一、常用半导体器件
一、半导体
1 .半导体中有两种载流子 ;自由电子和空穴 。 P 型半导体的多数载流子
是空穴 ;N 型半导体的多数载流子是自由电子 。
2 .PN 结外加正向电压时 ,正向电阻小 ,表现为导通状态 ;加反向电压时 ,
反向电阻很大 ,表现为截止状态 。 这就是 PN 结的单向导电性 。
二、晶体二极管
1 .二极管的结构和符号
2 .二极管的伏安特性
硅二极管的死区电压为 0.5V 左右 ,锗二极管的死区电压为 0.2 V 左右。正向导通电压硅管为 0.7 V 左右 ,锗管约为
0.3 V 左右 。
3 .二极管的核心是一个 PN 结 ,所以单向导电性是它的基本特性 。 二极
管的伏安特性分为四个区域 :死区 、正向导通区 、反向截止区和反向击穿区 。
分析伏安特性时要注意二极管的非线性关系 ,即加在二极管两端的电压和流
过二极管的电流不成比例关系 。
4.二极管按照所用的材料不同分为硅管和锗管两种 。 硅管的死区电压和
正向压降比锗管的大 ,而反向饱和电流( I CEO 、I CBO )要比锗管的小 。 使用二极
管时要注意最大整流电流和最高反向工作电压不要超过规定值
5.稳压二极管是一种特殊用途的二极管 。 它工作在伏安特性曲线的反向
击穿区 。 稳压二极管在使用时应注意限制它的工作电流不要过大 ,否则会因
管子过热而损坏 。
三、晶体三极管
1 .三极管的结构和符号
2 .三极管由两个 PN 结组成 ,具有电流放大作用 。 三极管具有放大作用
的内部条件是 :发射区的掺杂浓度很大 ;基区很薄 ;集电区体积大 。 外部条件
是 :发射结正向偏置 ,集电结反向偏置 。总结:电流总是从P流向N。
3.三极管中三个电极电流的关系为 :I E = I B + I C 。 三极管的特性曲线分
为输入特性曲线和输出特性曲线 。 输入特性曲线和二极管的正向特性曲线相
似 ;输出特性曲线分为三个区 。 饱和区 :发射结和集电结都正偏 ,I B 对 I C 的影
响很小 。 截止区 :发射结和集电结都反偏 ,I B = 0 ,I C ≈ I CEO 。 放大区 :发射结
正偏 、集电结反偏 ,I C 受 I B 的控制 ,并成正比例增长 。 应特别指出三极管的电
流放大作用并不是将电流放大多少倍 ,而实质是以小的电流对大的电流进行
控制的作用 。 对以上三个区的特点应重点掌握 。
4.在使用三极管时要注意它的极限参数 ,以保证管子的安全使用 ;另外也
要注意晶体管几乎所有的参数都和温度有关系 。
5.三极管按结构分为 NPN 、PNP 型两种 ,必须要注意两种管子在使用时
的极性和电流方向的问题 。