电机常用MOS管型号

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分类专栏： 硬件 文章标签： arm开发 单片机 嵌入式硬件 MCU
于 2023-10-23 17:19:59 首次发布
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电机常用MOS 管型号

N型

型号类型电压电流Rds封装资料
AP60N03DFN30V60A45mΩPDFN3x3-8L手册
AGM308APN30V40A7.2mΩPDFN3*3手册
WSD4062DN56N40V62A7.0mΩDFN5*6手册
AER4051AEN40V69A5.0mΩDFN5*6手册
AGM304AN30V100A3.6mΩDFN5*6手册
RU3030N30V30A10mΩDFN3*3手册

P型

型号类型电压电流Rds封装资料
AO4447AP-30V-18.5A8.2mΩSOIC-8手册
AGM30P10APN-30V-23A11mΩDFN3.3*3.3手册

N+P型

型号类型电压电流Rds封装资料
NP4606P+N30V7A、-6A45mΩSOP8手册
KS3640MBP+N30V20A、-22A45mΩPDFN3333手册
NCE30NP1812QP+N30V18A、-12A26mΩDFN3.3X3.3-8L手册
AP8G02LIP+N20V8.5A、-7.8A28mΩSOT23-6手册
AP8814AP+N20V8.5A、-7.8A28mΩSOT23-6手册
NP6667P+N30V10A、-10A22mΩDFN56手册
AGM420MAP+N40V20A、-18A26mΩDFN56手册
AET3137AEP+N30V30A、-30A18mΩDFN56手册
CRMD0303CP+N30V32A、-32A9mΩ、11mΩDFN56手册
AP3910GDP+N30V36A、-30A15mΩ、20mΩDFN56手册

N+N型

型号类型电压电流Rds封装资料
VS3622DEN+N30V7A、-6A45mΩSOP8手册

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立创-威兆Vergiga
立创-华润微CRMICRO
立创-士兰微SILAN
立创-广东场效应半导体Cmos

三极管、MOS管和晶体管综合对比——《器件手册--三极管、MOS管和晶体管》
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IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，结合了MOSFET的高输入阻抗、开关速度快的优点和双极型晶体管（BJT）的低导通压降、高电流密度的优点。例如，在NPN型三极管中，当基极电流增加时，集电极电流会按照一定的比例（放大倍数β）增加，这个比例通常在几十到几百之间。在NMOS管中，当栅极相对于源极的电压（Vgs）小于开启电压（Vth）时，漏极和源极之间没有导电沟道，电流无法通过，处于截止状态。
12、硬件工程师笔试面试——MOS管（2025版本）
XU157303764的博客
09-10 4902
在设计和测试过程中，可以参考相关的EMC测试标准和指南，如CE认证EMC电磁兼容测试介绍 和电磁兼容性（EMC）测试方法与整改指南 ，以及电磁兼容（EMC）的标准与测试内容 ，来确保MOSFET的EMC性能符合行业标准。在高频应用中，MOSFET的开关速度对电路的整体性能至关重要。是一款高电压同步N沟道MOSFET驱动器，具有自举电源电压至114V的能力，宽VCC电压范围，自适应贯通保护功能，以及高达1.4A的峰值顶端栅极上拉电流，适用于分布式电源架构、汽车电源、高密度电源模块和电信系统等应用。
MOS管型号参数大全
08-12
各种MOS管型号大全，各种参数，耐压值等，我感觉是一个很好的一个文档。
常见MOS管型号及参数对照表
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 如有和官方文件有出入，以原文档为准！有的元器件可能停产，注意选型是否有货！ 常见MOS管型号及参数对照表   场效应管分类   型号          简介           封装 1 MOS FET      2N7000   60V,0.115A  TO-92 2 MO...
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全系列MOS管型号参数封装资料
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常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料 （场效应管分类型号简介封装）
小功率_MOS管_选型手册
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小功率MOS管是电子设计中的重要元件，广泛应用于各种电子设备中，如电源管理、电机控制、信号开关等。本选型手册详尽地介绍了多种型号的小功率MOS管，便于电子工程师根据具体需求选择合适的器件。MOS管的主要参数...
小功率 MOS管 选型手册(较为全面)
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总体来说，这份小功率MOS管选型手册提供了一个实用的参考，帮助设计者快速找到适合特定应用的MOS管型号。在实际操作中，应结合电路的具体需求，考虑MOS管的性能指标、封装尺寸以及成本等因素，以确保最佳的系统性能...
国外MOSFET管参数对照手册
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常用的功率MOSFET管的参数对照代换表，对管子选型或者替换有一定帮助
99D0303-2常用风机电路图.pdf
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关于MOS管的基础知识大合集
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下面对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。
电子器件（6）MOS管参数与选型
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03-10 1648
唐老师MOS管视频总结，方便翻看主要知识点。MOS管可等效于一个开关和电阻的串联。
在马达驱动上的MOS产品选型分析与应用
weixin_45260069的博客
05-28 1006
这样电机结构就相对简单，降低了电机的制造和维护成本，但无刷直流电机不能自动换向(相)，牺牲的代价是电机控制器成本的提高(如同样是三相直流电机，有刷直流电机的驱动桥需要 4 只功率管，而无刷直流电机的驱动桥则需要 6 只功率管)。近几年随着半导体技术的发展、MCU与驱动组件的普及，使得BLDC电机的总体成本降低了很多，再加上这几年来，永磁新材料、自动控制技术，电力电子技术，特别是大功率开关器件的发展，以及国内高压、高速电机制造技术的提升，BLDC电机得到了长足的发展。
MOS管的电路应用
weixin_46251230的博客
10-14 1931
本来NMOS管的S极是接GND的，这里用D极接GND，VIN输入的电流流过负载后从寄生二极管流向GND，该二极管会由0.7V的压降，电流也可以从R87、R88流过，经寄生二极管流到GND，这样的话R87与R88分压就得到Vgs，当Vgs大于Vgs(th)时，NMOS管就会完全导通；假如电源输入接反，上面是GND，下面是VIN，则由于寄生二极管的原因，VIN的电流不能通过NMOS管，Vgs电压接GND，所以Vgs也不会大于Vgs(th)，NMOS管不会导通，所以起到防反接作用。Ω，栅极电流几乎为0；
常用MOSFET管型号
猪哥的专栏
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型号       极性     用途               V   A    W    ns    RON IRFBC40 N-FET MOS-enh,S-L 600 6.2 125 27/30 1.2Ω IRFBC30 N-FET MOS-enh,S-L 600 2.2 50 15/30 4.4Ω IRF820 N-FET MOS-enh,S-L 500 2.5 50 1
P型MOS管常用型号表，电子工程师选型必备！
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P型MOS管常用型号表，如果不清楚如何对P型MOS管选型，可以联系泰德兰电子，在线销售工程师一对一技术支持服务 专业MOS管代理商，长期代理美国aos万代MOS管、重庆万国MOS管，日本松木MOS管等品牌，免费在线分享提供P型MOS管选型，P型MOS管报价，P型MOS管替代方案，P型MOS管产品规格书免费下载服务。如果您需要下载P型MOS管型号的规格书，请在本站搜索框内搜索型号关键词即可。P型MOS管产品规格书里面的内容包括P型MOS管原理图介绍，P型MOS管电压介绍，P型MOS管应用领域介绍，P型MOS
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numpy简介Python中用列表(list)可以用来当作数组使用，不过由于列表的元素可以是任何对象，因此列表中所保存的是对象的指针。这样为了保存一个简单的[1,2,3]，需要有3个指针和三个整数对象。对于数值运算来说这种结构显然比较浪费内存和CPU计算时间。此外python还提供了一个array模块，array对象和列表不同，它直接保存数值，和C语言的一维数组比较类似。但是由于它不支持多维，也没...
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### 电机驱动电路 MOSFET 选型指南 #### 1. 沟道类型选择 对于电机驱动电路而言，N沟道MOSFET更为常用。这类器件适合用于低压侧开关场景，在大多数情况下能够提供更低的成本和更多的型号选择[^1]。然而，如果应用环境要求MOSFET作为高压侧开关，则应考虑选用P沟道MOSFET，尽管其成本较高且可选项较少。 #### 2. 最大漏-源电压 (VDSS) 在确定工作条件下的最高电压峰值之后，所选MOSFET的最大漏-源电压(VDSS)应该至少高出该值一定的安全裕度。这可以防止因瞬态过压事件而导致的损坏风险。具体数值取决于具体的电机驱动应用场景及其可能遇到的最大电压水平。 #### 3. 导通电阻(RDS(on)) 导通状态下MOSFET两端之间的电阻称为RDS(on)，它直接影响功耗效率。较低的RDS(on)意味着更高的能效表现，因此建议优先挑选具有较小RDS(on)的产品来减少发热并提高整体效能。 #### 4. 封装形式与散热考量 考虑到电机驱动器往往处于高电流密度的工作环境中，良好的热管理至关重要。应当依据预期安装空间大小及冷却方式等因素综合评估不同封装类型的优劣，并选取最能满足实际需求的一种。 #### 5. 驱动能力匹配 针对特定的应用情况，还需关注栅极阈值电压Vgs(th)以及所需的最小/最大栅极驱动信号幅度范围等参数，确保选定的MOSFET能够在给定条件下被有效控制开启关闭状态转换过程平稳可靠。 #### 推荐型号实例分析 以英飞凌科技公司生产的 **IPW70R190CF** 为例，这款N沟道增强型功率场效应晶体管具备如下特点： - VDSS=75V, 符合多数中小功率直流无刷电机控制器的要求； - RDS(on)=19mΩ @ VGS=10V, 表现出优异的能量转化率； - TO-263-3L表面贴装式塑料封装易于集成至紧凑型PCB布局之中； ```cpp // 示例代码展示如何初始化一个基于上述推荐型号构建的H桥半桥臂配置 void setup() { pinMode(GATE_PIN_HBRIDGE_HIGH_SIDE, OUTPUT); digitalWrite(GATE_PIN_HBRIDGE_HIGH_SIDE, LOW); // 默认保持关闭 pinMode(GATE_PIN_HBRIDGE_LOW_SIDE, OUTPUT); } ```
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