【通信协议】1-Wire 单总线

一、1-Wire相关介绍

  • 1-Wire由 美国Dallas(达拉斯) 公司推出
  • 采用单根信号线,既传输时钟又传输数据,而且数据传输是双向的
  • 单总线的数据传输速率一般为16.3Kbit/s,最大可达142 Kbit/s,通常情况下采用100Kbit/s以下的速率传输数据
  • 1-Wire线端口为漏极开路构或三态门的端口,因此一般需要加上拉电阻Rp,通常选用5K~10KΩ
  • 1-Wire数据传输的次序为从最低位到最高位,与I2C不同

1.典型命令序列:

  • (1)初始化:单总线上所有传输过程都需要以初始化开始
  • (2)ROM命令:在主机检测到从机的应答脉冲后,就可以发出ROM命令
  • (3)功能命令:每个单总线器件都有自己的专用指令,需要参照各自的数据手册

2.典型电路图:

在这里插入图片描述

二、1-Wire通信过程

1.初始化

在这里插入图片描述

  • 初始化过程 = 复位脉冲 + 从机应答脉冲
    • 主机通过拉低单总线480 ~ 960 us产生复位脉冲,然后释放总线,进入接收模式。主机释放总线时,会产生低电平跳变为高电平的上升沿
    • 单总线器件检测到上升沿之后,延时15 ~ 60 us,单总线器件拉低总线60 ~ 240 us来产生应答脉冲。主机接收到从机的应答脉冲说明单总线器件就绪,初始化过程完成。

2.写操作

在这里插入图片描述

  • 写间隙有两种,包括写0的时间隙和写1的时间隙
    • 当数据线拉低后,在15 ~ 60 us的时间窗口内对数据线进行采样。如果数据线为低电平,就是写0,如果数据线为高电平,就是写1。
    • 主机要产生一个写1时间隙,就必须把数据线拉低,在写时间隙开始后的15 us内允许数据线拉高(即在0~15us内释放总线)。主机要产生一个写0时间隙,就必须把数据线拉低并保持60 us

3.读操作

在这里插入图片描述

  • 与写操作一样,读操作至少需要60us,在两次独立的读操作直接至少需要1us的恢复时间,所有的读操作都是由主机拉低总线并保持至少1us后,再释放总线开始
  • 读操作,主机拉低总线1us,随后释放总线,若发送“1”,则保持总线为高电平;若发送“0”,则拉低总线并在该周期结束后释放总线

三、1-Wire程序(以DS18B20为例)

DS18B20功能命令

在这里插入图片描述

命令命令代码
跳过ROMCCH
启动转换44H
读取暂存器BEH
//DQ为 单总线IO口
//复位初始化 若返回值为0,则存在单总线设备
unsigned char DS18B20_RST(void)
{
	unsigned char Check;//检测是否存在DS18B20单总线设备
	DQ = 0delay_us(480);
	DQ = 1;
	delay_us(60);
	Check = DQ; //若为0,则接收到DS18B20应答信号
	delay_us(480);
	return Check;
}

//DS18B20写一个字节
void DS18B20_Write_Byte(unsigned char data)
{
	unsigned char i = 0;
	for(i = 0;i < 8 ;i++)
	{

		DQ = 0;
		delay_us(1);
		DQ = data & 0x01;
		delay_us(60);
		data >>= 1;   
		DQ= 1;	//然后释放总线,至少1us给总线恢复时间才能接着写入第二个数值
		_nop_();_nop_();

	}
}

//DS18B20读取一个字节
unsigned char DS18B20_Read_Byte(void)
{
	unsigned char i = 0;
	unsigned char temp = 0;
	for(i = 0;i < 8;i++)
	{
		_nop_();_nop_();
		DQ = 0;
		_nop_();_nop_();
		DQ = 1;//释放总线
		_nop_();_nop_();
		temp = DQ << 7;//暂存放置在高位
		data |= temp;  //得到数据
		data >> 1;     //依次移位
		delay_us(60);
	}
}


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