：	100pA			
⑤测试精度：	0.2%+2LSB			
⑥测试速度：	0.5mS/参数			
测试范围 / 测试参数

联系易恩：152 2920 2572

序号测试器件测试参数

01 绝缘栅双极大功率晶体管
IGBT ICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON；
VGEON；VF；GFS
02 MOS场效应管
MOS-FET IDSS；IDSV；IGSSF；IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS；
VGSTH；VDSON、VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS
03 J型场效应管
J-FET IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；
IDSS；GFS；VGSOFF
04 二极管
DIODE IR；BVR ；VF
05 晶体管
（NPN型/PNP型） ICBO；ICEO；ICER； ICES； ICEV；IE