硬件基础16 半导体存储器——只读存储器ROM

最新推荐文章于 2025-02-18 20:37:41 发布

陌夏微秋

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分类专栏：硬件、嵌入式硬件知识——秋招准备文章标签：嵌入式硬件硬件工程单片机信号处理信息与通信

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半导体存储器用来存储大量的二值数据，它是计算机等大型数字系统中不可缺少的组成部分，同时也广泛用于小型便携的数码产品中，如数码相机、手机、MP3播放器等。
按照集成度划分，半导体存储器属于大规模集成电路。本章介绍半导体存储器的基本结构和工作原理，以及各类存储器的特点。用户实际使用时更需要关注存储器的读写控制时序（定时图）和容量扩展等内容。

目前，半导体存储器基本上可以分为两大类，即只读存储器(Read-Only memory, ROM)和随机存取存储器(Random Access Memory, RAM，又称为读写存储器)。RAM 中的 “随机”是指存储器的内容可以以任何顺序存取，而不管前一次存取的是哪一个位置。两者最主要的差别是，正常工作时，既可从 RAM 中读出数据，也可向 RAM 中写入数据，而 ROM 只能读出数据。断电以后，RAM 中所存的数据将全部丢失，即具有易失性；而 ROM 中的数据可以长久保存。

RAM 又可分为静态RAM(Static Random Access Memory, SRAM)和动态RAM(Dynamic Random Access Memory, DRAM)。SRAM中的存储单元相当于一个锁存器，有0、1两个稳态；DRAM则是利用电容器存储电荷来保存0或1的，因此需要定时对其进行刷新，否则随着时间推移，电容器中存储的电荷将逐渐消散。
根据是否允许用户对ROM 写入数据，又可将ROM分为固定ROM（或掩模 ROM ) 和可编程ROM ( Program mable Read-Only Memory,PROM)。PROM又可分为一次可编程ROM(PROM)，光可擦除可编程ROM(Erasable Programmable Read-Only Memory, EPROM)，电可擦除可编程ROM(Electrical Erasable Program mable Read-Only Memory, E2PROM)和快闪存储器 (Flash Memory)。

RAM一般用在需要频繁读写数据的场合，如计算机系统中的数据缓存。ROM 常用于存放系统程序、数据表、字符代码等不易变化的数据。E2PROM和Flash Memory则广泛用于各种存储卡中，例如公交车的IC卡，数码相机中的存储卡，移动存储卡 (USB存储卡，也称U盘）等。

一、只读存储器基础

ROM是一种永久性数据存储器，其中的数据一般由专用的装置写入，数据一旦写入，不能随意改写，在切断电源之后，数据也不会消失。存储器由存储阵列、地址译码器和输出控制电路三部分组成。

二、只读存储器架构

存储阵列：存储1、0bit的结构；

地址译码器：可以看到2-4，实现了少接口多地址读取；

输出控制电路：通过三态缓冲器，使得有数据可以足够能力驱动，无数据则高阻态不影响数据总线；

可以看到每次读出一组数据，这里的组称为字；一个字中包含的位数称为字长；每个字都具有一个地址标号称为地址；构成字的存储单元称为地址单元。

三、二维译码与存储阵列

如果采用上一节中的译码方式构造一个2^8-1位的ROM，则需要一个8线－256线译码电路。若采用一级门电路译码，则该译码电路至少需要256个8输入与非门和16个反相缓冲器，电路非常庞大。在实际的ROM中，常采用行译码和列译码的二维译码结构来减小译码电路的规模。

4线－16线译码器实现行的选择，16线－1线数据选择器实现列的选择，从而完成行和列的译码。 ROM 通过行和列交叉点上是否连有MOS管来存储0和1。但是对应的读取速度一次只有一个，肯定没有单一阵列的要快。

上述ROM，通过MOS管、BJT、二极管构成存储阵列，其可以被称为固定ROM或掩膜ROM，器件制造商直接将输入一次写入存储器，一旦制造好，数据不可修改。用于大批量生产时，成本较低，但数据一旦写入便无法更改。

四、可编程ROM-PROM

写入方式：使用专用的编程设备，通过电流脉冲将数据写入ROM中。这类ROM只能被编程一次，写入后数据便不可更改。
技术原理：芯片中有熔丝，每个存储单元在编程时通过电流将熔丝烧断，形成存储的数据位。

五、可擦除ROM-EPROM

        光可擦除可编程存储器EPROM的存储阵列由SIMOS管构成，其数据写入需要通用或专用的编程器。EPROM芯片的封装外壳装有透明的石英盖板，用紫外线或X射线照射15-20min，便可擦除其全部内容。擦除后可重新写入数据。如今大多数PROM实际上是不装透明石英盖板的EPROM，因而无法擦除，只能写入一次，也称OTP(One Time Programmable)EPROM。
        电可擦除可编程存储器E²PROM和快闪存储器阵列分别由Flotox MOS管和快闪叠栅MOS管构成。E²PROM既具有ROM的非易失性，又具有写入功能。改写过程就是电擦除过程（在线擦除，即不需要将芯片从电路系统中取出。可重复擦写1万次以上），改写以字为单位进行。目前，大多数 E²PROM 芯片内部都备有升压电路。因此，只需提供单电源供电，便可进行读、擦除/写操作，这为数字系统的设计和在线调试提供了极大方便。与EPROM 相比，E²PROM的存储单元电路复杂，所以集成度低。
        快闪存储器的擦除和写入是分开进行的，通过在快闪叠棚MOS管的源极加正电压完成擦除操作，而在MOS管的棚极加高的正电压完成写入操作。因此写入前，首先要进行擦除。由于快闪存储器的存储单元结构简单（只需要一个快闪叠棚MOS管），所以集成度较E²PROM高。
        上述可编程ROM的发展，实际上已经改变了 ROM 最初只读存储器的含义，而既有读功能，也有写功能。特别是快闪存储器具有的大容量、可读写、非易失性特点，使之广泛应用于各种数码产品中。